导师简介

朱志甫，男，博士后，西部之光高级访问****，中科院客座教授。目前从事电子科学与技术的教学及科研工作，主讲硅基集成电路制造工艺、模拟CMOS集成电路设计和集成电路版图设计等课程。主要研究方向是辐射探测材料与器件、先进发光材料与器件、射线工业自动化检测应用研究。主持国家自然科学基金项目1项，省自然科学基金1项，教育厅项目1项，省部级项目4项，参与国家自然学科基金3项。发表SCI论文10余篇，其中SCI二区2篇，获批发明专利2项，实用新型专利3项。参与中广核贝谷科技股份有限公司校企合作 “辐射探测仪器及装置产业化”项目。目前，本人负责研制的Si-PIN探测器的性能指标已经达到国外同类产品，与中科院高能所陈元柏和孙志嘉老师课题组开展金刚石探测器和SDD探测器的研制，与东莞电子科技公司合作开发X射线在线检测PCB板仪器。
联系方式：okhere2008@126.com; qq:**
工作经历
2008.05 – 至今东华理工大学
2008.05 – 2013.03 中广核贝谷科技股份有限公司
2018.01 – 2020.12 博士后中广核贝谷科技股份有限公司
2019.09 – 2021.10 中科院(西部之光高级访问****)
主要科研项目
[1] 国家自然基金项目：基于10BN/GaN异质结的直接探测中子探测器研究（**），主持
[2]江西省教育厅项目：MOCVD法制备GaN基α粒子探测器及其性能研究（GJJ14501），主持
[3]江西省自然科学基金项目：基于核反应的直接探测10BN/GaN中子探测器的研究（20192BAB207033），主持
[4]江西省人力资源与社会保障厅项目：基于10BN/GaN直接探测中子探测器的研究（2018KY31），主持
[5 ]核探测与核电子学国家重点实验室：新型高效直接探测10BN/GaN中子探测器的制备及研究（SKLPDE-KF-201910），主持
发表论文及专利
Zhifu Zhu, Guotong Du, Hongwei Liang, et al. Characterization of interface state density of Ni/p-GaN structures by capacitance/conductance–voltage–frequency measurements [J]. Chinese physics letter. 2017.8(SCI检索)
Zhifu Zhu, Guotong Du, Hongwei Liang, et al. High-temperature performances of galliμm-nitride-based pin alpha-particle detectors grown on sapphire substrates [J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Detectors, Spectrometers. 2018.3(SCI检索，二区)
Zhifu Zhu, Jijun Zou, Bin Tang, Hongwei Liang, et al. Effects of 10 MeV high electron irradiation on performances of GaN-based pin alpha-particle detectors grown on sapphire substrates [J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Detectors, Spectrometers. 2018.3(SCI检索，二区)
朱志甫，汤彬，邹继军等.一种p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器，发明专利
汤彬，朱志甫，邹继军等.一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器，发明专利
朱志甫，汤彬，邹继军等.一种GaN带电粒子核辐射探测谱仪，实用新型专利
朱志甫，邹继军，汤彬等.一种大面积厚膜⁶LiF中子转换层制备方法，发明专利
黄河，邹继军，朱志甫等.一种室温下工作的GaN核辐射探测器，实用新型专利