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个人概况
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荣誉及奖励
招生信息











姓名：石震武 学位：博士
毕业院校：中科院物理研究所
电子邮箱：zwshi@suda.edu.cn
办公地址：苏大本部现光所
联系电话：








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个人简介
2004年就读于内蒙古大学（211）-物理科学与技术学院-电子科学与技术系，并于2009年7月获得工学学士学位。2009年9月经研究生推免到中国科学院物理研究所-清洁能源重点实验室-新型化合物半导体外延材料及其物性研究组（E03）硕博连读，并于2014年7月获得理学博士学位，同年8月加入苏州大学-信息光学研究所（现并入光电科学与工程学院）-彭长四教授课题组工作至今，从事基于“激光干涉+分子束外延”技术原位图形化构筑新颖III-V族化合物半导体微纳结构及光电器件的研究以及面向具有特殊润湿性的功能表面的制备和应用研究。截至目前，共累计参与协助彭长四教授指导3名博士研究生和7名硕士研究生完成毕业；以一作及通讯身份发表学术论文19篇：包括SCI二区论文6篇、三区论文3篇、四区3篇，EI论文1篇以及EI收录会议论文6篇；申请国家发明专利7项，已授权3项；主持国家自然科学基金项目2项：目前已结题1项，在研1项。


教育经历
大学本科,2004.09.01-2009.07.01,内蒙古大学（211）,学士
博士研究生,2009.09.01-2014.07.01,中科院物理研究所,博士



工作经历
2014.08-至今,苏州大学,讲师



社会职务



研究领域
基于“激光干涉+分子束外延”技术原位图形化构筑新颖III-V族化合物半导体微纳结构及光电器件的研究
(现阶段具体感兴趣的研究内容包括)
1. InAs浸润层的原位图形化及量子点的有序生长
2. 基于光致成核效应的In(Ga）As量子点原位激光“打印”
3. GaAs基材料的原位激光无损直写加工（原位图形衬底技术）
4. 量子点原位激光“整形”技术
5. GaAs表面原子层形貌的原位剪裁技术及应用的探索
6.As掩模技术的探索
7.锑化物量子点的原位图形化生长




社会职务



开授课程
1、普通物理实验,本科




科研项目
1、原位图形化应力场诱导自组织生长周期性量子点的研究,2016.01-2018.12,主持,国家自然科学基金-青年项目
2、分子束外延原位构筑亚纳米浸润层图形结构及生长有序半导体量子点的研究,2021.01-2024.12,主持,国家自然科学基金-面上项目




