1.出生年月：1959.3
2.民族：蒙古
3.学历：1982年内蒙古师范大学化学系毕业;1994年日本爱知工业大学工学研究科材料化学专业获工学硕士学位；2002年日本大阪大学理学研究科化学专业获理学博士学位。2002-2003年日本科学技术事业团(JST)博士后研究员；2003-2005年日本学术振兴会(JSPS)博士后研究员。
4.职务及兼职情况：教授，硕士生导师，化学与环境科学学院院长，自治区功能材料重点实验室副主任,内蒙古师范大学纳米化学硕士点主任。中国化学会会员，内蒙古化学会常务理事。
5.主讲课程：硕士研究生《纳米材料》，《前沿领域讲座》等课程
6.研究方向：无机材料及无机合成
7.近期主持或参与的科研项目：
（1）主持国家自然科学项目：“介孔二氧化钛/煤系高岭土-氧化铁复合材料的合成及其对水中污染物的吸附性能研究”，（2013-2016）
（2）主持国家自然科学项目：“g-Fe₂O₃纳米粒子的新型制备方法及其性能的研究”，（2009-2011）
（3）主持内蒙古“草原英才”人才工程项目（2010-）
（4）主持自治区自然科学项目：“纳米四氧三化铁新型制备方法及其性能研究”，（2009-2011）
（5）主持内蒙古人才基金项目：“纳米半导体光催化剂的制备研究”，（2008-2010）
（6）参与日本科学技术振兴机构项目：“使用特殊栅极实现最低耗能的系统显示器的研究”，（2005-2010）
8.主要研究：
（1）功能无机纳米材料的研究：
磁性氧化铁如Fe₃O₄和g-Fe₂O₃，在磁记录材料、靶向给药系统、催化、磁流体、生物医学等方面具有广阔的应用前景。因此其制备方法已成为材料科学领域的研究热点之一。虽然人们研究和开发了不少合成这些氧化铁纳米粒子的方法，但还不能满足新的需求。尤其是应用于生物医学领域的磁性氧化铁纳米粒子需要比较苛刻的特性，包括低毒性、良好的磁性、颗粒大小分布均匀、表面容易被修饰、良好的溶解性能等。最近我们课题组发现了一种直接从铁的尿素配合物制备Fe₃O₄和g-Fe₂O₃纳米粒子的简单方法。二氧化钛（TiO₂）也是一个用途最广泛的功能材料；它是一个典型的光催化剂，因此人们对它的光催化性能进行了广泛的研究。而我们研究的是它对水中污染物的吸附性能，首次发现介孔TiO₂对偶氮染料、氟离子、重金属有较强的吸附能力。
（2）半导体材料、半导体器件的研究
硅基晶体管绝缘膜(SiO₂)的制备技术已成为制约大规模集成电路进一步发展的关键技术。我们课题组用化学氧化法首先在硅晶片表面上成功地制备了1-2纳米的优质SiO₂超薄膜，为解决大规模集成电路的难题打开了局面。不久又成功于厚度超过10纳米SiO₂薄膜的制备。在这基础上把该方法推广到硅以外的半导体材料上;已经在SiC晶片表面上成功地制备了尺寸可控的SiO₂薄膜。
9．科研成果：
1）主要论文
(1)“SynthesisandthermaldecompositionofCr-ureacomplex”
M.L.Bai,S.Zhao,S.Asuha
JournalofThermalAnalysisandCalorimetry,2014,115:255-258（SCI收录）
(2)“EfficientremovalofCongoredbymagneticallyseparablemesoporousTiO₂modifiedwithg-Fe₂O₃”
M.Yu,S.Zhao,H.Wu,S.Asuha^*
JournalofPorousMaterials,2013,20:1353-1360（SCI收录）
(3)“Water-soluble,mesoporousFe₃O₄:synthesis,characterization,andproperties”
S.Asuha^*,H.L.Wan,S.Zhao,W.Deligeer,H.Y.Wu,L.Song,O.Tegus
CeramicsInternational,2012,38:6579-6584.(SCI收录)
(4)“Synthesisofmesoporousmaghemitewithhighsurfaceareaanditsadsorptiveproperties”
S.Asuha^*,Y.M.Zhao,S.Zhao,W.Deligeer
SolidStateSciences,2012,14:833-839.(SCI收录)
(5)“PorousstructureandCr(VI)removalabilitiesofFe₃O₄preparedfromFe-ureacomplex”
S.Asuha^*,B.Suyala,S.Zhao
MaterialsChemistryandPhysics,2011,129:483-487.(SCI收录)
(6)“DirectsynthesisofFe₃O₄nanopowderbythermaldecompositionofFe-ureacomplexanditsproperties”
S.Asuha^*,B.Suyala,X.Siqintana,S.Zhao
JournalofAlloysandCompounds,2011,509:2870-2873.(SCI收录)
(7)“Adsorptionofmethylorangeonmesoporousg-Fe₂O₃/SiO₂nanocomposites”
W.Deligeer,Y.W.Gao,S.Asuha^*
