姓名

方必军

性别

男

出生年月

1971年5月

学历/学位

博士

职称

教授

职位

系主任

所属部门/专业

材料科学与工程

社会兼职

联系电话

13915008372

Email

fangbj@cczu.edu.cn

教育工作背景

安徽师范大学本科
中国科学技术大学硕士
中国科学院上海硅酸盐研究所博士
日本宇都宫大学博士后
蚌埠医学院助教（1993.7-1996.9）
爱科电子（珠海保税区）有限公司研发部高级工程师（2002.5-2003.5）
安徽师范大学化学与材料科学学院校聘教授（2005.6-2006.2）
常州大学材料科学与工程学院教授（2006.2-至今）

主要研究方向

新型压电/铁电单晶的生长与性能研究
压电/铁电陶瓷的制备与性能研究
复合硫化物的溶剂热合成

主要在研项目

弛豫铁电单晶PZNT的热释电性能及其应用
高性能无铅铁电固溶体的制备科学及其结构本质
新型电光晶体PZN-PT单晶的生长与应用研究

主要研究成果

长期从事压电铁电陶瓷单晶材料及器件应用的研究。
科研工作中在国际上首创了用熔体法生长PZNT单晶，为PZNT单晶的规模化生长提供了广阔的前景，获得中国发明专利1项（专利号：ZL 02 1 11002.6），研究结果在Adv. Func. Mater.等学术刊物上发表，在国际上引起一定的反响。发现了PZNT单晶具有较大的热释电效应、较高的热电响应优值，有望在非制冷红外探测和成像器件方面获得应用，研究结果在Appl. Phys. Lett.等学术刊物上发表。
发展了钶铁矿/钨锰铁矿前驱体预合成法，将B位氧化物预合成法应用于制备PFN、PScN基铁电陶瓷，获得了应用于多层陶瓷电容器工业、具有较大的介电常数、较小的介电损耗的铁电陶瓷新配方及普遍应用于电子陶瓷工业、降低PFN、PScN基铁电陶瓷介电损耗、改善介电性能频率色散现象的方法，申请中国发明专利2项，研究成果在J. Phys. D Appl. Phys.等学术刊物上发表。
通过添加第二相形成固溶体和掺杂烧结助剂的方法，在常压下烧结获得了具有较高致密度的(Na1-xKx)NbO3（NKN）基无铅压电陶瓷，改善了NKN基无铅压电陶瓷的压电性能，申请中国发明专利1项，研究成果在硅酸盐学报等学术刊物上发表。
发表有影响力的研究论文50余篇，其中被SCI、EI双收录的论文40余篇，学术论文被他引130余次。