【硕士生导师简介】

姓 名
刘波


性 别
男

出生年月
1973.8

学 历
博士研究生

职 称
教授

职 务
纳米光电材料与微结构研究中心主任

电 话
**

电子邮箱
liubo@mail.usts.edu.cn

【个人简介】

刘波，博士，二级研究员，博士研究生导师，国家纳米重大科学研究计划（973）项目“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”（2010CB934300）首席科学家，齐鲁工业大学客座教授，“九三学社”社员。入选国家重点研发计划重点专项评审（“纳米科技”领域）核心专家库。2005和2009年先后被评为副研究员和研究员。负责人过国家纳米重大科学研究计划（973）项目、国家863计划重点项目子课题、国家863计划目标导向类项目等科研项目19项，参加过国家集成电路重大专项、国家纳米重大科学研究计划、国家863、国家973等科研项目25项。在国内首次研究了硫系化合物相变薄膜的激光致相变特性，系统研究了高密度可擦重写相变光盘的制备工艺，在我国率先开展相变存储器（PCRAM）的研究工作，在新型相变材料、电极材料、器件单项工艺开发及其集成方面获得多项国内领先的科研成果，研制出的4Kb打印机用PCRAM芯片产品已获得1600万颗试用订单。已在ACS AMI、Carbon等期刊发表论文310篇（SCI论文223篇），论文被引用3700次，H因子为30。申请发明专利134项（其中授权中国发明专利119项，授权美国发明专利5项）。参与了《Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications》、《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等五部著作的编写工作。指导研究生36名（博士17名、硕士19名）。先后荣获上海市技术发明二等奖、首届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖、中国电子学会技术发明三等奖等科技奖励，获得江苏省双创人才（高校创新类）、江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）、中国科学院青年创新促进会会员、首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖、上海市青年科技启明星跟踪、上海市青年科技启明星等荣誉，入选上海市青年科技启明星二十周年典型宣传案例画册（1419名启明星中选拔30人）和中国博士后30年-上海市优秀博士后代表宣传画册。中国物理学会固体缺陷委员会委员、中国物理学会会员、中国电子学会高级会员、苏州科技大学学术委员会委员。作为组委会主任或大会秘书长，组织过一次国内学术会议和三次国际存储学术会议，新华社、人民网、文汇报、科技日报等媒体对会议进行了专门报道，反响巨大。国家重点研发计划项目会评和教育部“****”函评专家。

【研究领域】

纳米光电材料与器件：信息存储材料与器件、新能源材料与器件、传感器材料与器件。

【项目与获奖】

（一）、承担的科研项目
1. 江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象资助科研项目，Cr掺杂SbTe光电混合存储材料及其超快相变机理研究，2021.1-2022.12，30万
2. 江苏省双创人才资助项目，新型相变材料及其在存算一体化芯片中的应用，2020.9-2023.8，50万
3. 苏州市重点实验室项目，苏州市微纳光电材料与传感器重点实验室（SZS201812），2018.7-2021.6，60万
4. 苏州科技大学高层次人才引进科研启动经费，2017.7-2022.6，1000万
5. 中国科学院青年创新促进会资助项目（**），2012.1-2015.12，40万
6. 国家纳米重大科学研究计划（973）项目，“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”（2010CB934300），2010.1-2014.8，2912万（项目首席科学家）
7. 上海市青年科技启明星跟踪项目，PCRAM相变材料刻蚀与抛光工艺及机理研究（09QH**），2009.7-2011.6，20万
8. 国家863重点项目子课题，“相变随机存储器存储材料及关键技术”（2008AA031402），2008.12-2010.12，1035.2万
9. 国家863计划目标导向类项目，“C-RAM芯片关键技术研究”（2006AA03Z360），2006. 12-2008. 12，300万
10. 上海市科委“登山行动计划”项目研发基地配套专项项目，“高密度C-RAM纳米加工工艺研究”（06DZ22017），2006. 10-2008. 9，90万
11. 上海市科学技术发展基金基础计划处重点项目，“硫系化合物相变材料的P/N型特性研究”（05JC14076），2005. 10-2007. 9，30万
12. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项， “纳电子器件C-RAM关键材料制备工艺”（0352nm016），2003. 10-2005. 9，40万
（二）、获奖成果
1. 2020年9月，荣获江苏省双创人才（高校创新类）
2. 2019年10月，第一届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖
3. 2019年1月，上海市技术发明二等奖
4. 2018年6月，入选江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）
5. 2017年11月，中国电子学会技术发明三等奖
6. 2015年7月，入选中国博士后30年-上海市优秀博士后代表宣传画册
7. 2011年12月，入选上海市青年科技启明星二十周年典型宣传案例画册（1419人选拔30人）
8. 2011年12月，入选中国科学院青年创新促进会会员（2012.1-2015.12）
9. 2009年6月，上海市青年科技启明星跟踪获得者
10. 2008年3月，首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖获得者
11. 2006年12月，上海市青年科技启明星获得者

