黄海宾
本科－博士 : 南京航空航天大学 材料学院，本硕博连读 2001－2010
光伏研究院/材料科学与工程学院 副教授，硕士生导师，太阳电池研究所所长。
主要研究兴趣：
晶硅异质结太阳电池、新型器件结构的硅基太阳电池，包括器件结构的设计、模拟分析及产业化制备技术；半导体薄膜制备技术。致力于晶体硅太阳电池的产业化技术创新，参与晶体硅异质结太阳电池技术从实验室到生产技术的研发和推广工作，参与的中智电力（泰兴）公司晶体硅异质结太阳电池产业化项目进展顺利，量产平均效率超过22.5%，达到了世界一流水平。

主持科研项目：
－高效低成本晶体硅前场非晶硅背结的n型晶硅双面太阳电池研究，国家自然基金-科学部综合管理项目
－双层发射极掺氧钝化晶硅异质结太阳电池技术，江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目
－“新型节银主栅结构与技术”配套的组件焊接、封装工艺设计优化，江苏省科技厅
- 热丝CVD法制备用于晶硅异质结太阳电池的a-SiOx:H薄膜研究，江苏省能量转换材料重点实验室
－双层发射极与双层背电场结构的晶硅异质结太阳电池的设计与可控构筑（国家自然科学基金 青年基金，已结题）。
- 晶硅异质结太阳电池的新型钝化层材料的研究（教育部博士点新教师基金，已结题）


硅基太阳电池以其无可比拟的优势占据太阳能光伏发电市场的领导地位。虽然现在已经发展到很好水平，但从其器件结构设计、生产制造技术方面仍有巨大进步空间。结合光伏器件光电转换理论及器件工作理论基础，创新其器件结构改进其制造方法，提高硅基太阳电池的转换效率，进一步降低其发电成本，是推进太阳电池光伏发电普及应用的根本。欢迎各方同道交流合作，为太阳能光伏发电这一新能源产业贡献一份力量。
haibinhuang@ncu.edu.cn； www.ipv.ncu.edu.cn

发表文章：
入职南昌大学以来发表正式学术论文30余篇，其中第一和通讯作者论文21篇。在国内外进行学术报告30余次，其中邀请报告近10次。
[1] 何玉平,黄海宾*,龚洪勇,周浪. a-Si:H基薄膜中SiH及SiH2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究. 真空科学与技术学报,2015，35（8）：970-974. （EI）
[2] 何玉平，黄海宾*，周浪，宁武涛，李丹. HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化性能的影响研究. 功能材料，2015，46卷，22期：22067-22070. (EI)
[3] Yuping He, Haibin Huang*, Lang Zhou, Zhihao Yue, Jiren Yuan. Effect of substrate temperature and post-deposition annealing on intrinsic a-SiOx:H film for n-Cz-Si wafer passivation. Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE). 2016, 27(5): 4659-4664. DOI: 10.1007/s10854-016-4344-5（SCI）
[4] 王涛;黄海宾*;孙喜莲;田罡煜;宿世超;高超;袁吉仁;岳之浩;周浪. 重掺杂c-Si背场的a-Si:H/c-Si背结双面太阳电池初步实验研究. 激光与光电子学进展, 2017 ，54(8) :241-245。（中文核心）
[5] 龚敏刚,黄海宾*,田罡煜,高超,孙喜莲,邓新华,袁吉仁,周浪. DLTS法分析本征非晶硅薄膜钝化晶体表面的特性. 激光与光电子学进展. 2017年第54卷第12期 pp.121603。（中文核心）
[6] Yuping He, Haibin Huang*, Lang Zhou, Zhihao Yue, JirenYuan，Naigen Zhou，Chao Gao. a-SiOx:H passivation layers for Cz-Si wafer deposited by hot wire chemical vapor deposition. Materials Science in Semiconductor Processing. 2017, 61:1-4. （SCI源刊）
[7] 宁武涛，何玉平，黄海宾*，周浪。热丝电流对HWCVD制备a-Si:H膜结构及钝化效果的影响. 半导体技术, 2015，40（8）：606-610.（中文核心）
[8] 田罡煜，王涛，黄海宾*，孙喜莲，孙喜莲，高超，岳之浩，袁吉仁，周耐根，周浪, 热丝CVD法沉积超薄α-Si:H钝化膜研究. 半导体制造技术, 2017,42（5）：381-387。（中文核心）
[9] 宿世超, 王 涛, 韩宇哲, 田罡煜, 黄海宾*, 高 超, 岳之浩, 袁吉仁, 周 浪. 热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究，人工晶体学报， 2016, 45(11): 2591-2595. （中文核心）
[10] H. Huang, H. Shen, L. Zhang, T. et al. Effects of hydrogen dilution ratio on properties of Boron-doped germanium films by hot-wire Chemical vapor deposition[J]. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009, 11(11): 1769-1772. (SCI收录)
[11] 黄海宾, 沈鸿烈, 唐正霞, 等. 热丝CVD法单晶硅衬底低温外延Si和Ge膜[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(3): 291-295.(EI源刊)
[12] 黄海宾, 沈鸿烈, 吴天如, 等. 热丝CVD工艺参数对SiGe薄膜键结构影响的研究[J]. 功能材料,2010, 41(10): 1699-1701 (EI源刊),
[13] 黄海宾，周慧敏，丁晶，周浪. 高方块电阻发射极晶硅太阳电池计算模拟研究，中国科技论文在线。http://www.paper.edu.cn/html/releasepaper/2012/03/647/
[14] 黄海宾，张东华，汪已琳，龚洪勇，高江，Wolfgang R. Fahrner, 周浪。α-SiOx:H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析[J].功能材料，2014, 45(9):9101-9103。
[15] HUANG Haibin, GAO Jiang, Wolfgang R. Fahrner, ZHOU Lang. Theoretical analysis of the double-layer emitter with different doping concentrations for a a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. 中国科技论文在线. http://www.paper.edu.cn/html/releasepaper/2014/04/282/
[16] HUANG Haibin, SHEN Honglie, WU Tianru, LU Linfeng, TANG Zhengxia, SHEN Jiancang. Properties of boron-doped μc-Ge:H films deposited by hot-wire CVD. Journal of Wuhan University of Technology-Mater. Sci. Ed. Vol.30, No.3(2015):516-519.
[17] Haibin Huang, Gangyu Tian, Tao Wang, Chao Gao, Jiren Yuan, Zhihao Yue, Lang Zhou*. Analysis on the double-layer a-Si:H emitter with different doping concentrations for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. Frontiers in Energy. 2017,11（1）：92-95. DOI 10.1007/s11708-016-0432-8（核心源刊，EI收录）
[18] Huang Haibin, Yue Zhihao, He Yuping, Yuan Jiren, Zeng Xiaoxing, Zhou Naigen, Zhou Lang. Formation of epitaxial heavy-doped silicon films by PECVD method. Journal of Wuhan University of Technology-Mater. Sci. Ed. Accepted（SCI源刊）.
[19] Jiren Yuan, Haibin Huang*, Xinhua Deng, Mingang Gong, Cuicui Liu, Zhihao Yue, Chao Gao, Naigen Zhou, Lang Zhou. Intermediate band materials obtained by rapid thermal process of Co-implanted silicon. Materials Letters, In Press. Available online 23 August 2017
[20] H. Huang, G. Tian, L. Zhou*, J. Yuan, W.R. Fahrner, W. Zhang, X. Li, W. Chen, R. Liu. A Novel Bifacial c-Si Cell Structure and Process for High Efficiency and Low Cost. 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, P.777 - 779 . Paper DOI: 10.4229/EUPVSEC**-2AV.3.34。2Av.3.34, Proceeding of the 33rd EU PVSEC, 24-29th, September, 2017, Amsterdam, the Netherland.
[21] Haibin Huang, Gangyu Tian, Lang Zhou*, Jiren Yuan*, Wolfgang R. Fahrner, Wenbin Zhang, Xingbing Li, Wenhao Chen, and Renzhong Liu. Simulation and experimental study of a novel bifacial structure of silicon heterojunction solar cell for high efficiency and low cost. Chin. Phys. B Vol. 27, No. 3 (2018) 038502.





