10月27日，洛桑联邦理工学院（Ecole Polytechnique Federale de Lausanne）和IBM宣布了一项欧盟赞助的研究项目，将研发新的半导体材料，来取代今日普遍使用的耗电严重的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。参与单位还包括欧洲范围内多家知名学术界和企业界研究机构，如英飞凌科技、Global Foundries、CEA-LETI、德国于利希研究中心（FZJ）等。欧盟委员会第七框架计划将负责提供资金。该项目始于2010年6月，为期3年。

该研究项目被称为“Steeper”，主要的目标是消除芯片能源的消耗，因为大部分的芯片在待机状况时能耗是切断电源使用率的10倍。

现今利用MOSFET制造的大多数电子产品，一旦插上插头就像是关不紧的水龙头，即使关机或待机中也会不断消耗电力。 IBM引用欧盟的报告指出，将近有10%的家庭和办公室电力都是浪费在电子产品的待机状态；预计在2020年之前，全球每年消耗在这些关机或待机状态电子产品的总电量，将达到49 TWh之多。

IBM、EPFL将带领其他欧洲业者和研究单位，研究如何以矽、锗化矽和III – V族半导体纳米线，制造出用电效率较高的穿隧式场效电晶体（TFET），作为对MOSFT在CMOS芯片上的一种附加替代办法。设计好的TFET将可以降低整个芯片的功率消耗，并从基本上消除在芯片待机模式下的能量消耗。

编译自：http://www.physorg.com/news/2010-10-european-union-aims-electronic-efficiency.html

检索时间：2010年10月28日