【代表性论文、论著及授权专利】

1. Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications (Editor: Fuxi Gan and Yang Wang), Chapter 11-Phase Change Random Access Memory, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2015.1, Singapore: 463-589
2. 《大辞海·材料科学卷》（夏征农、陈至立主编，郭景坤等编），“信息功能材料”，“信息储存材料”，上海辞书出版社，2014.12，上海：563-577
3. 《相变存储器》（宋志棠著），第2章“Ge₂Sb₂Te₅相变材料及其改性”，第1-3节，科学出版社，2010.2，北京：22-45
4. 《光子学技术与应用》（刘颂豪院士主编），第13编“光存储技术”（干福熹院士主编），第二章“光盘存储技术”，第六节“相变可擦重写型光盘”，广东科技出版社、安徽科技出版社，2006.9，广州、合肥：1265-1273
5. 《中国材料工程大典》（路甬祥院士主编），第12卷“信息功能材料工程”（中）（王占国院士、陈立泉院士和屠海令主编），第8篇“存储材料”，第14章“非易失性存储材料”，化学工业出版社，2006.3，北京：269-272
6. 刘波、宋志棠、封松林。一种相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 6.3，申请日期：2015-4-15，授权公告日：2017-4-19
7. 刘波、宋志棠。包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 5.X，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-7-6
8. 刘波、宋志棠、封松林。一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，专利号：ZL 9.5，申请日期：2013-10-31，授权公告日：2016-6-1
9. 刘波、宋志棠。三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 5.9，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-3-9
10. 刘波、宋志棠、张挺、李莹、钟旻、封松林。相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 7.2，申请日期：2011-1-18，授权公告日：2014-7-2
11. 刘波、宋志棠、张挺、封松林。包含夹层的相变存储器及制作方法，专利号：ZL 0.X，申请日期：2009-1-23，授权公告日：2012-8-29
12. 刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。用于相变存储器的加热电极材料及制备方法，专利号：ZL 0.X，申请日期：2006-1-18，授权公告日：2011-7-20
13. 刘波、宋志棠、张挺、封松林。掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法，专利号：ZL 9.4，申请日期：2009-6-15，授权公告日：2011-2-16
14. 刘波、宋志棠、封松林、陈宝明。相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法，专利号：ZL 4.X，申请日期：2007-7-17，授权公告日：2009-8-19
15. 刘波、宋志棠、封松林、陈鲍明。一种纳米相变存储器器件单元的制备方法，专利号：ZL 4.8，申请日期：2004-8-6，授权公告日：2008-6-25
16. 刘波、宋志棠、封松林。采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法，专利号：ZL 3.X，申请日期：2005-11-25，授权公告日：2008-4-23
17. 刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法，专利号：ZL 2.0，申请日期：2004-8-13，授权公告日：2007-12-19
18. 刘波、宋志棠、封松林、张挺、夏吉林、陈邦明。可用于相变存储器多级存储的相变材料，专利号：ZL 7.5，申请日期：2004-11-10，授权公告日：2007-7-11
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以上资料更新日期：2021年3月