姓名刘秀环民族汉

出生日期1968年工作单位通信工程系
党派九三专业通信与信息系统
职称副教授任职时间2008年9月
硕导/博导硕士导师聘任时间2008年9月
行政职务
担任时间

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主要学历：
1987.09-1991.06 吉林师范学院 物理专业 学士
1991.09-1994.06 东北师范大学 物理专业 硕士
2003.09-2007.06 吉林大学 微电子学与固体电子学业 博士
   
主要学术经历：
1996.08 长春邮电学院 讲师
2001.09 吉林大学 讲师
2008.09 吉林大学 副教授
研究方向及主要研究内容介绍：
硅基和紫外光电子器件光电子学与非线性光学；忆阻器及其应用研究
兼职情况：


承担的教学任务及授课对象：
1、电路分析基础 本科生，第二学期；
2、信号与系统（双语） 本科生，第三学期
培养研究生情况：
在读硕士3人，毕业7人。
承担过的主要科研项目：
1. 国家自然科学基金面上项目，高性能六方氮化硼日盲探测器的研究，参加。
2. 吉林省自然科学基金面上项目，基于场致倍频吸收高响应度光通信波段光电探测器,负责人。
3. 国家自然科学基金委国际（地区）合作与交流项目/中俄合作研究项目，表面等离子体增强立方氮化硼晶体光致发射蓝紫光的研究，负责人。
4. 国家自然科学基金面上项目，电抽运立方氮化硼晶体激射蓝紫光的研究，参加。
5. 国家科技部863计划项目,硅基场致GHz电光调制器的研制，参加。
6. 集成光电子学国家重点联合实验室资助项目,电场和应力诱导的硅材料二阶非线性光学效应及其应用研究，参加。
7. 国家自然科学基金面上项目，球型硅双光子响应光电探测器研究，参加。
获得主要科研成果：
1.通信作者，Electro-optic effects induced by the built-in electric   field in a {001}-cut silicon crystal，Chinese Optics   Letters，2016，14：012301
2.第一作者，Photo-and-dark-current-voltage characteristics of normal-incidence GaAs   photodetectors with two types of electrode configurations，Proceedings of SPIE，2015，9522：952220
3.第一作者，Electroluminescence of cubic boron nitride single crystal   flakes with color-zoning，Proceedings of SPIE，2015，9522：952221
4.通信作者，Investigation   on cubic boron nitride crystals doped with Si by high temperature thermal   diffusion，Applied Surface Science，2014，308：31-37
5.第一作者，Quadratic nonlinear response to   1.56-μm continuous wave   laser in semi-insulating GaAs，Chinese Optics Letters，2013，11（11）：112501
6.第一作者,Anisotropy of two-photon   absorption in [110]-cut nearly-intrinsic silicon crystal, Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2012.8, 31(04): 302~305+335
7.第一作者，A   [111]-cut Si hemisphere two-photon response photodetector，Chinese Physics Letters，2011，28（11）：114202
8.第一作者，Physical mechanism of   two-photon response in semi-insulating GaAs，Chinese   Physics Letters，2008, 25（1）：125-128
9.第一作者，The DC   eletric field induced second-order nonlinear susceptibility of silicon   crystals, Proceedings of SPIE, 2008, 6839: U395-U399 10.第一作者，Hemispherical   semi-insulating GaAs double-frequency absorption photodetector operating at   1.3 um wavelength， Applied Physics Letters，2007，90（10）：101109