AppliedSurfaceScience,2011,257:3524–3528.(SCI收录)
(8)“Adsorptiveremovalofmethylorangeusingmesoporousmaghemite”
S.Asuha^*,Y.W.Gao,W.Deligeer,M.Yu,B.SuyalaandS.Zhao
JournalofPorousMaterials,2011,18(5):581-587.(SCI收录)
(9)“AdsorptionofmethylorangeandCr(VI)onmesoporousTiO₂preparedbyhydrothermalmethod”
S.Asuha^*,X.G.Zhou,S.Zhao
JournalofHazardousMaterials,2010,181:204-210.(SCI收录)
(10)“One-potsynthesisofmagnetitenanopowderandtheirmagneticproperties”
S.Zhao,S.Asuha^*,
PowderTechnology,2010,197:295-297.(SCI收录)
(11)“介孔TiO₂的合成及其对氟离子的吸附性能研究”
周新革，赵斯琴，长山
功能材料,2010,41，476-480.(EI收录)
(12)“EffectsofsyntheticroutesofFe-ureacomplexonthesynthesisofg-Fe₂O₃nanopowder”
S.Asuha^*,S.Zhao,X.H.Jin,M.M.Hai,H.P.Bao
AppliedSurfaceScience,2009,255:8897-8901.(SCI收录)
(13)“LowtemperatureformationofSiO₂thinfilmsbynitricacidoxidationofSi(NAOS)andapplicationtothinfilmtransistor(TFT)”
T.Matsumoto,Asuha,W.-B.Kim,M.Yamada,S.Imai,S.Terakawa,H.Kobayashi
MicroelectronicEngineering,2009,86:1939-1941.(SCI收录)
(14)“OnestepsynthesisofmaghemitenanoparticlesbydirectthermaldecompositionofFe-ureacomplexandtheirproperties”
S.Asuha^*,S.Zhao,H.Y.Wu,L.Song,O.Tegus
JournalofAlloysandCompounds,2009,472:L23-L25.(SCI收录)
(15)“Preparationofg-Fe₂O₃NanopowdersbyDirectThermalDecompositionofFe-UreaComplex:ReactionMechanismandMagneticProperties”
S.Zhao,H.Y.Wu,L.Song,O.Tegus,S.Asuha^*
JournalofMaterialsScience,2009,44:926-930.(SCI收录)
(16)“UltrathinSiO₂layeronatomicallyflatSi(111)surfaceswithexcellentelectricalcharacteristicsformedbynitricacidoxidationmethod”
Woo-ByoungKim,Asuha,TaketoshiMatsumoto,HikaruKobayashi
AppliedPhysicsLetters,2008,93:072101.(SCI收录)
(17)“PropertiesofthickSiO₂/Sistructureformedat120°Cbyuseoftwo-stepnitricacidoxidationmethod”
S.Imai,S.Mizushima,Asuha,W.–B.Kim,H.Kobayashi
Appliedsurfacescience,2008,254:8054-8058.(SCI收录)
(18)“NitricacidmethodforfabricationofgateoxidesinTFT”
ShigeakiMizushima,ShigekiImai,Asuha,MasatoTanaka,HikaruKobayashi
Appliedsurfacescience,2008,254:3685-3689.(SCI收录)
(19)“Formationof10–30nmSiO₂/Sistructurewithauniformthicknessat120°Cbynitricacidoxidationmethod”
Asuha,Sung-SoonIm,MasatoTanaka,ShigekiImai,MasaoTakahashi,HikaruKobayashi
SurfaceScience,2006,600:2523-2527,(SCI收录)
(20)“FormationofatomicallysmoothSiO₂/SiCinterfacesat~120°Cbyuseofnitricacidoxidationmethod”
S.Imai,M.Fujimoto,Asuha,M.Takahashi,H.Kobayashi
