1998年、2001年在武汉理工大学分别获得材料学学士、硕士学位，2004年在中科院半导体所获得微电子与固体电子学博士学位。2004年至2006年，在北京工业大学光电子技术实验室工作，从事GaN基LED研究。2006年至2010年,在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事GaN基激光器、LED、HEMT研究，合作教授为美国工程院院士、MOCVD技术的先驱者之一RussellDupuis教授。2010年5月加入中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，主要从事GaN基光电子材料与器件研究。主要学术业绩：在佐治亚理工学院工作期间，研制出高质量的GaN基激光器，阈值电流密度、内量子效率等指标达到国际先进水平（分别为2.5kA/cm2、92%），研究成果在第15届国际MOCVD会议上宣讲，并被SemiconductorToday专题报道。加入中科院苏州纳米所后，继续从事GaN基激光器研究工作，目前已研制出斜率效率达1.4W/A（外量子效率50%）的蓝光激光器。在国际上首次实现了非极性A面GaN衬底上蓝光LED的电注入发光。在国际上较早开展了C面GaN基LED的空穴注入与发光特性的关系研究，发现由于空穴注入的限制，实际上只有最靠近p-GaN的一个量子阱发光，并采用新型多量子结构成功地改善了空穴注入，实现了多量子阱发光。在国际上较早开展了InGaN/AlInGaN多量子阱LED和激光器的研究，提高了LED和激光器的内量子效率。已在国际刊物AppliedPhysicsLetters、JournalofCrystalGrowth等上发表SCI收录论文37篇，影响因子在3.0以上的10篇。SCI论文被引次数为250次以上。拟招生方向:MOCVD生长GaN基半导体材料；GaN基材料与器件物理。联系方式:　　Tel：0512-62872691E-mail:jpliu2010@sinano.ac.cn