书籍：
[1] 周浪，黄海宾. 科技创新“六个一”工程相关产业技术中级读本：光伏产业关键技术. 赣新出内准字第**号，2010，江西省科学技术厅。
[2] Wolfgang R. Fahrner, Haibin Huang, Thomas Mueller, Stefan Schwertheim, Frank Wuensch and Heinz-Christoph Neitzert. Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cell. ISBN :978-3-642-37038-0. Springer&化工出版社2013-04。
[3] 侯海红，张磊，钱斌，马玉龙，张静，黄海宾。薄膜太阳能电池基础教程。IBSN：978-7-03-051307-6， 2016，科学出版社。
[4] 袁吉仁，黄海宾，岳之浩，赵勇。新能源技术概论，IBSN：978-7-03-000000-0。2017， 科学出版社。


专利：
入职南昌大学以来申请专利60余项，其中已经授权15项。
[1] 黄海宾;周浪;龚洪勇;张东华;汪已琳;高江.一种突变结晶硅太阳电池的制备方法. ZL7.7（专利号），2014-10-29授权。
[2] 黄海宾;李媛媛;彭铮;周浪;魏秀琴;周潘兵. 一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，3(专利号), 2015-05-06授权
[3] 黄海宾;周 浪;高 江;崔冶青.一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法. 专利号：2.0, 2016-10-26授权
[4] 黄海宾;周 浪;沃尔夫冈·法赫纳;张东华.掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法. 专利号：9.6, 2016.04.06授权
[5] 黄海宾;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵. 一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，专利号：4， 2016.02.17授权
[6] 黄海宾, 周浪, 岳之浩, 高超. 一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法. 专利号：3.3， 2017.12.12授权
[7] 黄海宾,周 浪,崔冶青,高 江.用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法. 专利号：1.6 , 2017.01.04授权
[8] 黄海宾, 周浪, 高超, 岳之浩, 袁吉仁, 孙喜莲. 一种背结晶硅异质结太阳电池及其制备方法. 专利号：3.5， 2017.07.11授权。
[9] 黄海宾, 周浪. 一种可双面进光的晶硅太阳电池及其制备方法. 专利号：9.8， 2017-10-31授权。
[10] 黄海宾;?周浪;?岳之浩. 一种晶体硅基太阳电池用的高方阻掺杂晶硅层的制备方法. 专利号：20**, 2017.11.03授权。
[11] 法赫纳,黄海宾,周浪.一种用于太阳电池增效的等离子体激元.专利号：0.0, 2016-02-24日授权。
[12] R·弗里德里希, 沃尔夫冈 法赫纳, S·斯克韦尔特海姆, 周浪，黄海宾，向昱任. 晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法. 专利号：20** , 2015-10-28授权
[13] 黄海宾,周浪. 一种晶体硅太阳电池电极的背面结构,专利号：7.X，2014-6-18授权。
[14] 黄海宾,周浪. 一种晶体硅太阳电池的电极. 专利号：ZL 2013 2 **.9, 2014-6-18授权.
[15] 黄海宾,周浪,高超,袁吉仁,岳之浩,孙喜莲. 一种双面进光晶硅光伏组件.专利号：0.9，：2017-05-10授权.