扬州大学物理科学与技术学院导师介绍：曾祥华(2)
2013-09-07

　　
　　[12] 高亮度、大功率半导体照明技术开发，扬州华夏集成光电有限公司，2009.2-2011.12，50万元，负责人：曾祥华.
　　
　　[13] 江苏省企业研究生工作站-扬州华夏集成光电有限公司，江苏省教育厅，3万元，2010年，负责人：曾祥华.
　　
　　[14] 江苏省企业研究生工作站-江苏中显集团有限公司，江苏省科技厅/教育厅，2012年，负责人：曾祥华.
　　
　　[15] 江苏省企业研究生工作站-扬州扬杰电子科技股份有限公司，江苏省科技厅/教育厅，2012年，负责人：孟祥东/曾祥华.
　　
　　[16] 江苏省企业研究生工作站-扬州光电产品检测中心，江苏省科技厅/教育厅，2012年，负责人：曾祥华.
　　
　　2、专利技术
　　
　　1）曾祥华，张俊兵，ZL 2008 20039405.6[2009-07-01] “树形GaN基LED芯片电极”.
　　
　　2）曾祥华，张俊兵，ZL 2008 20039406.0[2009-06-17]，“旋转形GaN基LED芯片电极”.
　　
　　3）曾祥华，张俊兵，ZL 2008 20039407.5 [2009-07-29]，“中心环绕形GaN基LED芯片电极”.
　　
　　4）孟祥东，曾祥华，陈小兵，ZL 2010 2 0559163.0,用于氧化物半导体薄膜生长的水汽外延装置.
　　
　　3、主要论文
　　
　　（*为通讯作者）
　　
　　1） J,F. Lu, X. H. Zeng *, H.F. Liu, W. Zhang, Y. Zhang, J.Y Cui, Effects of Au catalysts for synthesis of ZnS microstructures on the sapphire substrate，Materials Letters 93 (2013） 337–340，dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2012.11.120。
　　
　　2） W. Zhang, X.H. Zeng*, H.F Liu, J.F Lu, Synthesis and investigation of blue and green emissions of ZnS ceramics, Journal of Luminescence 134 (2013） 498–503.
　　
　　3） X.Y. Song, X. H. Zeng *, J.B. Zhang, Y.Z. Jin, X.D. Meng, Optoelectronic Properties of GaN-Based Light-Emitting Diodes with different Mesa Structures, Materials Sciences and Applications, 3(2012） 838-842，doi:10.4236/msa.2012.312122 .
　　
　　4） J,F. Lu, X.H. Zeng*, H.F.Liu,W.Zhang, Y. Zhang, Preparation and Photoluminescence of (3C-ZnS）/(2H-ZnS） Superlattice in Mn -doped ZnS Nanoribbons, J. Phys. Chem. C 116(2012） 23013-23018.
　　
　　5） J.F Lu, X.H. Zeng*, H.F Liu, W. Zhang, Y. Zhang, Controlled growth and photoluminescence of one-dimensional and platelike ZnS nanostructures, Applied Surface Science, 258 (2012） 8538–8541.
　　
　　6） H.T Chen,Y.P Hu, X.H. Zeng*, Mechanism in ZnS nanostructures，Journal of Materials Science，46 (2011）2715-2719.
　　
　　7） X. H. Zeng*, NianQing Jin, YuYong Teng, ShiYing Li,Oscillatory behavior of rare-gas atoms in SWCNT, J. Phys. Chem. B 110(2006） 17329-17333.
　　
　　8） Lei Cui, J. Zhao, Y. J. Hu, Y. Y. Teng, and X. H. Zeng*，Effect of different laser polarization direction on high order harmonic generation of N2 and H2，Appl. Phys. Lett. 89( 2006） 211103，。
　　
　　9） S.Y. Li, X.H. Zeng*, N.Q. Jin, H.Y. Zhang, X. Zhang,The dynamics simulation of Ne atom injected into single-wall carbon nanotube, Phys. Lett. A, 372(2008） 1303-1307.
