Further evidence for the quantum confined electrochemistry model of the formation mechanism of p-type porous silicon (vol 69, pg 3399, http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/1996)
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香港中文大学研究人员 ( 现职)

郝少康教授 (物理系)

魏尔逊教授 (电子工程学系)

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数位物件识别号 (DOI) http://dx.doi.org/10.1063/1.119267

引用次数
Web of Sciencehttp://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/1WOS source URL

其它资讯
着者Jia L, Zhang SL, Wong SP, Wilson IH, Hark SK, Liu ZF, Cai SM
期刊名称Applied Physics Letters
出版年份http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/1997
月份2
日期http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/17
卷号70
期次7
出版社AMER INST PHYSICS
页次9http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/12 - 9http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/12
国际标準期刊号0003-695http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/1
电子国际标準期刊号http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/1077-3http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/1http://aims.cuhk.edu.hk/converis/portal/Publication/18
语言英式英语

Web of Science 学科类别Physics; Physics, Applied; PHYSICS, APPLIED