个人信息

姓　　名: 徐跃 性　　別: 男 导师类型: 硕士生导师
技术职称: 教授 电子邮箱: yuex@njupt.edu.cn
学术型硕士招生学科: (080903)微电子学与固体电子学
专业型硕士招生类别(领域): (085400)电子信息

个人简介:江苏省南京市人，工学博士，现为南京邮电大学电子科学与工程学院教授，硕士生导师，江苏省青蓝工程中青年学术带头人。主要研究方向有CMOS单光子集成光电探测器、CMOS单片全集成霍尔传感器、CMOS集成电路设计及快闪存储器可靠性研究等工作。2016年10月至2017年9月在法国国家科学研究中心格勒诺布尔微电子、光电和电磁研究所访问研究。近年来，作为主要研究人员已完成了国家重点基础研究发展计划（973 计划）课题、国家重大专项子课题、江苏省科技支撑计划等多个项目。作为主持人已完成江苏省自然科学面上项目和高校自然科学基金面上项目1项及4项横向课题。目前主持国家自然科学基金面上项目和省级课题各1项。以第一作者或通讯作者身份在IEEE Transactions on Electronics Devices、 Sensors、Semiconductor Science and Technology、Solid-State Electronics、Superlattices and Microstructures、IET Circuit, Devices & Systems、Microelectronics reliability等国际、国内权威和核心刊物及国际会议上发表论文40余篇，其中SCI收录14篇，EI收录近20篇。其中1篇论文获2015年英国工程技术学会(IET)最佳论文奖。近年来以第一发明人获中国发明专利授权13项，美国发明专利授权1项，正在申请中国发明专利10余项。曾指导3名硕士研究生获得江苏省优秀专业硕士学位论文，多名研究生获国家奖学金。
研究领域:主要研究方向：CMOS模拟集成电路设计，CMOS片上传感器芯片设计，非挥发性存储器可靠性研究等。主要成果：1.部分论文：[1] Yue Xu , Sorin Cristoloveanu, Maryline Bawedin, Ki-Sik Im , and Jung-Hee Lee. Performance Improvement and Sub-60 mV/Decade Swing in AlGaN/GaN FinFETs by Simultaneous Activation of 2DEG and Sidewall MOS Channels. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 65(3): 915-920. [2] Yue Xu, Tingchen Zhao, Ding Li. An Accurate Behavioral Model for Single-Photon Avalanche Diode Statistical Performance Simulation. Superlattices and Microstructures, 2018, 113: 635-643. [3] Ding Li, Yue Xu* , Tingcheng Zhao. A novel compact analog counter for high density SPAD array imagers. Microelectronics Journal, 2018, 74: 43-48. [4] Yue Xu, Ping Xiang, Xiaopeng Xie. Comprehensive Understanding of Dark Count Mechanisms of Single-Photon Avalanche Diodes Fabricated in Deep Sub-Micron CMOS Technologies [J]. Solid-State Electronics, 2017, 129: 168–174. [5] Yue Xu, Ping Xiang, Xiaopeng Xie. A new modeling and simulation method for important statistical performance prediction of single photon avalanche diode detectors. Semiconductor Science and Technology, 2016, 31(6): 65024-65032 . [6] Yue Xu, Heng Yue, Fei-Fei Zhao. Study of charge loss mechanisms for nano-sized localized trapping SONOS memory devices. Solid-State Electronics, 2014, 91: 118–122. [7] Yue Xu, Chunbo Wu, Xiaoli Ji, Feng Yan. An 8-level 3-bit Cell Programming Technique in NOR-type Nano-scaled SONOS Memory Devices. Microelectronics Reliability, 2014, 54: 331–334. [8] Yue Xu, Chun-bo Wua, Xiao-li Ji, Feng Yan, Yi Shi. An improved multilevel cell programming technique for 4-bits/cell localized trapping SONOS memory devices, Microelectronic Reliability, 2013 , 53: 118-122. [9] Yue Xu, Hong-bin Pan, Shun-zhuan He and Li Li. A Monolithic H-Bridge Brushless DC Vibration Motor Driver with a Highly Sensitive Hall Sensor in 0.18 μm CMOS technology, IET Circuit, Devices & Systems, 2013, (7): 204-210. [10] Yue Xu , Feng Yan , Zhi-Guo Li, Fan Yang, Jian-guang Chang, Yong-Gang Wang. Investigation of STI Edge Effect on Programming Disturb in Localized Charge Trapping SONOS Flash Memory Cells. Microelectronic Reliability, 2012, (52): 1337-1341. [11] Yue Xu, Hong-bin Pan, Shun-zhuan He and Li Li. A Highly Sensitive CMOS Digital Hall Sensor for Low Magnetic Field Applications. Sensors, 2012，12(2): 2162-2174. [12] Yue Xu, Hong-bin Pan. An improved equivalent simulation model for CMOS integrated Hall plates, Sensors, (11), 6284-6296, 2011. [13] Yue Xu, Feng Yan, Dun-Jun Chen , Yi Shi, Yong-Gang Wang, Zhi-Guo Li , Fang Yang, Joshua Wang. Investigation of Impact of Shallow Trench Isolation on SONOS Type Memory Cells, Solid-State Electronics, 2010, 54(12): 1644-1649. [14] Xu Yue, Yan Feng, Chen Dun-Jun, Shi Yi, Wang Yong-Gang, Li Zhi-Guo, YANG Fan and Jos-Hua. Improved Programming Efficiency through Additional Boron Implantation at Active Area Edge in 90 nm Localized Charge-Trapping Non-Volatile Memory, Chinese Physics Letters, 2010, 27(6): 067201-1-3. [15] Xu Yue. Reducing the influence of STI on SONOS memory through optimizing added boron implantation technology, Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(9): 094003-1. [16] Huang Yang, Yue Xu*. and Guo Yufeng. Performance prediction of four-contact vertical Hall-devices using a conformal mapping technique. Journal of Semiconductor, 2015, 36(12): 124006-5. 2. 部分已获授权的发明专利：[1]Method for operating a high density multi-level cell non-volatile flash memory device, Jun. 11, 2013，US 8,462,556 B1. (第1发明人）[2] 一种应用于霍尔传感器的旋转电流电路，2017.01,中国，ZL5. X. (第1发明人）[3] 一种减小集成霍尔传感器残余失调的电路，2017.05, 中国，ZL 5.6. (第1发明人）[4]一种对称结构的低失调垂直型霍尔器件，2017.09, 中国，ZL0.0. (第1发明人）[5] 一种单光子雪崩二极管探测器的电路仿真方法，2016.02，中国，ZL 2.2. (第1发明人）[6] 一种消除霍尔失调的四相电流旋转电路和方法，2016.03，中国，ZL 6.8. (第1发明人）[7]一种十字型CMOS集成磁传感器的电路模型的仿真方法，2012.11，中国，ZL8.3. (第1发明人）[8]一种固态成像探测器，2014.12，中国，ZL7.8. (第1发明人）[9]一种单光子雪崩二极管成像器件的淬灭与读出电路，2014.05，中国，ZL5.2. (第1发明人）[10] 一种高灵敏度固态彩色图像传感器件, 2015.05, 中国，ZL5.8. (第1发明人）