燕少安导师主页

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基本信息

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姓名: 燕少安
职称: 副教授
单位电话:
电子信箱: yanshaoan@xtu.edu.cn
办公室: 机械楼副楼204
个人主页:

个人简介

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个人简介

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燕少安，男，1989年12月出生于陕西西安，工学博士、中共党员，湘潭大学机械工程学院讲师。

学习工作经历

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2016/08 – 今，湘潭大学，机械工程学院，讲师



研究方向

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1、等离子体辅助微纳加工工艺；
2、二维材料半导体存储器；
3、新型半导体存储器多场耦合调控与失效机制。



科研项目

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主持：
1、国家自然科学基金青年项目，**，2019/01-2021/12，25万元，在研；
2、湖南省自然科学基金青年项目，2018JJ3513，2018/01-2020/12，5万元，在研；
3、湘潭大学博士科研启动基金项目，2017/01 - 2020/01，5万元，在研。
参与：
1、国家国防科技工业局XXX项目，XXXXXX，XXXXXX存储器研制，2019/01-2020/12，50万元，在研，排名第二；
2、国家自然科学基金面上项目，**，基于微纳结构设计与探针技术类石墨烯二维材料储能机理研究，2018/01-2021/12，60万元，在研；
3、湖南省重点研发计划，2015GK2003，高性能压力传感器的研制及产业化，2015/01-2017/12，200万元，已结题；
4、科技部973计划前期研究专项，2012CB326404，FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究，2012/08-2014/08，60万元，已结题。



代表性学术成果

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[1] S. A.Yan*, H. L.Wang, S. W.Luo, D.Wang, J.Gong, P. H.Luo, M. H.Tang, and X. J.Zheng, Controllable preparation of monolayer MoO₃/MoO_xby using plasma oxidation and atomic layer etching,Materials Letters, 2020, 276:128227.
[2] D.Wang, S. A.Yan*, Q. L.Chen, Q. M.He, G.Li, Y. G.Xiao, M. H.Tang, and X. J. Zheng*, Recovery of cycling-induced endurance failed HfO_xbased memristive devices by utilizing oxygen plasma treatment, Applied Physics Letters, 2019, 115(24): 243105.(通讯作者)
[3]D.Wang, S. A.Yan*, Q. L.Chen, Q. M.He, Y. G.Xiao, M. H.Tang and X. J. Zheng*, Direct observation of structural deformation immunity for understanding oxygen plasma treatment-enhanced resistive switching in HfO_x-based memristive devices,Nanomaterials, 2019, 9(10): 1355.(通讯作者)
[4]邓长发, 燕少安*, 王冬, 彭金峰, 郑学军*, 基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能[J]. 物理学报, 2019, 68(23): 237304-237304.(通讯作者)
[5] W. L. Zhang, Y. H. Mao, S. A. Yan*, M. H. Tang*, Y. G. Xiao, S. H. Dang, W. X. Zhao, G. Z Wang, Effect of orientation on polarization switching and fatigue of Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 thin films at both low and elevated temperatures, Nanoscale Research Letters 2019, 14: 121.(通讯作者)
[6] X. Y. Yan, J. F. Peng, S. A. Yan, X. J. Zheng, Electromechanical characterization of single GaN nanobelt probed with conductive atomic force microscope, Journal of Electronic Materials, 2018, 47(7): 3869-3875.
[7] S. A. Yan, W. Zhao, H. X. Guo, Y. Xiong, M. H. Tang , Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, H. Ding, J. W. Chen, Y. C. Zhou, Impact of total ionizing dose irradiation on Pt/SrBi2Ta2O9/HfTaO/Si memory capacitor, Applied Physics Letters, 2016.01.05, 106: 012901.
[8] S. A. Yan, G. Li, W. Zhao, H. X. Guo, Y. Xiong, M. H. Tang, Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, Z. F. Lei, Y. C. Zhou, Ionizing radiation effect on metal-ferroelectric-insulator-semiconductor memory capacitors, Semiconductor Science and Technology, 2015.07.28, 30: 085020.
[9] S. A. Yan, Y. Xiong, M. H. Tang, Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, W. Zhao, H. X. Guo, H. Ding, J. W. Chen, Y. C. Zhou, Impact of total ionizing dose irradiation on electrical property of ferroelectric-gate field-effect transistor, Journal of Applied Physics, 2014.05.23, 115: 204504.
[10] S. A. Yan, M. H. Tang, W. Zhao, H. X. Guo, W. L. Zhang, X. Y. Xu, X. D. Wang, H. Ding, J. W Chen, Z. Li, Y. C Zhou, Single event effect in a ferroelectric-gate field-effect transistor under heavy-ion irradiation, Chinese Physics B, 2014.02.10, 23 (4): 046104.