| 李冰冰,张贺秋,刘旭阳,刘俊,薛东阳,梁红伟,夏晓川.Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响[J].,2020,60(2):137-141 |
| Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响 |
| Effect of Ti and Al ratio and annealing temperatures on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMT |
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| DOI：10.7511/dllgxb202002004 |
| 中文关键词:高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率 |
| 英文关键词:high electron mobility transistorohmic contactannealingspecific contact resistance ratio |
| 基金项目:国家自然科学基金资助项目(ZX0180421,ZX20160406,11975257);大连市科技计划资助项目(ZX20180681). |
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| 中文摘要: |
| 利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20nm/40nm)、1∶5(20nm/100nm)和1∶8(20nm/160nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaNHEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800 ℃,Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触. |
| 英文摘要: |
| The AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) ohmic contact of Ti/Al metal bilayer structure is prepared by thermal evaporation method. The Ti and Al ratios are 1∶2 (20 nm/40 nm), 1∶5 (20 nm/100 nm) and 1∶8 (20 nm/160 nm), respectively. The AlGaN/GaN HEMT structures with different Ti and Al ratios are annealed using the same annealing time and different annealing temperatures. The electrode structure is analyzed by XRD, and the surface morphology of the electrode is observed by metallographic microscope. The experimental results show that under the same annealing time, the AlGaN/GaN HEMT structure with an annealing temperature of 800 ℃ and a Ti and Al ratio of 1∶5 forms a good ohmic contact. |
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