姓名：李洪苹　 (硕士生导师)
　职称： 助理研究员
　地址：江苏省镇江市学府路301号
　Telephone：
　Fax：
　E-mail：hpli@mail.ujs.edu.cn
　 研究方向：
多功能磁电材料

　 教育经历：
2007/08 – 2012/07，中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室，博士（硕博连读）
2003/09 – 2007/07， 山东师范大学，学士

　 教学经历：
2012/07 – 至今，江苏大学新材料研究院，助理研究员

　 项　　目：
1.国家自然科学基金：金属/过渡金属氧化物界面原子结构、量子电子传输性质的第一性原理研究（**，2014.01-2016.12）；
2.中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室开放课题：稀土基B位有序含钴双钙钛矿薄膜磁、电性质研究（RERU**，2014.01-2015.12）；
3. 高等学校博士学科点专项科研基金：钴基B位有序双钙钛矿薄膜制备及磁、电性质的第一性原理研究（20**3，2014.01-2016.12）；
4. 江苏大学高级人才基金：界面对双层钙钛矿体系离子有序度、磁电及磁电耦合性质影响的研究（12JDG096，2012.10-2015.09）

　 奖　　项：


　 学术组织和学术活动：


　 论文专著专利：
1. Hongping Li, Shuhui Lv, Deming Han, Xiaojuan Liu*, Jian Meng*, “Ferromagnetic Interaction between A-site Cu spins in A-Site-Ordered Perovskites A’Cu3Sn4O12 with A’=Ca2+,Sr2+, Pb2+,and La3+”, Chem. Phys. Lett. 494, 213-217, 2010.
2. Hongping Li, Shuhui Lv, Xiaojuan Liu*, Jian Meng*, “First-Principles Investigation of A-B
Intersite Charge Transfer and Correlated Electrical and Magnetic Properties in BiCu3Fe4O12”, J.Comput. Chem. 32, 1235-1240, 2011.
3. Hongping Li, Shuhui Lv, Yijia Bai, Yanjie Xia, Xiaojuan Liu*, Jian Meng*, “First-Principle
Investigation of Magnetic Coupling Mechanism in Hypothesized A-Site-Ordered Perovskite YMn3Sc4O12”, J. Comput. Chem. 33, 82-87, 2012.
4. Hongping Li, Shuhui Lv, Lin Han, Yanjie Xia, Xiaojuan Liu*, Jian Meng*, “First-Principles
Investigation of Magnetic Coupling Mechanism in A-Site-Ordered Perovskite CaFe3Ti4O12”, Comput. Mater. Sci. 53, 329-332, 2012.
5. Hongping Li, Shuhui Lv, Zhongchang Wang, Yanjie Xia, Yijia Bai, Xiaojuan Liu*, Jian Meng*, “Mechanism of A-B Intersite Charge Transfer and Negative Thermal Expansion in A-site-Ordered Perovskite LaCu3Fe4O12”, J. Appl. Phys. 111, 103718, 2012.
6. Hongping Li, Xiaojuan Liu*, Changsheng Li, Shuhui Lv, Yijia Bai, Zhongchang Wang*, Jian Meng*, “Magnetic Coupling Mechanism in A-site Ordered Perovskite YMn3Al4O12: Extended (Mn–O)–(O–Mn) Superexchange”, Solid State Sciences 17, 63-66, 2013.
7. Lin Chen, Changsheng Li*, Hua Tang, Hongping Li*, Xiaojuan Liu, Jian Meng, “First-Principles calculations on structural,electronic properties of V-doped 2H-NbSe2”，RSC Adv. 2014, 4, 9573–9578.