张宝顺 单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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个人简历/Personal resume 1991年7月毕业于长春理工大学（原长春光学精密机械学院）光学物理系；1994年4月获长春理工大学军用光学专业硕士研究生；同年留校任职于高功率半导体激光国家重点实验室，主要从事半导体激光器工艺技术研究及半导体激光材料MBE生长研究，1999年被评为长春理工大学副研究员。2000年8月考取中国科学院半导体研究所材料物理与化学专业博士生，从事Si衬底GaN MOCVD材料生长与特性研究，2003年6月获博士学位；2003年7月至2004年9月于长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室任副研究员，从事GaSb/GaAs、InGaNAs/GaAs和GaAl(In)As/GaAs材料MBE生长和器件工艺研究，为高功率半导体激光国家重点实验室半导体激光器工艺研究方向带头人。2004年10月至2006年9月，为香港科技大学光电科技中心Research Associate，从事Si衬底和蓝宝石衬底上LED材料生长和器件工艺研究以及Si衬底HEMT材料生长研究；2006年11月至今，为我所研究员，博士生导师。
主持过四项国家级科研项目，参与国家"863"、国家科技攻关等项目十余项，申请发明专利二项。参与国家级重点项目"半导体激光泵浦固体激光器"2000年获国家科技进步三等奖。2003年在Si衬底上采用MOCVD技术生长高质量GaN，实现XRD Rocking curve （0002）衍射峰半宽度为6 arcmin，（10-12）衍射峰半宽度为10 arcmin，并采用插入层技术实现1.8mm无微裂生长，提出了富Al条件生长AlN缓冲层是弛豫应力的重要条件。2006年采用高温插入层技术实现Si衬底上生长LED输出功率大于0.7mW(未封装)。


招生信息/Enrollment information 半导体材料和半导体器件工艺