一、简历
    陈占国，男，博士、教授、博士生导师。1972年生，黑龙江省宝清人。1994年，吉林大学电子工程系微电子技术专业本科毕业，获工学学士学位。同年免试录取为半导体物理与半导体器件物理专业硕士研究生，1997年，获理学硕士学位，同年留校任教。2002年，于微电子学与固体电子学专业毕业，获理学博士学位。1997年留校后，一直在吉林大学电子科学与工程学院工作和学习，历任助教、讲师、副教授、教授至今。2006年8月—2007年4月，在美国纽约城市大学城市学院做访问学者，从事半导体表面增强拉曼光谱和II-VI族量子点材料MBE生长技术的研究。2007年5月—2007年10月，在美国可再生能源国家实验室做访问学者，从事第一性原理计算方面的研究工作。曾任微电子学系副主任、主任、院长助理，现任副院长。

二、主要研究方向
1. 硅基光电子学
    重点研究硅材料的非线性光学性质、硅基电光调制器、硅基光开关、硅基光电探测器等硅基光电器件。
2. 宽禁带半导体材料与器件
    重点研究立方氮化硼、六方氮化硼、金刚石等宽禁带半导体材料的制备、性质、以及基于这些宽禁带半导体材料的大功率电子器件和深紫外光电器件等。
三、承担科研项目
1. 高性能六方氮化硼深紫外光电探测器的研究（项目负责人）
国家自然科学基金项目（批准号：**，2015.01-2018.12）
2. 宽禁带半导体激光器件关键科学问题研究（主要参加人）
国家自然科学基金重点项目（批准号：**，2013.01-2016.12）
3. 立方氮化硼单晶真空紫外光电探测器的研究（项目负责人）
国家自然科学基金面上项目（批准号：**，2011.01-2013.12）
4. 硅基场致GHz电光调制器的研制（项目负责人）
国家科技部863项目（批准号：2009AA03Z419，2009.05—2011.12）
5. 基于场致线性电光效应的高速硅基电光调制器的研究（项目负责人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：**，2010.01-2010.12）
6. 硅材料中电场和应力诱导的二阶非线性光学效应研究（项目负责人）
教育部留学回国人员科研启动基金项目（2009.01－2011.12）
7. 硅材料场致非线性光学效应研究：界面与表面结构的测绘（项目负责人）
国家自然科学基金委中俄协议项目（批准号：，2008.1-2009.12）
8. 电场和应力诱导的硅材料二阶非线性光学效应及其应用研究（项目负责人）集成光电子学国家重点联合实验室自主研究课题（项目编号：IOSKL –ZZKT –ZY-01，2007.01－2011.12）
9. 表面等离子体增强显微拉曼光谱仪（主要参加人）
国家自然科学基金委科学仪器基础研究专项基金项目（项目批准号：**，2007.01-2009.12）
10. 硅器件中的场致线性电光效应研究（项目负责人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：**, 2006.01-2008.12）
11. 应力和直流电场诱导的二次谐波的产生：硅基结构的测绘（主要参加人）
国家自然科学基金委中俄协议项目（批准号：，2007.1—2008.12）
12. 球型硅双光子响应光电探测器研究（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：**，2005.01－2007.12）
13. 立方氮化硼的二阶非线性光学性质研究（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：**, 2002.01-2004.12）
14. 双光子响应硅光电探测器研究与应用（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：**，2000.01-2001.12）
15. 高空间分辨率外部电光取样技术研究（主要参加人）
国家自然科学基金面上项目（项目批准号：**，1997.01-1999.12）
四、代表性工作及论文
（一）代表性工作
    将固浸透镜技术与电光检测技术相结合，发明了半球形GaAs电光固浸探头，并成功地使外部电光检测技术的空间分辨率提高到亚微米的量级。这项工作发表在Journal of Physics D: Applied Physics杂志上。
为了提高双光子响应光电探测器的响应度和灵敏度，参与发明了半球形和球形双光子响应光电探测器，使得探测器的性能得到明显改善。这项工作发表在Applied Physics Letters，Applied Physics B，Chinese Physics Letters等杂志上。并获得了国家发明专利。
    首次从理论和实验上证实了硅材料中电场诱导的场致线性电光效应和场致光整流效应的存在，为研制新型硅基电光调制器奠定了基础。这项工作发表在Applied Physics Letters等杂志上。
    研究了立方氮化硼的线性电光效应、倍频效应、光整流效应等二阶非线性光学效应，并利用立方氮化硼的线性电光检测技术，测定了立方氮化硼的二阶非线性极化率的大小。在研究过程中，还观测到立方氮化硼的负阻效应、蓝紫光发光现象和热致及电致变色等现象。这些研究为研制立方氮化硼紫外光电器件奠定了基础。这些工作发表在Applied Physics Letters，Applied Physics B，Chinese Physics Letters等杂志上。
（二）主要论文
发表SCI、EI检索论文60多篇，获得发明专利1项。代表性成果如下：
1. Li Zhang, Fangye Li, ShuaiWang et al. Research of optical rectification in surface layers of germanium, Chin. Opt. Lett., 16(10):102401 (2018).
2. Haiyan Quan, Xin Wang, Li Zhang et al. Stability to moisture of hexagonal boron nitride ?lms deposited on silicon by RF magnetron sputtering, Thin Solid Films, 624: 90-95 (2017).
