汪洋导师主页

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基本信息

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姓名: 汪洋
职称: 教授
单位电话:
电子信箱: wangyang@xtu.edu.cn
办公室:
个人主页:

个人简介

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个人简介

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汪洋，女，1981年生，博士，副教授，硕士生导师，2015年6月获湘潭大学理学博士学位。研究兴趣为高压高防护级别ESD/TVS器件结构设计及机理研究、器件级和电路级建模、TCAD工艺及器件仿真方法研究、全芯片ESD防护设计。完成湖南省教育厅资助一般项目1项，目前，主持湘潭大学博士科研启动项目在研1项，参与国家自然科学基金项目1项。以第一作者发表论文8篇，其中SCI收录4篇、EI收录3篇、获湖南省仪器仪表学会优秀论文一等奖1篇。获集成电路布图设计登记4项，申请发明专利2项，申请实用新型专利1项，授权实用新型专利1项。

主讲课程

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[1]VHDL硬件描述语言与复杂数字系统设计
[2] 微电子工艺原理
[3] 集成电路工艺与器件
[4] 微电子科学与工程专业导学

研究方向

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静电防护器件、瞬态电压抑制器件、TVS器件的片上集成

主要代表性论文

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[1] Yang Wang，Xiangliang Jin，Acheng Zhou，Liu Yang，Cathode Side Engineering to Raise Holding Voltage of SCR in a 0.5-μm 24V CDMOS Process，Journal of Semiconductor Technology and Science，2015，15（6）：601-607。
[2] Yang Wang，Xiangliang Jin，Liu Yang，Robust LDMOS with Interleaved Bulk and Source for High-Voltage ESD Protection，IET Power Electronics，2015，8（11）：2251-2256。
[3] Yang Wang，Xiangliang Jin，Liu Yang，Qi Jiang，Huihui Yuan，Robust dual-direction SCR with low trigger voltage, tunable holding voltage for high-voltage ESD protection，Microelectronics Reliability，2014，55（2014）：520-526。
[4] WANG Yang ，JIN Xiang-liang ，ZHOU A-cheng，Novel LDNMOS embedded SCR with strong ESD robustness based on 0.5 μm 18 V CDMOS technology，J. Cent. South Univ.，2014，22（2014）：552-559。
[5] 汪洋，周阿铖，朱科翰，金湘亮，18VLDMOS器件ESD电流非均匀分布的模拟和测试分析，固体电子学研究与进展，2012，32（3）：269-274。
[6] Yang Wang ，Xiangliang Jin ，Acheng Zhou，Liu Yang，Improvement on ESD Robustness of LDMOS by Bulk and Source Interleaved Dotting，2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2014)，2014.6.18-2014.6.20。
[7] Yang Wang ，Xiangliang Jin ，Huihui Yuan，Qi Jiang，Liu Yang，Investigation of layout effect on ESD performance of SCR-NLDMOS device，2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology，2014.10.28-2014.10.31。
[8] Yang Wang ，Acheng Zhou，Xiangliang Jin ，Design and analysis of dual direction SCR ESD devices in 0.5μm 5V/18V CDMOS technology，2012 International Conference on Electronic Information and Electrical Engineering，2012.6.15-2012.6.17。
[9] Yongming Yan，Yang Wang，Yun Zeng，Xiangliang Jin，Layout geometry impact on nLDMOS devices for high-voltage ESD protection，Electronics Letters，2015，51（23）：1902-1904。
[10] Liu Yang，Yang Wang，Acheng Zhou，Xiangliang Jin ，Design, fabrication and test of novel LDMOS-SCR for improving holding voltage，Solid-State Electronics，2014，103（2015）：122-126。
[11] Acheng Zhou，Yang Wang，Kehan Zhu，Xiangliang Jin ，Investigation of pickup effect for multi-fingered ESD devices in 0.5 um 5V/18V CDMOS process，Electronics Letters，2012，48（15）：911-913。
[12] Qi Jiang，Huihui Yuan，Yang Wang，Xiangliang Jin ，Design and analyze of transient-induced latch-up in RS485 transceiver with on-chip TVS，Microelectronics Reliability，2015，55（2015）：637-644。

成果获奖

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[1] 汪洋(2/7)，高压工艺用芯片级集成的静电释放器件新技术与应用，湖南省人民政府，科技进步三等奖，2014。（金湘亮，汪洋，谢亮，杨红姣，崔杨，刘航，马铭磷）
[2] 汪洋(4/5)，新一代数字硅微麦克风信号处理芯片技术研发及其应用，湘潭市人民政府，科技进步三等奖，2014。（金湘亮，谢亮，张文杰，汪洋，杨红姣）