2002年7月毕业于中科院半导体所，获博士学位。博士毕业后工作于中科院物理所、源顺国际有限公司和中国石油大学，曾前往德国、智利及台湾从事技术培训和博士后方面的研究工作。2009年3月加入中科院苏州纳米所，现为研究员、博士生导师。一直从事氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和砷化镓（GaAs）等半导体薄膜和量子阱（QW）结构的生长、材料性能分析与器件方面的研究。目前正在进行GaInNAs基太阳能电池和III族化合物半导体材料的分子束外延生长研究。科研专长和承担项目情况：(1)III族氮化物太阳能电池。使用MOVPE生长并制备的InGaN/GaN异质结电池的填充因子达81％，研发出p-GaN阵列结构的InGaN太阳能电池，制作的InGaN/GaN量子阱太阳能电池的开路电压高达2.31伏。(2)高品质III族化合物半导体材料的外延生长。使用MOVPE和MBE生长了单相高In组分InGaN薄膜、InGaN/GaN多量子阱，发现了InGaN生长时的In反常并入行为。设计并生长了高峰值电流密度的新型GaAs隧道结。(3)(nGaN基LED。在图形化蓝宝石衬底上开发出双面粗化和低温键合并转移至硅衬底上之大功率InGaN基薄膜结构LED，研究了蓝、绿光InGaN/GaN之LED光学和结构特性。(4)半导体材料的物性研究。提出了简单测量马赛克晶体面内扭转角的方法，目前引用已近60次。英国剑桥大学学者在物理类权威期刊ReportsonProgressinPhysics（IF：～15）综述论文中3次强调该方法的实用价值。提出的晶格常数测量方法被广泛引用（已达30多次），并且写入科学出版社出版的《半导体的检测与分析》一书的章节。已在APL、中国物理等国内外知名期刊上发表论文六十篇，SCI引用次数已达三百多次，H因子为11。申请专利8项（2项授权）。担任J.Appl.Phys.,AppliedPhysicsA等国际期刊的审稿人。主持和参与的项目包括国家“973”计划（2009-2011）、国家自然科学基金（2013-2016）、所内自有资金（与日本索尼公司合作，2011-2014）、苏州市国际合作（2012-2014）和xxx项目等。拟招生方向：(1)半导体太阳能电池制备与器件设计(2)III族化合物半导体薄膜或低维结构的分子束外延生长联系方式：　　Tel：0512-62872571　Email：xhzheng2009@sinano.ac.cn