姜大川
院系：材料科学与工程学院
办公电话：
电子信箱：cipjjs@126.com
更新时间：2015-3-23
其他专业：无



个人简介
工作经历：
2014.06－至今 大连理工大学 材料科学与工程学院 讲师
2012.06－2014.06 大连理工大学 化学工程与技术博士后流动站 师资博士后

教育经历：
2006.09—2012.06 大连理工大学 材料科学与工程学院 博士
2002.09—2006.06 大连理工大学 材料科学与工程学院 学士

研究领域（研究课题）
电子束熔炼制备太阳能级多晶硅技术的研究
多晶硅定向提纯技术的研究

硕博研究方向
太阳能级多晶硅冶金制造；
太阳能级多晶硅材料再生制造；

出版著作和论文
发表的部分代表性论文：
1.Dachuan Jiang, Shiqiang Ren, Shuang Shi, Wei Dong, Jieshan Qiu, Yi Tan, Jiayan Li: Phosphorus removal from silicon by vacuum refining and directional solidification, Journal of Electronic Materials, 48 (2) (2014) 314-319.
2.Jiayan Li, Lei Zhang, Yi Tan, Dachuan Jiang, Dengke Wang, Yaqiong Li: Research of boron removal from polysilicon using CaO-Al2O3-SiO2-CaF2 slags, Vacuum, 103 (2014) 33-37.
3.H. M. Noor ul Huda Khan Asghar, Yi Tan, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Shiqiang Qin, Jiao Liao, Shutao Wen, Wei Dong, Yao Liu: Removal of oxygen from silicon by electron beam melting, Applied Physics A, 115(3) (2014) 753-757.
4.Yi Tan, Shiqiang Ren, Shuang Shi, Shutao Wen, Dachuan Jiang, Wei Dong, Ming Ji, Shihai Sun: Removal of aluminum and calcium in multicrystalline silicon by vacuum induction melting and directional solidification, Vacuum, 99 (2014) 272-276.
5.Yi Tan, Shiqiang Qin, Shutao Wen, Jiayan Li, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Dayu Pang: New method of boron removal from silicon by electron beam injection, Materials Science in Semiconductor Processing, 18 (2014) 42-45.
6.Dachuan Jiang, Shuang Shi, Yi Tan, Dayu Pang, Wei Dong: Research on distribution of aluminum in electron beam melted silicon ingot, Vacuum, 96 (2013) 27-31.
7.Yi Tan, Shuang Shi, Xiaoliang Guo, Dachuan Jiang, Wei Dong, Shiqiang Ren: Effect of cooling rate on solidification of electron beam melted silicon ingots, Vacuum, 89 (2013) 12-16.
8.Yi Tan, Shutao Wen, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Wei Dong, Xiaoliang Guo: Numerical simulation for parameter optimization of silicon purification by electron beam melting, Vacuum, 95 (2013) 18-24.
9.Shuang Shi, Wei Dong, Xu Peng, Dachuan Jiang, Yi Tan: Evaporation and removal mechanism of phosphorus from the surface of silicon melt during electron beam melting, Applied Surface Science, 266(3) (2013) 344-349.
10.Shutao Wen, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Dachuan Jiang, Jiao Liao, Zhi Zhu: Thermal contact resistance between the surfaces of silicon and copper crucible during electron beam melting, International Journal of Thermal Sciences, 74 (2013) 37-43.
11.Yi Tan, Xiaoliang Guo, Shuang Shi, Wei Dong, Dachuan Jiang: Study on the removal process of phosphorus from silicon by electron beam melting, Vacuum, 93 (2013) 65-70.
12.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Ruixun Zou: Removal of phosphorus in molten silicon by electron beam candle melting, Materials Letters, 78 (2012) 4-7.
13.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Xiaoliang Guo: Evaporated metal aluminium and calcium removal from directionally solidified silicon for solar cell by electron beam candle melting, Vacuum, 86(10) (2012) 1417-1422.
14.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Qiang Xu, Wei Dong, Zheng Gu, Ruixun Zou: Research on a new method of Electron Beam Candle Melting Used for the Removal of P from Molten Si, Materials Research Innovations, 15(6) (2011) 406-409.
15.Xu Peng, Wei Dong, Yi Tan, Dachuan Jiang: Removal of Aluminum from Metallurgical Grade Silicon by an Electron Beam Melting, Vacuum, 86(4) (2011) 471-475.
16.Qiang Wang, Wei Dong, Yi Tan, Dachuan Jiang, Cong Zhang, Xu Peng: Impurities evaporation from metallurgical-grade silicon in electron beam melting process, RARE METALS, 30(3) (2011) 274-277.

