刘治国

教授

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研究方向：
铁电薄膜及其异质结构；铁电极化调控的铁电薄膜稳态输运；相变存储器与材料；MOSFET用高介电栅介质材料

个人简介：
1943年生,1966年毕业于南京大学物理系，1980年起留学于联邦德国哥廷根大学，师从著名材料物理学家P.哈森教授从事相变机制与相变动力学研究，1984年获哥廷根大学理学博士学位，回南京大学固体微结构实验室工作至今。1988年任教授，1993年任博士导师，现任国家“973”材料领域专家咨询组成员，中国集成电路材料产业大联盟专家委员会委员，Materials Letters杂志副编委。曾任“九五”、“十五”国家高技术（863）新材料领域专家委员会委员、副主任, 国家自然科学基金委员会监督委员会委员、常委，中国物理学会固体缺陷专业委员会主任。
刘治国长期从事铁电介电材料，特别是新型存储器和场效应器件用铁电介电薄膜研究。他主持的“几种铁电薄膜与配套氧化物电极材料的研究“获2005年国家自然科学二等奖（刘排名第一）。他在高介电栅介质材料、多铁性材料、阻变材料与器件研究中也做出了引领性的工作。发展了合成最重要的铁电磁体铁酸铋的新方法，被广泛应用，论文单篇他引四百余次。参著专著4部，发表科学论文四百余篇,在SCI数据库被他引四千余次。国际会议邀请报告十余次。获中国发明专利十余项。获省部级科技奖励7项。
刘治国是南京大学材料系的创始人之一，曾任材料科学系副主任、代理系主任，在材料科学教育方面有重要贡献，参与主编的“材料科学导论”获2005年国家教学成果二等奖（刘排名第三）。
科研成果文章:
1）Memristive behaviors of LiNbO3 ferroelectric diodes
Haitao Li, Yidong Xia, Bo Xu, Hongxuan Guo, Jiang Yin, and Zhiguo Liu
Applied Physics Letters 97, 012902 (2010)
2）Effects of hydrostatic pressure on the electrical properties of hexagonal Ge2Sb2Te5: Experimental and theoretical approaches
B. Xu, Y. Su, Z.G. Liu, C.H. Zhang, Y.D. Xia, J. Yin, Z. Xu, W.C. Ren, Y.H. Xiang
Applied Physics Letters 98, 142112 (2011)
3）Remarkable Hydrogen Storage Capacity In Li-Decorated Graphyne: Theoretical Predication
Y.H. Guo, K. Jiang, B. Xu, Y.D. Xia, J. Yin, Z.G. Liu
Journal of Physical Chemistry C 116, 13837 (2012)
4）Tuned dielectric, pyroelectric and piezoelectric properties of ferroelectric P(VDF-TrFE) thin films by using mechanical loads
G. Bai, R. Li, Z.G. Liu, Y.D. Xia, J. Yin
Journal of Applied Physics 111, 044102 (2012)
5) Ferroelectric domain evolution with temperature in BaTiO3 film on (001) SrTiO3 substrate
Guoliang Yuan, Jiangpeng Chen, Hui Xia, Junming Liu, Jiang Yin, Zhiguo Liu
Applied Physics Letters 103, 062903 (2013)
6) The chemically driven phase transformation in a memristive abacus capable of calculating decimal fractions
Hanni Xu, Yidong Xia, Kuibo Yin, Jianxin Lu, Qiaonan Yin, Jiang Yin, Litao Sun and Zhiguo Liu
Scientific Reports 3, 1230 (2013)
7) Continuously-tuned tunneling behaviors of ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3 heterostructure
Xin Ou , Bo Xu, Changjie Gong, Xuexin Lan, Qiaonan Yin, Yidong Xia, Jiang Yin and Zhiguo Liu,
AIP Advances 4, 057106 (2014)

专利:
1) 刘治国，胡卫生，冯端，一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法与装置，专利号：ZL 96 1 17210.X
2) 李爱东，吴迪，凌惠琴，刘治国，闵乃本，一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的薄膜取向的方法，专利号：ZL 00 1 12548. 6
3) 刘治国，朱俊，应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法，专利号： ZL 03 1 13461.0
4) 朱俊，刘治国，高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法， 专利号：ZL 03 1 31923.8
5) 朱俊，刘治国，应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及其制法，专利号：ZL 03 1 13462.9
6) 刘治国，朱俊，高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法， 专利号：ZL 03 1 31920.3

专著:
1，冯端等著：金属物理学，其中第七篇作者:刘治国，题目：相变动力学，科学出版社，北京，1990
2，冯端, 师昌绪, 刘治国主编: 材料科学导论--融贯的论述, 化学工业出版社,北京, 2002, 刘治国参与主编并撰写第11章, 合作撰写第18章。
3，译著：R. W. 卡恩、P. 哈森、E. J. 克雷默主编“材料科学与技术丛书”，第五卷；“材料的相变”，P. 哈森主编，刘治国等译，科学出版社，北京，1998

其他招收和培养研究生情况以及学生获得的荣誉：
已指导并毕业博士生24名; 硕士生25名; 指导并出站博士后11名