　　
　　10）Y.Y Teng, Xianghua Zeng*, et al., Melting and Glass Transition for Ni Clusters, J. Phys. Chem. B 111( 2007） 2309-2312. （它引12次）
　　
　　11）陈宝,孟祥东,施志明,曾祥华,陈小兵, Li,Cu掺杂ZnO薄膜的发光性质, 发光学报，32( 2011）245-250.
　　
　　12）董雅娟，张俊兵，陈海涛，曾祥华*, Performance of power omnidirectimal reflector LED，物理学报，60(2011）077803.
　　
　　13）雷亮，曾祥华*，范玉佩, 张勇，GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化, 光电子.激光, 22, No9(2011）1326-1331.
　　
　　14）董雅娟，张俊兵，林岳明，金豫浙，王书昶，曾祥华*,GaN基不同电极形状的LED性能比较，半导体技术，36(3）(2011）177-181.
　　
　　15）金豫浙,胡益培,曾祥华*, 杨义军，GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应，物理学报，59(2010）1258-1262.
　　
　　16）张俊兵，林岳明，范玉佩，王书昶，曾祥华*, 图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制，光电子•激光，21(2010）359-362.
　　
　　17）宋雪云，张俊兵，曾祥华*, 董雅娟,电极形状对GaN基LED芯片性能的影响, 物理学报，5(2010）587-593.
　　
　　18）王书昶, 林岳明, 李伙全, 刘剑霜, 张俊兵, 金豫浙, 曾祥华*, 用于高亮LED 的Si 键合研究，半导体技术，35（5）(2010）436-239.
　　
　　19）崔磊，王小娟，王 帆，曾祥华，脉冲激光偏振方向对氧分子高次谐波的影响-基于含时密度泛函理论的模拟，物理学报，59（2010）0317-05。
　　
　　20）李建华，曾祥华*，季正华，胡益培，陈宝，范玉佩;Electronic structure and optical properties of Ag-doping and Zn vacancy impurities in ZnS，物理学报, 60 (2011） 057101 1-7。
　　
　　21）张勇，曾祥华*，孟祥东，花状纳米结构ZnS:Cu的制备与光学性质研究，电子元件与材料，30（2011）No.12,30-33.
　　
　　22）季正华，曾祥华*，岑洁萍，谭明秋，ZnSe相变、电子结构的第一性原理计算，物理学报，59，2010，1219-1224。
　　
　　23）周翔，张萱，刘爱芬, 曾祥华*, FC(O）O2 的结构及其自由基与NO反应的微观机理研究, 物理学报，第59卷第7期2010年，726-732。
　　
　　24）崔磊,王小娟,王帆,曾祥华*,脉冲激光偏振方向对氧分子高次谐波的影响—基于含时密度泛函理论的模拟, 物理学报，第59卷第7期2010年，318-320。
　　
　　25）刘海平,曾祥华*,胡永金，张萱，高压下钒的结构相变研究，原子核评论，26，2009，59-62.
　　
　　26）赵江，崔磊，曾祥华*，徐秀莲，FC（O）O自由基与NO反应机理的理论研究，物理学报，57(2008）7349-7353。
　　
　　27）张萱,曾祥华*,夏炜炜,胡永金,刘海平，Sr2YRuO6有序双钙钛矿结构及其Mott绝缘体的研究，中国稀土学报，25(2007）20-23.
　　
　　28）胡永金,崔磊,赵江,滕玉永,曾祥华*，谭明秋，高压下ZnS的电子结构和性质，物理学报，Vol.56(2007）4079, No.7.
　　
　　29）金年庆，滕玉永，顾斌，曾祥华*，稀有气体原子注入缺陷性纳米碳管的分子动力学模拟，物理学报，56，56(2007）1494.
　　
　　30）金年庆，张海燕，李世影，曾祥华*，稀有气体原子在纳米碳管中的周期性振荡，物理学报，56（2007）384.

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