学习简历：1988.8-1992.7大连理工大学物理系应用物理专业学士1992.9-1995.7北京师范大学物理系凝聚态物理专业硕士1995.9-1998.7中国科学院半导体研究所半导体材料专业博士工作履历：1998.8-2011.1中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室（助理研究员、副研究员）2011.1–至今中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台研究员主要科研经历：2　　参与和承担“氮化镓激光器”、“氮化镓紫外探测器”“GaN/Si基材料生长与研究”等多项863项目的研究，主要从事GaN/Si(111)材料、GaN/SiC、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN超晶格材料以及InGaN/GaN量子阱的生长与分析。参与了中国大陆第一只GaN基脉冲激射和室温连续工作激光器的成功研制。2　承担自然科学基金项目“AlInN材料的MOCVD生长与应用研究”（批准号60576003，2006,1-2008,12），顺利完成。2　　承担中科院重大科研装备研制项目“III族氮化物生长用原子层化学气相淀积系统”，设计并研制成功了兼具原子层外延和MOCVD外延优点的外延生长系统。2　　参与创建苏州纳维科技有限公司，主要负责HVPE设备的设计、研制以及HVPE生长工艺的开发。2　　参与创建AIXTRON-SINANOMOCVD培训中心研究方向：2　　CVD设备设计与制造相关技术2　　宽禁带半导体材料的外延生长以及相关物理化学机制2　　半导体材料与器件的表征拟招生方向：2　　微电子学与固体电子学2　　化合物半导体材料与器件联系方式：　　　Tel:0512-62872759　E-mail：jjzhu@semi.ac.cn;　　　　　jjzhu2007@sinano.ac.cn