SurfaceScience,2006,600:547-550.(SCI收录)
(21)“Nitricacidoxidationofsiliconat~120°Ctoform3.5-nmSiO₂/Sistructurewithgoodelectricalcharacteristics”
Asuha,S.Imai,M.Takahashi,andH.Kobayashi
AppliedPhysicsLetters,2004,85:3783-3785.(SCI收录)
(22)“PostoxidationAnnealingTreatmentstoImproveSi/UltrathinSiO₂CharacteristicsFormedbyNitricAcidOxidation”
Asuha,Yueh-LingLiu,OsamuMaida,MasaoTakahashi,andHikaruKobayashi
JournaloftheElectrochemicalSociety,2004,151(12):G824-G828.(SCI收录)
(23)“NitricacidoxidationofSitoformultrathinsilicondioxidelayerswithalowleakagecurrentdensity”
H.Kobayashi,Asuha,O.Maida,M.Takahashi,andH.Iwasa
JournalofAppliedPhysics,2003,94:7328-7335.(SCI收录)
(24)“SpectroscopicandelectricalpropertiesofultrathinSiO₂layersformedwithnitricacid”
Asuha,T.Kobayashi,M.Takahashi,H.Iwasa,H.Kobayashi
SurfaceScience,2003,547:275-283.(SCI收录)
(25)“Ultrathinsiliconoxynitrideformedbylow-energyelectronimpactplasmanitridationandchemicaloxidationmethods”
M.Takahashi,M.Tamura,Asuha,T.Kobayashi,H.Kobayashi
JournalofAppliedPhysics,2003,94:726-731.(SCI收录)
(26)“UltrathinsilicondioxidelayerswithalowleakagecurrentdensityformedbychemicaloxidationofSi”
Asuha,T.Kobayashi,O.Maida,M.Inoue,M.Takahashi,Y.Todokoro,andH.Kobayashi
AppliedPhysicsLetters,2002,81:3410-3412.(SCI收录)
(27)“Effectsofpost-metallizationannealingonultrathinSiO₂layerproperties”
Asuha,T.Yuasa,O.Maida,andH.Kobayashi
AppliedPhysicsLetters,2002,80:4175-4177.(SCI收录)
(28)“AdecreaseintheleakagecurrentdensityofSi-based
metal-oxide-semiconductordiodesbycyanidetreatment”
Asano,Asuha,O.Maida,Y.Todokoro,andH.Kobayashi
AppliedPhysicsLetters,2002,80:4552-4554.(SCI收录)
(29)“ReductioninleakagecurrentdensityofSi-based
metal-oxide-semiconductorstructurebyuseofcatalyticactivityofaplatinumoverlayer”
T.Yuasa,Asuha,K.Yoneda,Y.Todokoro,andH.Kobayashi
AppliedPhysicsLetters,2000,77:4031-4033.(SCI收录)
(30)“Preparationofg-Fe₂O₃-containingsilicaglassesbythesol-gelprocess”
M.Nogami,Asuha
JournalofMaterialsScienceLetters,1993,12:1705-1707.(SCI收录)
2）授权专利
(1)“一种强磁性γ-Fe₂O₃粉末的制备方法”
长山，赵斯琴，国家发明专利，2009年获得，专利号:ZL**0.6
(2)“一种纳米Fe₃O₄粉末的制备方法”
长山，赵斯琴，国家发明专利，2010年获得，专利号:ZL**4.1
3）获奖
(1)2013年获内蒙古师范大学第十一届科研成果一等奖
(2)2010年内蒙古“草原英才”人才工程入选
(3)2010年内蒙古师范大学“十百千”人才工程第二层次入选
(4)2011年获内蒙古师范大学第十届科研成果一等奖
(5)2009年被评为内蒙古师范大学2007-2008年度“三育人”先进个人
(6)1989年获内蒙古自治区优秀论文二等奖
10．e-mail:asuha@imnu.edu.cn