一、简 历
受教育经历
1998/09 – 2002/06，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，博士
1984/09 – 1987/06，吉林大学，电子科学系，硕士
1978/09 – 1982/06，吉林大学，半导体系，学士
研究工作经历
2008/12-现在，   吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，教授
2010/03-2011/03，Nanyang Technological University，School of Electrical & Electronic Engineering，访问学者
2004/10-2008/12，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，教授
2003/03-2005/03，中科院长春光学精密机械与物理研究所，激发态室，在职博士后
2000/06-2004/10，吉林大学，电子科学与工程学院微电子系，副教授
1988/12-2000/06，吉林工业大学，理学院物理系，副教授
1987/06-1988/12，哈尔滨工业大学，理学院物理系，讲师
1982/06-1984/09，电子工业部第四十九所，六室，助工
二、研究方向
1.半导体光电材料的生长
2.光电器件的设计和制作
三、承担科研项目及获奖
作为主要参加人和负责人完成了如下主要项目：
1.国家自然科学基金重点项目—非致冷红外焦平面列阵关键材料的研究。
2.国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”的子课题—InP基应变补偿能带工程及其光子开关器件应用研究。
3.国家自然科学基金项目—1.5um室温连续InAs/InP自组装量子点激光器。
4.国家自然科学基金项目—非致冷InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研制,。
5.863项目—应用于光电探测技术的中红外二极管和激光二极管。
6.中国博士后科学基金资助项目— InGaAs非致冷红外焦平面阵列的研究，
四、讲授课程
1.本科生课程：（a）热力学与统计物理；（b）半导体器件物理实验
2.研究生课程：微机电系统
五、代表性工作及论文
1.Yingtian Xu, Jun Dai, Zhifeng Shi, Beihong Long, Bin Wu, Xupu Cai, Xianwei Chu,Guotong Du, Baolin Zhang, Jingzhi Yin*. Fabricating ZnO single microwire light-emitting diode with transparent conductive ITO film. Journal of Luminescence, 149: 313–316, 2014.
2.YINGTIAN XU, YING LI, BEIHONG LONG, YAN MA, GUOTONG DU, JINGZHI YIN*,
Influence of noise mechanism on zero-bias resistance junction-area product in In0.53Ga0.47As photovoltaic infrared detector, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 16: 276 – 282, 2014.
3.YINGTIAN XU, YING LI, BEIHONG LONG, YAN MA, GUOTONG DU, JINGZHI YIN*. Studying the influence of material parameters on quantum efficiency of In0.53Ga0.47As photovoltaic detector. OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS – RAPID COMMUNICATIONS. 6: 1009–1014, 2012.
4.Yuchun Chang, Bao Shi, Longhai Li, Jingzhi Yin*, Fubin Gao, Guotong Du, Yixin Jin. Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistance–area product in In1?xGaxAs detector. Solid State Communications, 151: 1953–1957, 2011.
5.Yuchun Chang, Tao Wang, Fei Yin, Jingwei Wang, Zhenyu Song,Yiding Wang, Jingzhi Yin*. InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for~10mm wavelength infrared range. Infrared Physics & Technology, 54: 478–481, 2011.
6.CHANG Yu-chun, TIAN Chang-xin, MA Yan, YIN Jing-zhi*, GAO Qiang, WANG Yi-ding, GAO Fu-bin, DU Guo-tong. Influence of temperature on Auger recombination lifetime in In1-xGaxAs materials. Optoelectronics Letters, 6(1): 0031-0033, 2010.
六、报考要求
具有半导体材料和器件理论知识。
英语好，能熟练地阅读英文文献。
七、毕业生去向
高校、研究所或公司。
八、联系方式
办公室：理化楼D328
E-mail：yjz886666@163.com