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材料科学与工程学院研究生导师队伍
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郭红霞教授主页

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| 基本信息 | 个人简介| 学习工作经历| 研究方向| 获奖情况| 科研项目| 主要代表性论文| 发明专利

基本信息

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姓名:郭红霞
职称:教授
电话:**
电子信箱:guohxnint@126.com
办公室:
个人主页:暂无

个人简介

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郭红霞，女，1964.11生，山西太原人。西北核技术研究所研究员，博士，博士生导师，2010年入选中国科学院国内“百人计划”。主要从事电子元器件空间辐射单粒子效应模拟试验技术和仿真模拟研究，是我国空间辐射效应研究领域的学术带头人，在空间辐射单粒子效应模拟试验技术、仿真模拟技术、评估技术等方向作出了多项研究成果，部分成果已应用于型号设计，为我国抗辐射加固技术发展做出重要了贡献。
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学习工作经历

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学习经历

1998.09 - 2002.03 西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业 获博士学位

1990.09 - 1993.07 西北核技术研究所核电子学与探测技术专业，硕士学位

1985.09-1987.09：长沙国防科技大学核物理专业，大专毕业

工作经历

2003.12—现在： 西北核技术研究所三室研究员

2010.3—2015.03 中国科学院新疆理化技术研究所，辐射物理， 研究员，国内“百人计划”

1998.12—2003.11 西北核技术研究所六室副研究员

1998.9-2002.2 西安电子科技大学博士研究生

1993.8—1998.8 西北核技术研究所六室助理研究员

1990.09—1993.7 西北核技术研究所硕士研究生

1987.10—1990.08 西北核技术研究所二室助理工程师

1985.09—1987.09 长沙国防科技大学 学员

1983.09—1985.08 西北核技术研究所三室技术员
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研究方向

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空间辐射环境下微电子器件辐射效应模拟试验技术
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获奖情况

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获部委级一等奖两项、二等奖两项，三等奖七项。1991年获国防科工委继续工程教育先进个人； 2003年获研究所国防科研突出贡献奖；2004年博士论文获陕西省优秀博士论文。
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科研项目

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主持国家科技重大专项子课题1 项 预研项目4项 预研重点项目1项 国家自然科学基金1项。 中科院“国内百人”计划项目1项
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主要代表性论文

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[1]重离子导致的SiGe HBT单粒子效应电荷收集三维数值模拟 物理学报，ISSN：1000-3290，2013，SCI:116CG; EI:**176

[2]3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors，Chinese Journal of Semiconductors，ISSN：1674-4926，2014，EI:**645

[3]SiGe HBT单粒子效应激光微束模拟试验的影响因素研究，强激光与粒子束，ISSN：1001-4322，2013，EI:**499

[4]同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究，物理学报，ISSN：1000-3290，2014

[5]Dose Rate Effects of SiGe HBT for Gamma Ray under Different biases,

proceeding of 50th IEEE NSREC，2013

[6]锗硅异质结双极晶体管单粒子效应仿真与加固设计 ,物理学报，ISSN：1000-3290，2015

[7]Analysis of TID Failure Modes in SRAM-BasedFPGAUnderGamma-Ray and Focused Synchrotron X-Ray Irradiation,IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 61(4), pp. 1777-1784.(WOS:**039)

[8]Single-Event Cluster Multibit Upsets Due to Localized Latch-Up in a 90 nm COTS SRAM Containing SEL Mitigation Design,IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 61, NO. 4,AUGUST,pp1918-1923,EI:**830

[9]Investigation of reactor neutron irradiation signals increase in COTS array CCDs，AIP ADVANCES 4, 097132 (2014) SCI:AQ4ZD

[10]亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究，原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2010，EI:**389

[11]累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究,物理学报，ISSN：1000-3290，2013 ，SCI：224RY；EI: **360

[12]累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究,物理学报，ISSN：1000-3290，2014，SCI:AB8GU; EI:**634

[13]Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation,Chinese Physics B，ISSN：1674-1056，2014，SCI:AT7NN ; EI:**6 [14]First principles simulation technique for characterizing single

event effects,Chinese Physics B，ISSN：1674-1056，2011，SCI:774LV， EI:**565

[15]Scaling effects of single-event gate rupture in thin oxides,Chinese Physics B，ISSN：1674-1056，2013，SCI：258UY；EI: **470

[16]基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法，物理学报，ISSN：1000-3290，2014，SCI:AT0GY; EI:**8

[17]特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响,原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2010，EI:**098

[18]SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟,原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2010，EI:**230

[19]基于二维查找表的SET耦合注入方法,原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2014， EI:**696

[20]SRAM型FPGA的静态与动态单粒子效应试验,原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2011，EI:**667

[21]静态单粒子翻转截面的获取及分类,强激光与粒子束，ISSN：1001-4322，2011，EI:**471

[22]电源系统抗伽玛总剂量辐射能力评估方法,强激光与粒子束，ISSN：1001-4322，2011，EI:**832

[23]54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究,原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2011，EI:**203

[24]CMOS电路总剂量效应最劣偏置甄别,强激光与粒子束，ISSN：1001-4322，2012，EI:**084

[25]辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究,原子能科学与技术，ISSN：1000-6931，2013，EI: **239

[26]纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究,强激光与粒子束，ISSN：1001-4322，2013　，EI: **001

[27]Worst-case total dose radiation effect in deep-submicron SRAM circuits,Chinese Journal of Semiconductors，ISSN：1674-4926，2012，EI:**002

[28]Study of radiation-induced leakage current between adjacent devices

in a CMOS integrated circuit,Chinese Journal of Semiconductors，ISSN：1674-4926，2012，EI:**159

[29]A software solution to estimate the SEU-induced soft error rate for

systems implemented on SRAM-based FPGAs,Chinese Journal of Semiconductors，ISSN：1674-4926，2011，EI:**871

[30]SRAM single event upset calculation and test using protons in the

secondary beam in the BEPC,Chinese Journal of Semiconductors，ISSN：1674-4926，2011，EI:**511
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发明专利

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[1]基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法,中华人民共和

国家专利局，2014, 郭红霞，郭旗，李培等

[2]一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法,中华人民共和国国家专利局,

2014, 郭红霞，陈伟，郭旗等

[3]一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法,中华人民共和国国家专利局，2014郭旗，何承发，郭红霞等

[4]基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法,中华人民共和国国家专利局，2013,郭红霞，郭旗，张晋新等

[5]一种用于单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法,中华人民共和国国家专利局，2013,王忠明，姚志斌，郭红霞等

[6]一种针对高频电路的单粒子瞬态效应注入仿真方法,中华人民共和国国家专利局，2013,郭红霞，赵雯，罗尹虹等

[7]一种SRAM器件单粒子闭锁效应测试系统及方法,中华人民共和国国家专利局，2013,姚志斌，张凤祁，郭红霞等

[8]一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法,中华人民共和国国家专利局，2012,郭红霞，张科营，罗尹红等

[9]一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法,中华人民共和国国家专利局，2012,张科营，罗尹红，郭红霞等

[10]基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法,中华人民共和国国家专利局，2014,郭红霞，郭旗，李培等
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