近日，我校材料科学与工程学院新型光电子器件与光源团队在材料领域顶级期刊《Advanced Materials》上发表了题为“Phosphorescent Dye Sensitized Quantum-Dot Light-Emitting Diodes with 37% External Quantum Efficiency”的研究性文章，影响因子为29.4。长春理工大学为第一通讯单位，王艳平副教授为第一作者和第一通讯作者，吉林大学张宇教授和云南大学赵勇彪教授为共同通讯作者。
王艳平副教授携手吉林大学张宇教授、云南大学赵勇彪教授，针对量子点 (QDs) 的导带和价带能级较低，QDs发光层直接获取激子会受到较差空穴注入影响，导致电子—空穴注入不平衡和低辐射复合速率这一难题联合开展攻关研究，提出了以TFB: Ir(MDQ)2(acac)同时作为空穴传输层和激子收集器的简单且有效策略，开展了红光QLEDs研究。优化后的Ir(MDQ)2(acac)掺杂浓度为10 wt%，相应红光器件的最大外量子效率 (EQE)高达37%，这是目前非叠层结构红光器件EQE的新纪录。
为了探究器件的工作机理，研究团队分别从光物理、载流子转移动力学、薄膜形貌、能级分布以及单载流子器件的载流子输运特性等角度详细分析了器件的工作机理，揭示了Ir(MDQ)2(acac)与QDs之间高效的能量传递机制，即Ir(MDQ)2(acac)捕获来自相邻QDs发光层泄漏的电子并与其自身传输的空穴形成激子，收集的激子通过F?rster共振能量转移 (FRET) 机制转移给QDs，从而提高了器件性能。
此次在量子点发光二极管 (QLEDs) 研究方面取得新突破，为实现高效率和良好稳定性的QLEDs提供了一种新的实用方法，得到了吉林省科技厅自然科学基金面上项目、重庆市科技局自然科学基金面上项目的支持。

文章链接：https://doi.org/10.1002/adma.202306703

（供稿：材料科学与工程学院 撰稿：刘全生 审核：蒋大勇 编辑：周南）