冯加贵 单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
邮箱：jgfeng2017@sinano.ac.cn



个人简历/Personal resume 冯加贵，2007年7月武汉大学物理科学与技术学院本科毕业；2013年7月中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室博士毕业。2013年10月至2015年10月在美国密西根州立大学ZhangPengpeng 教授实验室从事博士后研究。2015年12月至2017年8月在英国圣安德鲁斯大学PhilKing教授实验室任助理研究员。2017年10月入职中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，任研究员。


研究方向/Research direction
主要研究方向是低维量子材料的物性研究和精准调控，以及其相关器件的开发研究。一直以来都在利用超高真空互联设备围绕着低维量子材料的设计和表征开展工作。在Nature Materials, Nano Letters, Phys.Rev.Lett., Phys.Rev.B,Scientific Reports等国际知名期刊发表学术论文多篇。世界首次在过渡金属硫化物中发现同一元素不同轨道之间的能带反转产生一系列体相拓扑态和表面拓扑态；世界首次发现单层VSe₂薄膜的电荷密度波是增强的且没有理论计算中的铁磁性质。



论文专著/The monograph [1] Jiagui Feng, et. al. Sunan Ding, Jiandong Guo, “Stable Adsorption of Single Gold Atoms on the SrTiO3(111)-(9 × 9) Reconstructed Surface” J. Phys. Chem. C 123，4866 (2019).
[2] Jiagui Feng, et. al., “Electronic Structure and Enhanced Charge-Density Wave Order of Monolayer VSe2”, Nano. Lett. 18, 689 (2018).
[3] M. S. Bahramy, O. J. Clark, B.-J. Yang, J. Feng, et. al., “Ubiquitous formation of type-II Dirac cones, topological surface states, and topological surface resonances from p-orbital band inversions in transition-metal dichalcogenides”, Nature Materials, 17, 21 (2018) [It is covered on Nature Materials]
[4] Jiagui Feng, et. al., “Charge modulation and structural transformation in TaTe2 studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy”, Appl. Phys. Lett. 109, 021901 (2016).
[5] Jiagui Feng, Sean R. Wagner andPengpeng Zhang*, "Interfacial Coupling and ElectronicStructure of Two-DimensionalSilicon Grown on the Ag (111)Surface at High Temperature", Nature scientific Reports 5, 10310(2015).