朱俊 邮箱:junzhu@uestc.edu.cn
电话:**
系别:微电子与固体电子系
职称:教授
教师个人主页:http://faculty.uestc.edu.cn/zhujun1
教师简介
朱俊,男,博士、教授,博士生导师,1966年1月生,籍贯江苏省。在南京大学物理系完成本科、硕士和博士的学习,1995年至1996年在德国亚堔工业大学(RWTH-Aachen)做访问****进行合作研究。2004年4月到成都电子科技大学微电子与固体电子学院从事教学、科研工作至今。
在科研工作上,主要从事电子功能薄膜材料制备以及结构与性能相关性的研究。负责或参加了国家重大基础研究“973”项目(两项)、国家自然科学基金重点项目(一项)和国家自然科学基金面上项目(三项)、总装预研重点项目(一项)、国家重点研发计划课题(一项)以及其他国家级研究项目多项。对Si基栅介质Hf系氧化物高介电薄膜进行了创新的研究;对BST、PZT、LN等介电、铁电薄膜以及BFO、CFO等磁电薄膜的生长制备及结构与性能相关性的物理机理进行了系统的探索性研究;在氧化物功能薄膜与宽禁带半导体GaN的集成生长与耦合性能做了大量原创性的研究。迄今已在国外核心杂志(SCI)上,如:Applied physics letter, J. Applied physics , Applied Physics A,J. Phys. D: Appl. Phys, Journal of Crystal Growth, Thin Solid Films等发表140多篇论文;并获中国发明专利12项。在国际、国内学术会议上做邀请或口头报告20多次。目前研究兴趣在介电、铁电、铁磁和半导体等薄膜及异质复合结构的制备、新性能的研究,以及探索多功能复合新器件的应用。
办公室:清水河校区5号科研楼423
科学研究
一.研究方向:
1. 薄膜生长动力学研究
2.介电、铁电、铁磁和半导体等异质复合结构的制备
3.多功能复合的新型器件的应用研究
二.研究条件
1.Lambda physik compex 201激光器(Laser),能量0~500 mJ可调;
2. 激光分子束外延(L-MBE),配有原位RHEED,可以研究氧化物薄膜的生长动力学规律;
3.脉冲激光沉积(PLD)2套,配有霍尔离子源,用于复杂氧化物薄膜制备;
4.电子束蒸发/热蒸发(E-beam Evaporator/ Thermal Evaporator),用于多种金属电极制备;
5.介电、半导体材料及其结构电性能测试平台(Agilent 4156C、4294A、signatone probe station);主要用于
半导体材料、器件性能测试与参数提取,介电材料C-V特性及频谱测量。
另有管式快速退火炉、等离子体清洗机等设备以及重点实验室公共资
近几年在Nanoscale、Appl. Phys, Lett.、JAP等知名国际期刊上发表论文130余篇,其中SCI 99篇。
代表性论文:
1.Growth dynamics and cell migration in ferroelectric thin filmsApplied Physics letters 88, 152901(2006)
2.Strain induced magnetic anisotropy in highly epitaxial CoFe2O4 thin filmsApplied Physics letters 89, 262506(2006)
3.Epitaxial properties of ZnO thin films on SrTiO3 substrates grown by laser molecular beam epitaxy Applied Physics letters 90, 151918(2007)
4.Effects of chemical fluctuations on microstructures and properties of multiferroic BiFeO3 thin films Applied Physics letters 91, 082501 (2007)
5.Epitaxial fabrication and memory effect of ferroelectric LiNbO3 film/AlGaN/GaN heterostructure Applied Physics letters 95, 232907 (2009).
6.Electron trap memory characteristics of LiNbO3 film/AlGaN/GaN heterostructure Applied Physics letters 96, 032103 (2010).
7.Growth of highly near-c-axis oriented ferroelectric LiNbO3 thin films on Si with a ZnO buffer layer Applied Physics letters 102, 051914 (2013).
8.High-performance n-MoS2/i-SiO2/p-Si heterojunction solar cellsNanoscale 7, 8304-8308(2015)
主讲课程
讲授《半导体物理》、《凝聚态物理导论》本科生课程与《固体理论》研究生课程。
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
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