工作成果（奖励、专利等）
项目：
1.国家自然科学基金青年基金“多晶硅定向凝固反向诱导泉涌效应的研究”课题负责人
2.中国博士后科学基金“多晶硅定向提纯反向诱导泉涌技术的研究”课题负责人
3.国家科技支撑计划项目“冶金法制备太阳能级多晶硅关键技术研究及工业示范”课题参与人
4.国家自然科学基金联合项目“冶金法制备太阳能级多晶硅中的真空精炼研究”课题参与人
5.国家自然科学基金项目“电子束注入对多晶硅Si/SiO2界面处杂质硼迁移的影响研究”课题参与人

奖励：
1.2013年12月 辽宁省科学技术发明奖二等奖 电子束制备太阳能级多晶硅材料的技术及应用
2.2012年11月 大连市科学技术发明奖一等奖 电子束制备太阳能级多晶硅材料的技术及应用

专利：
1.李鹏廷, 姜大川, 李佳艳, 任世强, 谭毅, 石爽. 一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺, 申请号: CN**0.5
2.谭毅, 李鹏廷, 任世强, 石爽, 姜大川. 一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺, 申请号: CN**5.5
3.姜大川, 任世强, 石爽, 谭毅, 邱介山. 高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备, 申请号: CN**7.4
4.姜大川, 任世强, 石爽, 李鹏廷, 谭毅. 一种多晶硅快速凝固方法, 申请号: CN**3.8
5.谭毅, 姜大川, 石爽, 任世强. 多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备, 申请号: CN**7.1
6.谭毅, 姜大川, 石爽, 温书涛, 邹瑞洵. 一种电子束熔炼用坩埚的辐射拦截装置, 申请号: CN**6.X
7.谭毅, 任世强, 石爽, 姜大川, 李鹏廷. 一种多晶硅逆向凝固装置及方法, 申请号: CN**5.7
8.李佳艳, 谭毅, 李亚琼, 姜大川, 王登科, 张磊. 多晶硅介质熔炼时除硼的造渣剂及其使用方法, 申请号: CN**7.5
9.谭毅, 李佳艳, 王登科, 张磊, 姜大川, 李亚琼. 一种多晶硅介质熔炼时除硼的造渣剂及其使用方法, 申请号: CN**6.0
10.谭毅, 石爽, 任世强, 姜大川. 多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及分离设备, 申请号: CN**6.7
11.谭毅, 李佳艳, 张磊, 李亚琼, 王登科, 姜大川. 一种多晶硅介质熔炼用造渣剂及其使用方法, 申请号: CN**0.1
12.谭毅, 姜大川, 石爽, 廖娇, 石小磊. 一种电子束熔炼制备钨电极材料的方法, 申请号: CN**5.4
13.谭毅, 姜大川, 石爽, 郭校亮. 一种电子束诱导定向凝固除杂的方法, 申请号: CN**1.3
14.谭毅, 石爽, 游小刚, 姜大川, 石小磊. 一种稀土钨电极材料的制备方法, 申请号: CN**4.X
15.谭毅, 刘应宽, 盛之林, 李佳艳, 石爽, 刘振远, 董伟, 姜大川. 一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备, 申请号: CN**7.1
16.谭毅, 姜大川, 董伟, 郭校亮, 顾正, 庞大宇, 石爽. 真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法及设备, 专利号: ZL**2.9
17.谭毅, 姜大川, 董伟, 顾正, 彭旭. 一种去除工业硅中硼的方法, 专利号: ZL**1.1
18.谭毅, 姜大川, 邹瑞洵, 董伟. 采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法, 专利号: ZL**5.9
19.谭毅, 邹瑞洵, 顾正, 董伟, 姜大川. 一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法, 专利号: ZL**5.1
20.谭毅, 董伟, 姜大川, 李国斌. 局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置, 专利号: ZL**8.6
21.谭毅, 董伟, 李国斌, 姜大川. 连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置, 专利号: ZL**9.0
22.谭毅, 姜大川, 李国斌, 许富民, 刘艳娇, 胡祖麒. 一种化学冶金提纯多晶硅的方法, 专利号: ZL**6.0
23.谭毅, 李国斌, 姜大川, 张聪. 一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置, 专利号: ZL**9.6
24.谭毅, 李国斌, 姜大川, 许富民, 王强. 去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置, 专利号: ZL**1.8