个人信息
个人简介:李欣就职于南京邮电大学通信与信息工程学院依托于诺贝尔奖得主Grunberg Peter研究中心,2013年参加工作以来,以第一作者和通讯作者身份在《Applied Physics Letters》 和《IEEE Photonics Journal》等业内权威期刊上发表氮化镓光电子器件方向的科研论文9篇(其中SCI论文7篇,EI论文2篇)。主持国家自然科学基金青年基金,江苏省高校自然科学基金,国家博士后研究基金,并参与国家自然科学基金、973基金等省部级国家级项目。获得江苏省六大人才高峰称号,获得南京邮电大学鼎新****称号,获得国家留学基金委赞助国家自然科学基金,赴日本东北大学工学院进行博士后进修。
研究领域:1、完成高性能悬空氮化物薄膜 LED 器件的制备和表征。提出了采用硅衬底剥离和悬空氮化物背后减薄工艺,实现具有高出光效率和良好电学特性的高性能悬空氮化物薄膜 LED 器件的完整技术。减少硅衬底和氮化物外延层对有源区出射光的吸收,降低器件的结电容和等效电阻,有效提高了氮化物 LED 器件的光电性能。相比于有硅衬底的普通LED器件,薄膜LED器件的出光效率提高了12.4倍。在8V的驱动电压下,有硅衬底的普通LED器件的电流为8.7mA,同样电压下悬空氮化物薄膜LED器件的电流提高至18.44mA。该工作的文章已经发表在期刊《Applied Physics Letters》上。 2、设计并制备了基于InGaN/GaN量子阱的悬空式多功能光电器件。利用InGaN/GaN量子阱可以同时发射和探测蓝光波段可见光的特性,在单片集成式光电器件上实现了LED工作模式和光电探测工作模式的复合功能。该器件在LED模式下工作时,其出射光强可由驱动电压有效控制。该器件在光电探测模式下工作时,表现出很高的灵敏度。静态测试下,在1V的偏置电压功率为690uW的450nm激光照射下,开状态和关状态光电流之比约为22500。动态测试下,0V的偏置电压功率为1mW的450nm激光照射下,开状态和关状态光电流之比约为10100。该工作的文章已经发表在期刊《IEEE Photonics Journal》上。 3、设计并制备了集成悬空氮化物薄膜LED和同质光波导的集成光子芯片。利用双面工艺制备集成光子芯片,将同质的平面光波导和悬空氮化物薄膜LED器件在单片系统上进行直接耦合。利用有限时域差分有限元仿真和定量的光强度测试,分析影响集成光子芯片光传输性能的主要几何参数。面向可见光通信应用,集成光子芯片利用二进制随机信号实现了速度为100Mbps的自由空间高速数据传输。此项研究成果提出了的氮化镓基原型集成光子芯片,集成了微光源和无源光子器件,对可见光通信领域技术具有重要意义。该工作已经发表在期刊《Optics Communications》上。
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南京邮电大学导师教师师资介绍简介-李欣
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