导师代码： 10755
导师姓名： 罗小蓉
性别： 女
特称：

职称： 教授
学位： 工学博士学位
属性： 专职
电子邮件： xrluo@uestc.edu.cn

---

学术经历： 2001年获得四川大学理学硕士学位；2007年获得电子科技大学工学博士学位

---

个人简介： 工作经历：2018年7月-至今 电子科学与工程学院 教授/人力资源部教师发展中心 主任；2012年8月-2018年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 /电子科学与工程学院 教授/副系主任/系主任2010年8月-2012年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 副教授/副系主任2009年7月-2010年7月 剑桥大学博士后2008年8月-2009年6月 电子科技大学微电子与固体电子学院 副教授2001年7月-2008年7月 电子科技大学微电子与固体电子学院 助教/讲师 主持或主研国家自然科学基金重点和面上项目、973项目、国家科技重大专项、省部级项目等30余项。发表SCI检索90余篇，其中以第一作者和通讯作者在微电子器件顶级期刊IEEE ED和IEEE TED上发表论文30余篇，H指数为24，在重要国际学术会议做 5 次主题/特邀报告。作为第一发明人申请专利90余项，其中授权美国发明专利6项、中国发明专利40余项。 学术活动与兼职：1.功率半导体领域国际顶级学术会议ISPSD的TPC委员；2.IEEE EDS Power Devices and ICs，全球15名Technical Committee委员之一？；3.担任国家自然科学基金通讯评审专家，国际会议IEEE ICSICT分会主席，四川省电力电子学会学术委员会副主任。荣誉和奖励（科技类）：2018年，获卓越青年科学基金；2018年，四川省有突出贡献的优秀专专家；2017年，中国电子学会优秀科技工作者；2010年，国家科技进步二等奖；2011年，教育部新世纪优秀人才支持计划；2014年，教育部自然科学奖二等奖；2013年，四川省青年科技奖；2013年，四川省学术技术带头人后备人选；2011年，四川省优秀博士学位论文2012年，电子科技大学“****”；2016年，本科教学优秀奖；2017年，电子科技大学第四届“我最喜爱老师”卓越风采奖。

---

科研项目： 研究方向：功率半导体器件与集成电路1、卓越青年科学基金：批准号：2018-JCJQ-ZQ-060，负责人；2、装发十三五预研：批准号，-2，负责人；3、总装十二五预研：批准号，，负责人；4、国家自然科学基金：空穴气增强型高压 GaN HEMT 机理与新结构研究，批准号：**,负责人；5、国家自然科学基金：对称极化掺杂增强型功率 GaN HFET 机理与工艺实现研究，批准号：**,负责人；6、国家自然科学基金：高压、超低功耗的易集成SOI横向功率MOSFET机理与新结构研究，批准号：**,负责人；7、国家自然科学基金：结型场板横向功率器件机理与新结构研究，批准号：**，负责人；8、国防科工局基础科研重点项目，批准号：JCKY**B008，子课题负责人；9、国家科技重大专项：批准号：2014ZX**-002，主研;10、国家科技重大专项：批准号：2013ZX**-003，主持。11、装备部项目：XXXXX集成关键技术，批准号：，负责人；热烈欢迎对以上研究方向有兴趣的同学加入本课题组进行硕士研究生、博士研究生和博士后科研工作。

