《模拟电子技术基础》复习提纲

命题依据及原则

1. 命题依据：本课程的考核是依据：

 黄丽亚，杨恒新编著. 模拟电子技术基础[M]. 北京：机械工业出版社,2009 .

2.命题原则：

1)      考核命题突出课程的重点内容和基本知识；

2)      兼顾各个能力层次，在一份试卷中，各层次题目所占比例为基本概念25%、理解40%、应用35%；

合理分布题目难易程度。题目的难易程度分为：易、较易、较难、难四个等级。在一份试卷中各个等级所占分数比例为：易40%、较易30%、较难20%、难10%。试题的能力层次和难易程度是两个不同的概念，在各个能力层次中，都可以含有难易程度不同的题目，命题时将两者兼顾，在一份试卷中保持合理结构。

课程考试内容和要求

1 半导体二极管及其应用
1.1 半导体物理基础知识
1.2 PN结
1.3 半导体二极管及其基本电路
1.4 特殊二极管
基本要求：

了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成及其特性。掌握晶体二极管的特性和主要参数。掌握普通二极管、稳压二极管构成的基本电路的组成、工作原理及分析方法。

2 双极型晶体管及其放大电路
2.1 双极型晶体管的工作原理
2.2 晶体管的特性曲线
2.3 晶体管放大电路的放大原理
2.4 放大电路的静态分析和设计
2.5 共射放大电路的动态分析和设计
2.6 共集放大电路（射极输出器）
2.7 共基放大电路
2.8 多级放大电路
基本要求:

掌握理解双极型晶体管的工作原理、特性和参数。熟练掌握双极型晶体管的小信号模型。了解大信号模型，了解模型参数的含义。了解晶体管基本放大器的组成、工作原理及性能特点。掌握静态工作点的基本概念和偏置电路的估算。熟练掌握图解分析法，熟练掌握小信号等效电路分析方法，掌握动态参数（）的分析方法。掌握多级放大电路动态参数的分析方法。

3 场效应晶体管及其放大电路
3.1 场效应晶体管
3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路
3.3 场效应管放大电路
基本要求：

了解场效应管内部工作原理及性能特点。掌握场效应管的外部特性、主要参数。了解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。掌握放大电路静态工作点和动态参数（）的分析方法。

4 集成运算放大电路
4.1 集成运算放大电路的特点
4.2 电流源电路
4.3 以电流源为有源负载的放大电路
4.4 差动放大电路
4.5 集成运算放大电路的外部特性及其理想化
基本要求：

了解差分放大电路的组成和工作原理，掌握静态和动态参数的分析方法。掌握电流源电路的结构、工作原理和分析方法。了解典型集成运算放大器的组成及其各部分的特点，了解其电压传输特性和主要参数。

5 反馈
5.1 反馈的基本概念及类型
5.2 负反馈对放大电路性能的影响
5.3 深度负反馈放大电路的近似计算
5.4 负反馈放大电路的稳定性
基本要求：

熟练掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法。熟练掌握深度负反馈条件下放大电路的近似估算法。了解负反馈对放大电路性能的影响。

6 集成运算放大器的应用
6.1 基本运算电路
6.2 电压比较器

基本要求：

了解理想集成运算放大器的概念。掌握由集成运算放大器组成的基本运算电路的分析方法。掌握理想集成运算放大器构成的加法器、减法器的结构、工作原理和分析方法。掌握典型电压比较器的电路组成、工作原理和性能特点。

7 功率放大电路
7.1 功率放大电路的特点与分类
7.2 甲类功率放大电路
7.3 互补推挽乙类功率放大电路

基本要求：

了解功率放大电路的类型及特点。了解功率放大电路最大输出功率和转换效率的分析方法。了解甲类功放的分析方法和性能特点。掌握乙类推挽功率放大器的电路组成、工作原理、分析方法和性能特点。