孙钱，1998年考入中国科技大学，2002年提前一年毕业获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖学金。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年8月获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院最高奖Becton奖学金。博士毕业后在耶鲁大学留任副研究员，承担和参与了硅衬底上高质量无裂纹GaN的外延生长及器件研发、非极性和半极性GaN的材料生长及LED制备、纳米多孔GaN的制备及其应用等多个重点科研项目，申请并获得了美国能源部、美国自然科学基金、以及工业界的多项科研资助。带领团队取得了一系列创新成果，包括一项国际技术专利（该专利已授权给一家半导体制造商做产品开发）。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司BridgeluxInc.，任外延研发科学家，负责8英寸硅衬底上GaN基高亮度LED的外延研发，实现了与蓝宝石衬底上的顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160流明/瓦。该成果目前处于世界领先水平，受到了WallStreetJournal、MITTechnologyReview、IEEESpectrum等海内外众多知名媒体的报道，在学术界和工业界引起了巨大反响。（http://www.led-professional.com/technology/light-generation/bridgelux-boost-efficiency-record-for-gan-on-silicon-technology-leds-to-160lm-w）2011年入选中组部的首批“青年****”，苏州市“金鸡湖双百人才（海外高层次引进人才）”。迄今为止共发表了40余篇被SCI收录的学术论文，其中14篇为第一作者文章。总引用290余次，平均每篇引用近9次，H-index为11。参与编写了一部英文著作。曾受2010年国际氮化物会议IWN以及2010年SPIEPhotonicsWest国际会议委员会邀请作大会报告。此外，还应邀为NanoLetters、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等多家国际知名学术期刊评审论文。主要研究领域：GaN基功率半导体电子器件、超高亮度LED、硅衬底上GaN材料的MOCVD外延生长及器件制备等。招生方向：半导体、材料物理与化学、物理、光电子等。联系方式：　　　　E-mail:qsun2011@sinano.ac.cn