---

研究成果： 代表性学术成果（部分）：（一）学术论文 行业顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED共34篇 [1] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Zhaoji Li, et al. A Novel 700-V SOI LDMOS With Double-Sided Trench [J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2007, 28(5): 422-424[2] Xiaorong Luo, Bo Zhang, and Zhaoji Li. New High-Voltage (> 1200 V) MOSFET With the Charge Trenches on Partial SOI[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2008, 55(7): 1756-1761[3] Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, et al. Realization of High Voltage (> 700 V) in New SOI Devices With a Compound Buried Layer[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(12):1-3[4] Bo Zhang, Zhaoji Li, Shengdong Hu, et al. Field Enhancement for Dielectric Layer of High-Voltage Devices on Silicon on Insulator[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 56(10): 2327-2334[5] Xiaorong Luo, Daping Fu, Lei Lei, et al. Eliminating Back-Gate Bias Effects in a Novel SOI High-Voltage Device Structure[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 56(8): 1659-1666[6] Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. A High-Voltage LDMOS Compatible With High-Voltage Integrated Circuits on p-Type SOI Layer[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2009, 30(10): 1093-1095[7] Xiaorong Luo, Florin Udrea, Yuangang Wang, et al. Partial SOI Power LDMOS With a Variable Low-k Dielectric Buried Layer and a Buried P Layer[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 31(6): 594-596[8] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Tianfei Lei, et al. Numerical and Experimental Investigation on a Novel High-Voltage ( >600-V) SOI LDMOS in a Self-Isolation HVIC[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2010, 57(11): 3033-3034[9] Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Hao Deng, et al. Novel Low-k Dielectric Buried-Layer High-Voltage LDMOS on Partial SOI[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2010, 57(2): 535-538[10] Xiaorong Luo,Jie Fan, Yuangang Wang, et al. Ultralow Specific On-Resistance High-Voltage SOI Lateral MOSFET[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(2): 185-187[11] Xiaorong Luo, T. F. Lei, Y. G. Wang, et al. Low On-Resistance SOI Dual Trench- Gates MOSFET[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 59(2): 504-509[12] Xiaorong Luo, Y. H. Jiang, K. Zhou, et al. Ultralow Specific On-Resistance Superjunction Vertical DMOS with High-K Dielectric Pillar[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(7): 1042-1044[13] Xiao Rong Luo, Jin Yong Cai, Ye Fan, et al. Novel Low-Resistance Current Path UMOS With High-K Dielectric Pillars[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 60(9): 2840-2846[14] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al.A RESURF-Enhanced p-Channel Trench SOI LDMOS With Ultralow Specific ON-Resistance[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014,61(7):2466-2472[15] Xiaorong Luo, Jie Wei, Xianlong Shi, et al. Novel Reduced ON-Resistance LDMOS With an Enhanced Breakdown Voltage[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 61(12): 4304-4308[16] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, et al. Analytical Model and New Structure of the Variable-k Dielectric Trench LDMOS With Improved Breakdown Voltage and Specific ON-Resistance[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 62(10): 3334-3340[17] Xiaorong Luo, Qiao Tan, Jie Wei. Ultralow ON -Resistance High-Voltage p-Channel LDMOS With an Accumulation-Effect Extended Gate[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 63(6): 2614-2619[18] Kun Zhou, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. An Ultralow Loss Superjunction Reverse Blocking Insulated-Gate Bipolar Transistor With Shorted-Collector Trench[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 37(11): 1462-1465[19] Jie Wei, Xiaorong Luo,Yanhui Zhang, et al. High-Voltage Thin-SOI LDMOS With Ultralow ON -Resistance and Even Temperature Characteristic[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 63(4): 1637-1643 [20] Xiaorong Luo, Mengshan Lv, Chao Yin, et al. Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 63(9): 3804-3807[21] Xiaorong Luo, Da Ma, Qiao Tan, et al. A Split Gate Power FINFET With Improved ON-Resistance and Switching Performance[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 37(9): 1185-1188 [22] Linhua Huang, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al. A Snapback-Free Fast-Switching SOI LIGBT With Polysilicon Regulative Resistance and Trench Cathode[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 64(9)： 3961-3966[23] Weiwei Ge, Xiaorong Luo,Junfeng Wu, et al. Ultra-Low On-Resistance LDMOS With Multi-Plane Electron Accumulation Layers[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 38(7): 910-913[24] Tao Sun, Xiaorong Luo, JieWei, et al. A Carrier Stored SOI LIGBT With Ultralow ON-State Voltage and High Current Capability[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 65(8): 3365-3370 [25] Xiao Rong Luo, Zheyan Zhao, Linhua Huang, et al. A Snapback-Free Fast-Switching SOI LIGBT With an