论文
1、In situ lift-off of InAs quantum dots by pulsed laser irradiationIn situ lift-off of InAs quantum dots by pulsed laser irradiation,Changwei Deng#; Zhenwu Shi*; Linyun Yang#; Chen Chen; Lili Miao; Xinning Yang; Chinhua Wang; Linsen Chen; Changsi Peng*,Applied Physics Letters,2018,SCI（2区）
2、In-situ laser nano-patterning for ordered InAs/GaAs(001) quantum dot growth,Wei Zhang; Zhenwu Shi*; Dayun Huo; Xiaoxiang Guo; Feng Zhang; Linsen Chen; Qinhua Wang; Baoshun Zhang; Changsi Peng*,Applied Physics Letters,2018,SCI（2区）
3、Self-fibering growth in the soot-templated CVD coating of silica on mesh for efficient oil/water separation,Zhang Feng; Shi Zhenwu*; Xu Chengyun; Huo Dayun; Zhang Wei; Peng Changsi*,Materials and Design,2018,SCI（2区）
4、Fabrication of transparent superhydrophobic glass with fibered-silica network,Zhang Feng; Shi Zhenwu*; Jiang Yingjie; Xu Chengyun; Wu Zhuhui; Wang Yanyan; Peng Changsi*,Applied Surface Science,2017,SCI（2区）
5、Periodic nano structures fabricated on GaAs surface by UV pulsed laser interference,Wei Zhang; Dayun Huo; Xiaoxiang Guo; Chen Rong; Zhenwu Shi*; Changsi Peng*,Applied Surface Science,2015,SCI（2区）
6、Molecular beam epitaxy growth of peak wavelength-controlled InGaAs/AlGaAs quantum wells for 4.3-μm mid-wavelength infrared detection,Zhenwu Shi; Lu Wang*; Honglou Zhen; Wenxin Wang; Hong Chen,Nanoscale Research Letters,2013,SCI（2区）
7、Laser induced nano-patterning with atomic scale thickness on an InAs/GaAs surface,Wei Zhang; Zhenwu Shi*; Xinning Yang; Chen Chen; Linyun Yang; Zhongming Zeng; Baoshun Zhang*; Qian Liu*,Semiconductor Science and Technology,2018,SCI（3区）
8、Super-resolution GaAs nano-structures fabricated by laser direct writing,Wei Zhang; Zhenwu Shi*; Chen Chen; Xinning Yang; Linyun Yang; Zhongming Zeng; Baoshun Zhang*; Qian Liu*,Materials Science in Semiconductor Processing,2018,SCI（3区）
9、Porous superhydrophobic and superoleophilic surfaces prepared by template assisted chemical vapor deposition,Zhang Feng; Shi Zhenwu*; Chen Linsen; Jiang Yingjie; Xu Chengyun; Wu Zhuhui; Wang Yanyan; Peng Changsi*,Surface and Coatings Technology,2017,SCI（3区）
10、InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究,霍大云; 石震武*; 张伟; 唐沈立; 彭长四,Acta Physica Sinica,2017,SCI（4区）
11、Effects of in-situ surface modification by pulsed laser on InAs/GaAs (001) quantum dot growth,Wei Zhang; Zhenwu Shi*; Dayun Huo; Xiaoxiang Guo; Changsi Peng*,Acta Physica Sinica,2016,SCI（4区）
12、Suppressing the spread length of threading dislocations in AlSb/GaSb superlattice grown on (001) InP substrate,Zhenwu Shi; Lu Wang*; Yanxiang Cui; Honggang Liu; Haitao Tian; Wenxin Wang; Hong Chen,Applied Physics A,2013,SCI（4区）
13、分子束外延原位脉冲激光驱动金属Ga-droplet迁移的实现和研究,霍大云; 石震武*; 徐超; 邓长威; 陈晨; 张伟; 陈林森; 彭长四*,科学通报,2017,EI
14、Study of in situ laser modification of Ga-droplets,Yang Xinning; Yang Linyun; Miao Lili; Zhuang Siyi; Shi Zhenwu*; Peng Changsi*,Applied Optics and Photonics China (AOPC2019),2019,会议论文
15、Study of in situ laser modification of InAs/GaAs quantum dots,Miao Lili; Yang Linyun; Yang Xinning; Zhuang Siyi; Shi Zhenwu*; Peng Changsi*,Applied Optics and Photonics China (AOPC2019),2019,会议论文
16、Realization of periodic InAs QDs by in-situ four-beam laser interference irradiation on the wetting layer,Linyun Yang; Xinning Yang; Lili Miao; Wei Zhang; Dayun Huo; Zhenwu Shi*; Changsi Peng*,SPIE/COS Photonics Asia,2018,会议论文
17、Fabrication of Superhydrophobic Soot-like Surface,Xu Chengyun; Shi Zhenwu*; Wu Zhuhui; Zhang Feng; Gu Liang; Wang Yanyan; Zhou Xiaohong; Peng Changsi*,IEEE 3M-NANO,2016,会议论文
18、 Rose Petal Mimic Surface by TiO2 Sol-gel Process,Wu Zhuhui; Shi Zhenwu*; Xu Chengyun; Zhang Feng; Gu Liang; Wang Yanyan; Zhou Xiaohong; Peng Changsi*,IEEE 3M-NANO,2016,会议论文
19、Fabrication of super-hydrophobic duo-structures,Zhang X Y; Zhang F; Jiang Y J; Wang Y Y; Shi Z W*; Peng C S*,ISTP,2014,会议论文




科技成果
软件著作 专利 1、超疏水超亲油过滤膜及其制备方法和使用,ZL 4.3,石震武; 张锋; 吴竹慧; 徐成云; 彭长四,中国发明专利,授权
2、构建高黏附性超疏水表面的方法,ZL 3.0,石震武; 吴竹慧; 张锋; 徐成云; 彭长四,中国发明专利,授权
3、原位无损剥离量子点的方法,ZL 1.8,石震武; 缪力力; 杨琳韵; 杨新宁; 彭长四,中国发明专利,授权




荣誉及奖励



招生信息

(2021-2024)期间招生计划：本人拟每年招收硕士研究生1名
专业要求：光学、物理、材料、电子等
其他说明：如报考本人研究生，请提前将个人简历发至本人工作邮箱：zwshi@suda.edu.cn
目前本人正在协助彭长四教授指导的在学研究生情况如下：研三1名(2021年毕业)、研二2名（2022年毕业）以及研一3名（2023年毕业）






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研究项目（旧版）