
报告介绍了张俊最近发现的一种调控分子材料磁性的新机制—电子状态调制(ESM),介绍了多孔磁领域的最新进展,阐述了如何发现的ESM机理,并分别以溶剂和气体分子为例介绍了如何通过ESM实现分子磁铁里磁相的变化,最后对分子磁领域进行了总结和展望。报告内容丰富、精彩生动,对我校相关科研工作具有借鉴作用。同时,张俊还结合自己多年的研究经历,与听众分享了研究心得和体会。此次报告对于增强我校对外开展学术交流以及合作研究将起到积极的促进作用。

报告人简介:
张俊本科毕业于南京航空航天大学,在日本东北大学获得硕士和博士学位后。目前就职于日本东北大学金属材料研究所从事博士后研究。
张俊长期从事配位化学领域多孔分子磁体的研究。博士期间独立发现了一种能够有效调控分子材料磁性的新机制—电子状态调制(Electronic State Modulation, ESM)—为多孔分子材料的磁性调控提供了新的有力手段。基于该项发现,相关成果分别发表在了Nature Chem., J. Am. Chem. Soc., Angew. Chem. Int. Ed.等期刊上。并有相关工作被选为“Very Important Paper (VIP)”、“Frontispiece”、“Inside cover”、“Editor’s Highlights”等。曾任日本学术振兴会特别研究员,获得“国家优秀自费留学生奖学金”、国际配位化学会议“Rising star award”等奖项,并主持日本学术振兴会青年科学基金等2项。