个人介绍：2002年于中国科学院半导体研究所获微电子学与固体电子学博士，一直先后在中科院半导体所和英国布里斯托大学从事III-V族半导体光电子器件研究，包括InP基材料MOCVD生长、结构设计、器件制备和表征分析。2008年加入我所，开始从事基于微纳结构太阳电池研究。主要研究成果：信息光电子器件方面：提出并实现了渐变应变赝体结构偏振不灵敏半导体光学放大器；利用MOCVD设备实现了1.5微米段调制掺杂InGaAsP/InGaAsP量子阱结构，有效改善FP、DFB激光器性能；提出并利用调制掺杂量子阱结构实现了短载流子寿命半导体光学放大器；开发了级联蚀刻技术，并成功制备了双浅脊波导矩形腔光子集成回路；提出并实现了利用非对称双浅脊波导来降低比垂直耦合波导损失；提出利用垂直有源波导实现灵活耦合比的单环谐振腔；实现了单环可调谐激光器；光伏方面：（1）先后实现了Si和AlGaInP宽谱广角减反结构；（2）系统分析了Si纳米圆锥光栅吸收增强效应及其作用机理（3）分别提出真正适用于Si和III-V太阳电池的宽谱广角减反亚波长结构。研究方向：利用微纳结构提高和改善太阳电池（半导体光电子器件）性能，提高光伏系统的性价比。招生方向：（1）　　　基于微纳光子结构的III-V族太阳电池（半导体光电子器件）（2）　　　大面积低成本微纳结构制备（3）　　　应用于光伏领域的亚波长结构器件联系方式：E-mail:ryzhang2008@sinano.ac.cn,电话：0512-6287-2560