林国强
院系: 物理与光电工程学院
办公电话: 4708380-8301
电子信箱: gqlin@dlut.edu.cn
更新时间: 2008-6-25
其他专业: 等离子体物理
个人简介
学习简历:
2001年9月-2008年2月,大连理工大学材料科学与工程学院,获工学博士学位;
1985年9月-1988年7月,大连理工大学材料科学与工程系,获工学硕士学位;
1981年9月-1985年7月,大连工学院材料科学与工程系,获工学学士学位。
工作简历:
2006年5月-今,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,教授,博士生导师;
1997年10月--2006年5月,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,副教授;
1996年12月-1997年10月,黑龙江电力科学研究院,高级工程师;
1988年9月-1996年12月,黑龙江电力科学研究院,工程师。
社会兼职
中国材料研究学会、机械工程学会、真空学会会员;
《金属学报》、《真空科学与技术》审稿人。
研究领域(研究课题)
薄膜科学与技术;
等离子体基薄膜制备原理与工艺。
硕博研究方向
1、结构与组元复合的超硬涂层多尺度设计及其沉积工艺,国家高技术研究发展计划(863)项目;
2、脉冲偏压离子镀的工艺基础,国家自然科学基金、国家高技术研究发展计划(863)项目;
3、质子交换膜燃料电池金属双极板镀膜改性,国家高技术研究发展计划(863)项目;
4、绝缘介质功能薄膜的脉冲合成机理及其制备技术。
出版著作和论文
[1]Guoqiang Lin, Zhenfeng Ding, Dong Qi, Chuang Dong*, Lishi Wen .Plasma load characteristics of pulsed-bias arc ion plating.J.Vac.Sci.Technol.,A,Vol.21,No.5,Sep/Oct (2003)1675-1679.
[2]Lin Guoqiang,Zhao YH,Guo HM,Wang DZ,Dong C*,Wen, LS. Experiments and theoretical explanation of droplet elimination phenomenon in pulsed-bias arc deposition. J.Vac.Sci.Technol.,A,22 (4): 1218-1222 Jul/Aug 2004.
[3]Lin Guoqiang, Bai Xiao, Zhao Yanhui,Dong Chuang*,Wen Lisi. Substrate Temperature Calculation for Pulsed Bias Arc Ion Plating. Surface and coatings technology,194(2005) 325-329.
[4]Guoqiang Lin, Zhenfeng Ding, Dong Qi,Dezhen Wang, Younian Wang, Chuang Dong*,Lishi Wen. Fundamental problems in pulsed-bias arc deposition. Acta Metallurgica Sinica (English Letters) Vol.15(1), 2002, p91-03.
[5]Zhao Yanhui,Lin Guoqiang*, Dong Chuang,Wen Lisi. Experimental Verification of the Physical Model for Droplet-Particles Cleaning in Pulsed Bias Arc Ion Plating. J.Mater.Sic.Technol., Vol.21 No.3,2005.423-426.
[6]Meidong Huang, Guoqiang Lin,Yanhui Zhao, Lishi Wen ,Chuang Dong*.Macro-Particle reduction mechanism in biased arc ion plating of TiN. Surf.Coat.Technol., 176(2003)109-114.
[7]Liu chenglong, Lin guoqiang, Yang dazhi, Qi min. In vitro corrosion behavior of multilayered Ti/TiN coating on biomedical AISI 316L stainless steel. Surface and coatings technology200(2006)4011-4016.
[8]林国强. 电弧离子镀硬质梯度薄膜技术. 真空科学与技术,2002(3)P224-227.
[9]赵彦辉,林国强*, 李晓娜,董闯,闻立时.脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响.金属学报, 2005,Vol41.No.10,p1106-1110.
[10]郭慧梅,林国强*,盛明裕,王德真,董闯,闻立时.大颗粒在等离子体鞘层中的受力分析与计算.金属学报,2004年10月,第40卷第10期P1064-1068.
工作成果(奖励、专利等)
获省部级二等奖1项:
1.辽宁省技术发明奖二等奖,电弧离子镀氮化钛铌超硬薄膜与超硬梯度薄膜,2005年.
获授权国家发明专利2项;
1.用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法, ZL00108514.X ;
2.用电弧离子镀沉积氮化钛铌超硬质梯度薄膜的方法,ZL00108513.1。
申请国家发明专利3项:
1.脉冲偏压电弧离子镀钛/氮化钛纳米多层超硬薄膜的方法,申请号**96。
2.一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰膜的设备和方法,申请号**0.5。
3.质子交换膜燃料电池不锈钢双极板离子镀膜改性方法,申请号**7.7。
在读学生人数
8
毕业学生人数
18
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