该论文总结并展望了自旋电子学从第一代GMR（高密度存储）到MRAM（磁存储芯片）到将来SFET（自旋芯片）的发展历程。本文着重结合徐永兵教授团队多年来的研究成果，论述了自旋电子材料及器件的生长、结构性能表征及器件的应用。自旋电子学的发展与应用，预示着未来以调控自旋为基础的新时代将取代调控电荷的时代，未来将引发数据存储与处理技术的革命。例如磁随机存储器MRAM具有存储数据非易失性、寿命长、低功耗、抗辐射等诸多优点，在工业自动化、嵌入式计算、网络和数据存储、汽车和航空航天等重要的民生、国防领域具有巨大的应用价值，原则上可以取代各类存储器的应用，成为未来的通用存储器。同时，该论文也指出了自旋电子学未来的发展方向，特别是可用于信息存储及处理一体化的自旋芯片的新材料及新技术。
Fig. 1. Evolution of electronic technology.
Progress in Materials Science是国际工程技术、材料科学、材料物理和化学领域的顶尖权威综述性学术期刊，在材料科学与工程领域具有重要影响。徐永兵教授为该论文的通讯作者，第一作者为南京大学-约克大学自旋电子学国际联合中心刘文卿教授。该工作得到了973国家重大研发计划量子调控项目、国家重大科研仪器研制项目等基金项目的资助。
（电子科学与工程学院 科学技术处）
