一、简介
李贤斌，教授/博导，广东新会人，国家优青，教育部青年****。长期从事相变信息存储器及光电器件中关键材料物理问题的研究，特别针对相变存储器速度提升与功耗降低等关键问题，基于电子结构计算方法，在半导体的原子结构、电子态的设计与调控方面取得了多项创新成果。曾在Phys. Rev. Lett.、Nature Commun.、Adv. Mater.、Nano Today、Adv. Funct. Mater、Acta Mater.等学术期刊发表第一/通讯作者论文39篇，被包括Science、Nature Rev. Mater.在内总引1900次、H因子27。曾获国际半导体物理大会、美国材料学会相变存储论坛、中德电子存储材料双边学术论坛等重要学术会议邀请报告22次。主持国家自然科学基金优秀青年项目、面上项目、青年项目、973子课题等科研项目8项。曾获吉林大学优秀青年教师计划、吉林省自然科学学术成果奖。李博士在相变存储领域的持续探索得到同行关注：参与设计的TiSbTe相变材料因超快存储速度被Philips Wong（台积电现任首席技术官）点评为具有出众性能；与合作者共同提出的过渡金属元素牢靠钉扎中心模型为国产相变存储芯片研制提供材料设计方案；曾受邀在纪念相变存储技术发明人Stanford R. Ovshinsky先生的学术特刊中撰写关于电子激发诱导相变存储新机制的研究进展综述。
学术兼职:
1. 计算半导体物理实验室(www.ioe-jlu.cn/csp)，执行主任；
2. 美国电气电子工程师学会会员、中国光学会会员；
3. 著名学术期刊Phys. Rev. Lett.、Science adv.、Nature Commun.、Adv. Mater.、J. Am. Soc. Chem.、Adv. Funct. Mater. 邀请评审人；教育部学位中心优秀毕业论文通讯评议专家。
二、研究方向（基于电子结构计算的第一性原理方法）
1. 高密度存储集成电路的半导体材料物理研究；
2. 面向类脑计算应用的核心半导体的材料基因工程计算设计；
3. 超快光存储过程的调控与设计；
4. 面向延伸摩尔定律的低维半导体的缺陷导电调控规律及方法开发。
三、获奖情况
2018年，吉林省自然科学学术成果奖（B**），“评价二维材料中带电缺陷形成能与载流子离化能的理论新方法”，李贤斌（通讯作者）。
四、代表论文
1. Phase-Change Superlattice Materials toward Low Power Consumption and High-Density Data Storage: Microscopic Picture, Working Principles, and Optimization. Adv. Funct. Mater., ** (2018)
2. Directional Forces by Momentumless Excitation and Order-to-Order Transition in Peierls-Distorted Solids: The Case of GeTe. Phys. Rev. Lett. 120, 185701 (2018)
3. Engineering two-dimensional electronics by semiconductor defects. Nano Today 16, 30 (2017)
4. Determination of formation and ionization energies of charged defects in two-dimensional materials, Phys. Rev. Lett.114, 196801 (2015)
5. Clarification of the Molecular Doping Mechanism in Organic Single-Crystalline Semiconductors and their Application in Color-Tunable Light-Emitting Devices. Adv. Mater. ** (2018)
6. Strong electron-polarized atom chain in amorphous phase-change memory GeSbTe alloy. Acta Mater. 143, 102 (2018)
7. Element-specific amorphization of vacancy-ordered GeSbTe for ternary-state phase change memory. Acta Mater. 136, 242 (2017)
8. Origin of high thermal stability of amorphous Ge1Cu2Te3 alloy: A significant Cu-bonding reconfiguration modulated by Te lone-pair electrons for crystallization, Acta Mater. 90, 88 (2015)
9. Native defects and substitutional impurities in two-dimensional monolayer InSe. Nanoscale 9, 11619 (2017)
10. Boron based two-dimensional crystals: theoretical design, realization proposal and applications, Nanoscale 7, 18863 (2015)
11. One order of magnitude faster phase change at reduced power in Ti-Sb-Te, Nature Commun. 5, 4086 (2014)
12. Role of electronic excitation in the amorphization of Ge-Sb-Te alloys, Phys. Rev. Lett. 107, 015501 (2011)
五、电子邮箱
lixianbin@jlu.edu.cn
适合专业：电子、物理、材料方向；本科成绩优良/硕士期间取得阶段成果、熟练使用外语进行科技写作和交流（CET6），积极上进。欢迎有志于攀登科学高峰、投身国家半导体事业的青年才俊咨询联系。