个人履历：
徐科，研究员、博士生导师。1988~1995年就读于西安交通大学，获硕士学位，1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位。1999~2002年在日本千叶大学光电子研究中心做博士后，2002~2004年在日本科学技术振兴事业团，参加超高速省电力高性能纳米器件/系统研发项目，2004~2006年任教于北京大学，2006年起加入中科院苏州纳米所，现任所长助理、测试分析平台主任。曾荣获2007年“苏州工业园区首届科技领军人才”称号、2008年“首届姑苏创新创业人才”、“江苏省双创人才”称号、2010年第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖、2012年入选国家”****“（创业类），现任“863”计划新材料领域主题专家、国家纳米标准委员会委员、中国电子学会高级会员。研究工作：
1995年以来一直围绕高质量氮化物半导体材料生长、以及相关的材料物理和器件开展研究。开展了多种与GaN晶格匹配的单晶体生长，在LiAlO2(100)衬底上用MOCVD方法首次外延生长出非极性m面GaN；系统研究了GaN在MOCVD和MBE的生长机理，氮化物的极性选择、极性控制，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响，是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一；近年来重点开展氮化物的氢化物气相外延(HVPE)生长研究、极低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研发出可以连续稳定生产GaN单晶衬底的HVPE系统，开发出高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底，并实现批量生产；组织开展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制、微纳尺度原位加工与测试技术的融合，并用于低维结构的新奇物性研究。发表SCI论文70余篇，申请专利40余项，国际专利一项，国际会议特邀报告20余次。承担了国家自然科学基金、973重大研究计划、国家863项目、科技部国际合作项目、中科院装备研制项目、江苏省重大科技成果转化专项、发改委战略新兴产业化示范项目等。研究方向：III族氮化物材料的生长与材料物理，新型氮化物半导体器件与物理，纳米测试分析理论与装备技术拟招生方向：1.宽禁带半导体材料和器件2.空间高分辨综合光电测试技术与方法3.低维结构的新奇物性研究联系方式：Tel：0512-62872501E-mail：kxu2006@sinano.ac.cn