李绍娟
讲师
学术经历：
2003年获山东大学信息科学与工程学院理学学士学位；2007年保送直博至北京大学微电子学研究院。于2013年1月获北京大学理学博士学位，同年加入苏州大学功能纳米与软物质研究院。2009至2011年先后于香港科技大学计算机科学及工程系访问、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所纳米加工平台从事合作研究，期间主要从事氧化物场效应晶体管的制备和表征研究。2013年加入苏州大学功能纳米与软物质研究院，被聘为讲师。

研究方向：
基于二维层状原子晶体材料的光电器件制备和表征。

所在课题组：鲍桥梁教授课题组

主要学术成果：
研究工作集中在氧化物半导体材料微结构及光电性质表征、器件结构设计、版图绘制、器件光电性能测试表征、物理机制分析等方面，并已取得了具有一定意义的研究成果，发表具有影响力的国际期刊和国际会议论文6篇以上，作为主要发明人之一申请了国内专利5项。

主要参加完成的项目：
1、国家自然科学基金60976041，35万元，2010.01-2012.12
2、国家自然科学基金60876048，34万元，2009.01-2011.12
3、深圳市基础研究重点项目JC200903160351A，50万，2009.08-2012.08

代表性论文：
1.ShaojuanLi,YongCai,DedongHan,YiWang,LeiSun,MansunChanandShengdongZhang*,“Low-TemperatureZnOTFTsFabricatedbyReactiveSputteringofMetallicZincTarget”,IEEETransactionsonElectronDevices,vol.59,no.9,p.2555,2012，（SCI）
2.XinHe,LongyanWang,ShaojuanLi,MansunChan,andShengdongZhang,“ImplementationofMulti'thresholdVoltagea'IGZOTFTsWithOxygenPlasmaTreatment”,IEEETransactionsonElectronDevices,（审稿中）（SCI）
3.ShaojuanLi,XinHe,DedongHan,LeiSun,YiWang,RuqiHan,MansunChanandShengdongZhang*,“ReactiveRadio-FrequencySputteringDepositedNanocrystallineZnOThin-FilmTransistors”,Chin.Phys.Lett.,vol.29，no.1,p.018501,2012（SCI）
4.ShaojuanLi,LeiSun,DedongHan,YiWang,RuqiHanandShengdongZhang*,“StabilityofZincOxideThin-FilmTransistors”,ECSTransactions,vol.44,no.1,p.57,2012（ECS）
5.QiaoliangBao,ShenghuangLin,ShaojuanLi,andKianPingLoh,“GraphenePhotonicsandBroadbandOptoelectronics”,10thInternationalConferenceonGroupIVPhotonics,SeoulKorea,28-30August2013（EI）
6.ShaojuanLi,DedongHan,LeiSun,YiWang,RuqiHanandShengdongZhang,“HighPerformanceReactiveSputteringDepositedZnOThin-FilmTransistorsonTransparentSubstrate,”2011IEEEConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,122,Tianjin,China,2011（EI）
7.ShaojuanLi,XinHe,DedongHan,YiWang,LeiSunandShengdongZhang,“EnhancedPerformanceofZnOThin-FilmTransistorswithZnODual-Active-Layer,”2012InternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,Xi’an,China,Oct.29-Nov.112012（EI）

申请专利：
1、“一种金属氧化物薄膜晶体管”，CN200910077733.4，2010.06
2、“一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法”，CN200910077731.5，2010.09
3、“一种薄膜晶体管及图像显示装置的制作方法”，CN200910106613.2，2010.03
4、“一种薄膜晶体管及其制作方法、图像显示装置”，CN200910106614.75，2010.03
5、“一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法”，CN201110136062.1，2010.05

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