Embedded Self-Biased n-MOS[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 65(8): 3572-3576[26] Jie Wei, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. Simulation study of a novel snapback-free and low turn-off loss reverse conducting IGBT with controllable trench gate in the collector side[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 39(2): 252-255[27] Gaoqiang Deng, Xiao Rong Luo, JieWei, et al. A Snapback-Free Reverse Conducting Insulated-Gate Bipolar Transistor With Discontinuous Field-Stop Layer[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 65(5): 1856-1861[28] X. R. Luo, Q. Liu, J. Wei, et al. A high bidirectional blocking capability insulated-gate bipolar transistor with ultralow loss[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(10): 4729-4733[29] C. Yang, X. R. Luo*, A. B. Zhang, S. Y. Deng, D. F. Ouyang, F. Peng, J. Wei*, et al. AlGaN/GaN MIS-HEMT with AlN interface protection layer and trench termination structure[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(11): 5203–5207[30] J. Wei, X. R. Luo, G. Q. Deng, et al. Ultra-fast and low turn-off loss lateral IEGT with a MOS-controlled shorted anode[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 66(1): 533–538[31] Jie Wei ,Xiaorong Luo , Gaoqiang Deng ,TaoSun , Chenxia Wang, Kunfeng Zhu, Wei Cui, Zhikuan Wang, Zhaoji Li,Member, IEEE, and Bo Zhang,Member, IEEE. Ultrafast and Low-Turn-OFFLoss Lateral IEGT With a MOS-Controlled Shorted Anode[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(1): 533-538.[32] Yuxi Wei , Xiaorong Luo , Senior Member, IEEE, Weiwei Ge, Zheyan Zhao, Zhen Ma, and Jie Wei , Student Member, IEEE. A Split Triple-Gate Power LDMOS With Improved Static-State and Switching Performance[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2669-2674.[33] Xiaorong Luo, Yang Yang , TaoSun ,JieWei , Diao Fan, Dongfa Ouyang, Gaoqiang Deng , Yonghui Yang , Bo Zhang, and Zhaoji Li. A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(3): 1390-1395.[34] Gaoqiang Deng , Xiaorong Luo , Senior Member, IEEE,TaoSun , Zheyan Zhao,Diao Fan, and Bo Zhang , Senior Member, IEEE. An Injection Enhanced LIGBT on Thin SOI Layer Compatible With CMOS Process[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2681-2685.[35] Kun Zhou, Xiaorong Luo*, Qing Xu, et al. A RESURF-Enhanced P-Channel SOI LDMOS with Ultralow Specific On-Resistance，IEEE Tran. Electron Devices, 2014, 61(7)，2466-2472. 其它国内外重要期刊（SCI收录） [36] Xiaorong Luo, Wei Zhang, Zhaoji Li, et al. A new structure and its analytical model for the electric field and breakdown voltage of SOI high voltage device with step thickness drift region, Semiconductor Science and technology, 2008, 23 (3):No.035028. [37] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Zhaoji Li. A New Structure and its Analytical Model for the Electric Field and Breakdown Voltage of SOI High Voltage Device with Variable-k Dielectric Buried Layer, Solid-State Electronics, 2007,51:493-499. [38] Xiaorong Luo, Bo Zhang, Zhaoji Li. A new SOI high voltage device with step thickness sustained voltage layer. Electronics Lett. 2008, 44 (1). 入选Electronics Letters大中华地区“精选特刊”，该特刊从大中华地区于2005-2008年期间在Electronics Letters发表的论文中精选 [39] Luo Xiao-Rong, Luo Yin-Chun, Fan Ye, et al., A low specific on-resistance SOI MOSFET with dual gates and a recessed drain, Chin. Phys. B, 22(2), 027304, 2013. [40]Luo Xiao-Rong, Wang Qi, Yao Guo-Liang, A high voltage silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar（二）发明专利 6项美国授权专利 44项中国授权专利 [1] Xiaorong Luo, Florin Udrea, SOI Lateral MOSFET Devices, US patent, 8,716,794 B2; [2] Xiaorong Luo, Guoliang Yao, Tianfei Lei, et al. Trench-type semiconductor power devices, US patent, 8,890,280 B2[3] Xiaorong Luo, Jiayun Xiong,Chao Yang, et al.ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, US patent, 9,431,527 B1[4] Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Junfeng Wu, et al. A KIND OF POWER TRI-GATE LDMOS, US patent, 9,620,638 B1[5] Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, Kun Zhou, et al. REVERSE CONDUCTING IGBT, US patent, 10,340,373 B2[6] Xiaorong Luo, Fu Peng, Chao Yang, et al. POLARIZATION-DOPED ENHANCEMENT MODE HEMT, US patent, 10,304,931 B2[7] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等，槽型半导体功率器件，专利号：ZL4.2[8] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等, SOI横向MOSFET器件和集成电路，专利号：ZL6.3[9] 罗小蓉,王元刚，姚国亮等，具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，专利号：ZL8.4[10] 罗小蓉,姚国亮，王元刚等，超结结构和超结半导体器件的制造方法，专利号：ZL9.9[11] 罗小蓉,王元刚，姚国亮等，一种槽型纵向半导体器件的制造方法，专利号：ZL0.6[12] 罗小蓉,姚国亮，王元刚等，一种具有高K介质槽的半导体功率器件，专利号：ZL4.9[13] 罗小蓉,周坤，姚国亮等，一种双栅功率MOSFET器件，专利号：ZL7.9[14] 罗小蓉,蒋永恒，蔡金勇等，槽栅半导体功率器件，专利号：ZL5.5[15] 罗小蓉,王沛,蔡金勇等, 一种槽型半导体功率器件的制造方法，专利号：ZL2.6[16] 罗小蓉,王沛,范叶等, 一种槽型半导体功率器件，专利号：ZL4.1[17] 罗小蓉,周坤,范叶等, 纵向功率半导体器件的制造方法，专利号：ZL0.6[18] 罗小蓉,罗尹春,周坤等, 一种SOI基PMOSFET功率器件，专利号：ZL7.2[19] 罗小蓉,罗尹春,范远航等, 一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件，专利号：ZL8.7[20] 罗小蓉,魏杰,罗尹春等, 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，专利号：ZL8.X

---

专业研究方向： 专业名称 研究方向 招生类别
080900电子科学与技术 03微电子学与固体电子学 博士
085400电子信息 03微电子学与固体电子学 博士
080900电子科学与技术 03微电子学与固体电子学 硕士
085400电子信息 05集成电路工程 硕士

---