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在报告中,韩宇详细介绍了其研究团队开发的一种最新的低剂量高分辨透射电镜成像技术,对电子束敏感材料进行原子级高分辨透射电镜成像和分析。他以Uio-66、MIL-101、NU-1000、ZIF-8等MOF材料为实例,讲解了这种成像和分析技术在研究电子束敏感材料的微观结构、结构缺陷、客体分子、表界面微观原子排布等方面的强大优势;通过Mo/ZSM-5实例,描述了这种技术在研究分子筛孔道中客体分子分布的潜在可能。报告后,韩宇和与会人员进行了热烈讨论,对提出的问题一一做了详尽的解答,为以后的交流与合作奠定了良好的基础。(文/刘晓娜、马超 图/田鹏)