顾书林微电子与光电子学系 博导
个人简历
学历
1993年9月 ? 1995年7月
南京大学物理系 理学博士
1983年9月 ? 1990年7月
南京大学 物理系微电子与固体电子学专业 学士与硕士
主要科研经历
2001年4月 ? 至今 南京大学物理系,教授
2002年4月 ? 至今 南京大学物理系,博导
1996年4月 ? 2001年3月 南京大学物理系,副教授
1998年7月-2000年5月 美国威斯康辛大学麦迪森分校 访问****
1992年8月-1996年7月南京大学物理系,讲师
1990年8月 ? 1992年7月南京大学物理系,助教
研究方向
宽禁带半导体(氧化锌、氮化镓)薄膜材料的外延生长、表征及器件应用
主要课程
半导体器件物理
代表成果
J.D. Ye, S.L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang,Y. Shi. Fermi-level band filling and band-gap renormalization in ga-doped zno. Applied Physics Letters 2005:86(19) 192111.
W. Liu, S. L. Gu, J.D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Blue-yellow ZnO homostructural light-emitting diode realized by metalorganic chemical vapor deposition technique, Applied Physics Letters 88, 092101 (2006)
J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Electroluminescent and transport mechanisms of n-ZnO/p-Si heterojunctions, Applied Physics Letters 88, 182112 (2006)
K. Tang, S. L. Gu, S. M. Zhu, J. G. Liu, H. Chtn, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Suppression of compensation from nitrogen and carbon related defects for p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 95,192106,2009
K. Tang, S. L. Gu, K. P. Wu, S. M. Zhu, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Tellurium assisted realization of p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 96, 242101, 2010
联系方式
电话:**
邮件:slgu@nju.edu.cn
信箱:
办公地址:蒙民伟楼807室
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
南京大学电子科学与工程学院导师教师师资介绍简介-顾书林
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