导师代码： 12156
导师姓名： 钱凌轩
性别： 男
特称：

职称： 副教授
学位： 工学博士学位
属性： 专职
电子邮件： lxqian@uestc.edu.cn

---

学术经历： 2003年、2006年分别获得四川大学学士、硕士学位；2006至2009年，就职于中芯国际（北京），任部门副经理（Deputy Manager）；2010至2014年，就读于香港大学，获电机电子工程专业博士学位；2014年底，加入电子科技大学微电子与固体电子学院。

---

个人简介： 博士，副教授（破格晋升）。长期从事半导体材料与器件领域的研究工作，并具备丰富的微电子产业经验。目前的主要研究方向包括：1）宽禁带半导体Ga2O3基日盲紫外探测器的制备及机理研究；2）高k栅介质在非晶InGaZnO薄膜晶体管中的应用。至今，在IEEE Electron Dev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab.等本领域权威期刊上发表SCI论文14篇，其中一作8篇。长期担任ACS Appl. Mater. Inter.、Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、IEEE Electron Dev. Lett.、IEEE Trans. Electron Dev.等SCI期刊评审，并任国际会议IEEE EDSSC的TPC委员。目前，作为项目第一负责人主持国家自然科学基金、总装预研基金等项目共计4项。

---

科研项目： 1. 非晶InGaZnO基异质结及调制掺杂薄膜晶体管的制备与研究 国家自然科学基金 2016.01-2018.12 24万 主持;2. XXXX敏感特性与微观结构的关系研究XXXX基金2015.10-2017.09 30万 主持;3. 单晶铌酸锂薄膜硅基集成技术研究 中电科创新基金 2015.08-2018.07 520万 主持;4. 基于高k柵介质的非晶InGaZnO薄膜晶体管研究 中央高校基本科研业务费 2015.01-2016.12 14万 主持.

---

研究成果： 【1】L. X. Qian*, Y. Wang, Z.H. Wu, T. Sheng, and X.Z. Liu, β-Ga2O3 solar-blind Deep-Ultraviolet photodetectorbased on annealed sapphire substrate, Vacuum , accepted; 【2】L. X. Qian*, X. Z. Liu, T. Sheng, W. L. Zhang, Y. R. Li, and P. T. Lai, β-Ga2O3 solar-blind deep-ultraviolet photodetector based on a four-terminal structure with or without Zener diodes, AIP Advances, 6, 045009, 2016; 【3】Ling Xuan Qian and Peter T. Lai *, Fluorinated InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric, IEEE Electron Dev. Lett., 35(3), 363-365, 2014; 【4】L.X. Qian, P.T. Lai *, and W.M. Tang, Effects of Ta Incorporation in La2O3 Gate Dielectric of InGaZnO Thin-Film Transistor, Appl. Phys. Lett., 104, 123505, 2014; 【5】L.X. Qian and P.T. Lai *, Improved Performance of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Oxygen, IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(1), 177-181, 2014; 【6】L.X. Qian, X.Z. Liu, C.Y. Han, and P.T. Lai *, Improved Performance of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with Ta2O5 Gate Dielectric by Using La Incorporation, IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(4), 1056-60, 2014; 【7】L.X. Qian * and P.T. Lai, A Study on the Electrical Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Different Gases, Microelectron. Reliab., 54, 2396-2400, 2014; 【8】L.X. Qian, W.M. Tang, and P.T. Lai *, Improved Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor by Using Fluorine Implant, ECS Solid State Lett.; 3(8), P87-P90, 2014.

---

专业研究方向： 专业名称 研究方向 招生类别
080900电子科学与技术 03微电子学与固体电子学 硕士
085400电子信息 05集成电路工程 硕士

---