一、个人简介
万茜，男，1985年出生于江苏宜兴。2016年10月，担任江南大学物联网学院校聘教授。自2009年加入香港中文大学许建斌教授课题组以来，一直从事于二维材料领域(包括graphene,h-BN, TMDs)的研究，特别对用于大面积低成本制备二维材料化学气相沉积(CVD)系统的设计，搭建与改进，及其有效转移和光电器件物理，在实验和理论上完成了一系列研究工作，以第一作者/共同第一作者身份撰写了多篇SCI论文，分别发表在Adv. Mater.，Adv. Funct. Mater.，Chem. Mater.，Acs Nano，Small等期刊上，SCI引用次数超过100次。在此期间，负责申请并参与了香港NSFC/RGC, GRF, CRF，ITF等多个科研与工业界研究项目。曾获香港中文大学2013年度博士后研究基金和教育部2014年度高校科学研究优秀成果自然科学奖二等奖(第三完成人)。2017年获江苏省自然科学基金青年项目，并入选江苏省双创博士。
二、教育经历：
2009.08 - 2013.08香港中文大学电子工程学哲学博士；
2008.09 - 2009.06香港科技大学电子工程学理学硕士；
2004.09 - 2008.06南京大学电子信息科学与技术理学学士。
三、工作经历：
2013.10.07 - 2016.10.08香港中文大学电子工程学学系博士后研究员；
2013.09.01 - 2013.10.06香港中文大学电子工程学学系兼任助理研究员；
2009.06.01 - 2013.08.31香港中文大学电子工程学学系初级助理研究员。
四、代表性论文
第一作者/共同一作发表SCI论文
[1] X. Wan^#, K. Chen^#, Z. Chen, F. Xie, X. Zeng, W. Xie, J. Chen, J. Xu. Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors.Adv. Funct. Mater.2017, 27(19): **.
[2] K. Chen^#, X. Wan^#*, J. Xu.* Epitaxial Stitching and Stacking Growth of Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides (TMDCs) Heterojunctions.Adv. Funct. Mater.2017, 27(19): **.
[3] X. Wan^#, K. Chen^#, W. Xie, J. Wen, H. Chen, J. B. Xu. Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2 through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering.Small2016, 12(4): 438-445.
[4] K. Chen^#, X. Wan^#, W. Xie, J. Wen, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. Xu. Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2-WS2 In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy.Adv. Mater.2015, 27(41): 6431-6437.
[5] K. Chen^#, X. Wan^#, J. Wen, W. Xie, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. B. Xu. Electronic Properties of MoS2-WS2 Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy.ACS Nano2015, 9(10): 9868-9876.
[6] X. Wan^#, K. Chen^#, J. Xu. Interface engineering for CVD graphene: current status and progress.Small2014, 10(22): 4443-4454.
[7] X. Wan, K. Chen, J. Du, D. Liu, J. Chen, X. Lai, W. Xie, J. Xu. Enhanced Performance and Fermi-Level Estimation of Coronene-Derived Graphene Transistors on Self-Assembled Monolayer Modified Substrates in Large Areas.J. Phys. Chem. C2013, 117(9): 4800-4807.
[8] K. Chen^#, X. Wan^#, J.-B. Xu. Controllable modulation of the electronic properties of graphene and silicene by interface engineering and pressure.J. Mater. Chem. C2013, 1(32): 4869.
[9] K. Chen^#, X. Wan^#, D. Liu, Z. Kang, W. Xie, J. Chen, Q. Miao, J. Xu. Quantitative determination of scattering mechanism in large-area graphene on conventional and SAM-functionalized substrates at room temperature.Nanoscale2013, 5(13): 5784-5793.
[10] X. Wan^#, K. Chen^#, D. Liu, J. Chen, Q. Miao, J. Xu. High-Quality Large-Area Graphene from Dehydrogenated Polycyclic Aromatic Hydrocarbons.Chem. Mater.2012, 24(20): 3906-3915.
合作作者发表SCI论文
[1] X. Zhang, H. Nan, S. Xiao, X. Wan, Z. Ni, X. Gu, K. Ostrikov. Shape-Uniform, High-Quality Monolayered MoS2 Crystals for Gate-Tunable Photoluminescence.ACS Appl. Mater. Interfaces2017, 9(48): 42121-42130.
[2] Y. Wang, X. Du, J. Wang, M. Su, X. Wan, H. Meng, W. Xie, J. Xu, P. Liu. Growth of Large-Scale, Large-Size, Few-Layered alpha-MoO3 on SiO2 and Its Photoresponse Mechanism.ACS Appl Mater Interfaces2017, 9(6): 5543-5549.
[3] K. Chen, Z. Chen, X. Wan, Z. Zheng, F. Xie, W. Chen, X. Gui, H. Chen, W. Xie, J. Xu. A Simple Method for Synthesis of High-Quality Millimeter-Scale 1T' Transition-Metal Telluride and Near-Field Nanooptical Properties.Adv. Mater.2017, 29(38): **.
[4] T. Zhang, M. Long, K. Yan, X. Zeng, F. Zhou, Z. Chen, X. Wan, K. Chen, P. Liu, F. Li, T. Yu, W. Xie, J. Xu. Facet-Dependent Property of Sequentially Deposited Perovskite Thin Films: Chemical Origin and Self-Annihilation.ACS Appl. Mater. Interfaces2016, 8(47): 32366-32375.
[5] J. Wang, Z. Cheng, Z. Chen, X. Wan, B. Zhu, H. K. Tsang, C. Shu, J. Xu. High-responsivity graphene-on-silicon slot waveguide photodetectors.Nanoscale2016, 8(27): 13206-13211.
[6] L. Liu, K. Xu, X. Wan, J. Xu, C. Y. Wong, H. K. Tsang. Enhanced optical Kerr nonlinearity of MoS_2 on silicon waveguides.Photonics Res.2015, 3(5): 206.
[7] Z. Chen, Z. Cheng, J. Wang, X. Wan, C. Shu, H. K. Tsang, H. P. Ho, J.-B. Xu. High Responsivity, Broadband, and Fast Graphene/Silicon Photodetector in Photoconductor Mode.Adv.Opt. Mater.2015, 3(9): 1207-1214.
[8] W.-G. Xie, X. Lai, X.-M. Wang, X. Wan, M.-L. Yan, W.-J. Mai, P.-Y. Liu, J. Chen, J.-b. Xu. Influence of Annealing on Raman Spectrum of Graphene in Different Gaseous Environments.Spectrosc. Lett.2014, 47(6): 465-470.
[9] M. Wang, S. Zheng, X. Wan, Y. Su, N. Ke, N. Zhao, K. Y. Wong, J. Xu. Limit of Voc in polymeric bulk heterojunction solar cells predicted by a double-junction model.Sol. Energ. Mat. Sol. C.2013, 108(0): 17-21.
五、研究生教育
学术型研究生招生专业：微电子学与固体电子学；
专业型研究生招生专业：集成电路工程；
专业背景要求：电子信息科学与技术、微电子、材料、物理、化学等专业。
六、联系方式
通信地址：江苏省无锡市蠡湖大道1800号 江南大学物联网工程学院B105
邮编：214122
Email：xwan@jiangnan.edu.cn