3. Qi Wang, Hai Zhang, Nian Liu et al. Electro-optic effects induced by the built-in electric field in a {001}-cut silicon crystal, Chin. Opt. Lett., 14(1): 012301 (2016)
4. Xinlu Li, Shuang Wang, Xiuhuan Liu, et al. Investigation on cubic boron nitride crystals doped with Si by high temperature thermal diffusion, Appl. Surf. Sci., 308: 31-37 (2014).
5. Feng, Shuang,  Hou Lixin, Liu Xiuhuan, et al. Characteristics of plate-like and color-zoning cubic boron nitride crystals, Appl. Surf. Sci., 285: 817-822 (2013).
6. Liu Xiu-Huan, Li Yi, Chen Zhan-Guo, et al., Quadratic nonlinear response to 1.56-μm continuous wave laser in semi-insulating GaAs, Chin. Opt. Lett., 11: 112501 (2013).
7. Zhu Jing-Cheng, *Chen Zhan-Guo, Liu Xiu-Huan, et al., Investigation on the electric-field-induced Pockels effect and optical rectification in near-intrinsic silicon samples, Opt. Laser Tech., 44(3): 582-586 (2012).
8. Hou Lixin, *Chen Zhanguo, Liu Xiuhuan, et al. X-ray photoelectron spectroscopy study of cubic boron nitride single crystals grown under high pressure and high temperature, Appl. Surf. Sci., 258(8): 3800-3804 (2012).
9. Liu Xiu-Huan, *Chen Zhan-Guo, Jia Gang, et al. A [111]-Cut Si Hemisphere Two-Photon Response Photodetector, Chin. Phys. Lett., 28(11): 114202 (2011).
10. Zhao Jianxun, Jia Gang, Liu Xiuhuan, *Chen Zhanguo, et al. Measurement of third-order nonlinear optical susceptibility of synthetic diamonds, Chin. Opt. Lett., 8(7): 685-688, (2010).
11. Zhao Ji-Hong, Chen Qi-Dai, Chen Zhan-Guo, et al., Enhancement of second-harmonic generation from silicon stripes under external cylindrical strain, Opt. Lett., 34(21): 3340-3342, (2009).
12. Ren Ce, Chen Zhanguo, Jia Gang et al. Absorption Related to Electrochromism in Cubic Boron Nitride Single Crystals, Chin. Phys. Lett. 26, 067804 (2009)
13. Zhanguo Chen, Jianxun Zhao et al, Pockel’s effect and optical rectification in (111)-cut near-intrinsic silicon crystals, Appl. Phys. Lett. 92, 251111 (2008).
14. Bao Shi, Xiuhuan Liu, Zhanguo Chen et al. Anisotropy of photocurrent for two-photon absorption photodetector made of hemispherical silicon with (110) plane, Appl. Phys. B 93, 873-877 (2008).
15. Zhanguo Chen, Gang Jia et al. Studies of the second-order nonlinear optical properties of cubic boron nitride, Appl. Phys. B, 88, 569-573 (2007).
16. Xiuhuan Liu, Bao Shi, Gang Jia, Zhanguo Chen et al. Hemispherical semi-insulating GaAs double-frequency absorption photodetector operating at 1.3μm wavelength，Appl. Phys. Lett. 90, 101109 (2007).
17. Dou Qingping, Ma Haitao, Jia Gang, Chen Zhanguo et al. Light emission from cBN crystal synthesized at high pressure and high temperature, Appl. Phys. Lett. 88, 154102 (2006).
18. Chen Zhanguo, Jia Gang, Yi Maobin, External electro-optic measuring system with high spatial resolution and high voltage sensitivity by using an electro-optic solid immersion probe. J. Phy. D: Appl. Phys., 34, 3078-3082 (2001).
19. 半球形和球形双光子响应半导体光电探测器（国家发明专利，专利号：ZL1.7, 发明人：贾刚，陈占国，刘秀环，时宝, 授权日：2009年7月22日）
五、讲授课程
1. 本科生课程：曾主讲过《半导体物理学》、《量子力学》、《半导体物理实验》，现为国家级精品课《半导体器件物理》的主讲教师之一。
2. 研究生课程：曾主讲过《纳米材料学与电子材料理论》。现为《量子电子学》的主讲教师。
六、主要荣誉
1. 2014年，吉林省高等学校优秀教学团队带头人。
2. 2011年，荣获吉林大学2008—2010年度“教书育人”先进个人称号。
3. 2006年，荣获吉林大学“优秀共产党员”称号。
4. 2003年，荣获吉林大学首届青年教师教学水平大赛三等奖。
七、报考要求
1. 招收对象：微电子学、电子科学与技术、物理、材料等专业背景的学生。
2. 外语要求：具有较强的英语读写能力。
3. 个性要求：对科研具有浓厚兴趣，能够自律；勤奋刻苦，积极上进；愿意与老师和同学积极交流，有很强的集体荣誉感和团队合作精神；善于思考，敢于质疑，勇于创新。
八、毕业生去向
1. 著名微电子和光电子公司，如中兴、三星、联想、京东方、华星等。
2. 高校任教。
3. 出国深造。
九、联系方式
办公室地址：唐敖庆楼D334
电话号码： （Office），**
电子邮件： czg@jlu.edu.cn