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材料科学与工程学院研究生导师队伍
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戚运东副教授主页

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| 基本信息 | 个人简介| 学习工作经历| 研究方向| 获奖情况| 主要代表性论文| 发明专利

基本信息

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姓名:戚运东
职称:副教授
电话:**
电子信箱:**@qq.com
办公室:
个人主页:暂无

个人简介

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戚运东， 男，中共党员，1967年12月22日出生，2002年美国马萨诸塞州立大学博士毕业，2002年至2005年在香港科技大学做博士后研究工作，从事氮化镓材料的基础研究工作。2005年2月加入深圳方大国科光电技术有限公司，历任副总工程师和副总经理，2010年4月加入湘能华磊光电股份有限公司，历任总经理特别助理和副总经理。长期从事氮化镓基蓝绿光LED外延芯片和封装应用产品的技术研发和产业化等工作，2011年作为负责人组建湖南省半导体照明工程技术研究中心，作为带头人组建公司研发团队并组织开展LED相关技术开发工作，该团队2014年被评为湖南省首批企业创新团队。先后主持或协助承担多项国家和省市科技和产业化项目，主要有国家“十五”科技攻关重大项目“功率型芯片产业化关键技术”，“十一五”863计划半导体照明重大专项 “100lm/W功率型LED制造技术开发”，2010年科技部863计划“150 lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究”课题，2013年工信部电子发展基金“新型图形衬底材料的研发及其产业化应用”项目，2014年工信部电子发展基金“LED芯片生产线用关键成套设备工艺开发及产业化”项目，2011年湖南省战略性新兴产业重大科技成果转化项目“图形衬底制备及其外延生长技术开发”等，并取得多项技术成果，其中“功率型芯片产业化关键技术”年获得2007年度深圳市科技创新奖和2008年广东省科学技术三等奖，“功率型45mil氮化镓LED芯片”被列入2012年度国家重点新产品计划，“高光效照明芯片产业化研究”被列入2013年度科技部国家火炬计划，“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”获得2014年国家技术发明二等奖。发表SCI和各种会议文章十余篇，其中包括Appl. Phys. Lett.，J. Cryst. Growth, J. Electron. Mater., Sur. Sci. , Phys. Stat. Sol.等杂志。
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学习工作经历

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学习经历：
1986.9-1990.6浙江大学信息与电子工程系，光电子专业，学士学位
1995.9-1997.8美国University of Texas at El Paso物理系，硕士学位
1997.8-2002.8美国University of Massachusetts at Amherst电机系，博士学位
工作经历：
1990.7-1995.8浙江杭州西湖电子集团，电子工程师
2002.8-2005.2香港科技大学电机与电子工程系，博士后
2005.2-2010.3深圳方大国科光电技术有限公司，副总工程师，副总经理2010.4-至今 湘能华磊光电技术有限公司，副总经理

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研究方向

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“氮化镓基蓝绿光LED材料生长和芯片制备”、“LED封装及应用产品”
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获奖情况

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(1) 政府奖励：
[1] 功率型芯片产业化关键技术，深圳市科技创新奖，2007年
[2] 功率型芯片产业化关键技术，广东省科学技术奖三等奖一等奖，2008年
[3] 大功率45mil×45mil LED芯片技术及其应用，郴州市科学技术进步奖一等奖，2012年
[4] 阵列式集成LED芯片技术及其产业化研究，郴州市科学技术进步奖一等奖，2013年
[5] 一种氮化镓III-V族化合物半导体LED外延片及其生长方法，湖南省专利奖，三等奖，2014年
[6] 一种LED芯片的电极结构及包含其的LED芯片结构，郴州市专利奖，金奖，2014年
(2) 个人荣誉：
2014年郴州市十佳科技创新人才
(3) 成果登记
[1] 大功率45mil×45mil LED芯片技术及其应用，湖南省省级鉴定,2012年
[1] 阵列式集成LED芯片技术及其产业化研究，湖南省省级鉴定,2013年

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主要代表性论文

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[1] Yibin Zhang, Fei Xu, Desheng Zhao, Hongjuan Huang,,Wei Wang, Jianwei Xu, Yong Cai, Guangyi Shi, Guojun Lu,,Zhenlin Miao, Yundong Qi and Baoshun Zhang, “Demonstration of wafer-level light emitting diode with very high output power”, Electronic Letters, Vol. 50 No. 25 pp. 1970–1972 (2014)
[2] Y. Zhou, D. Wang, R. Chu, C.W. Tang, Y. Qi, Z. Lu, K. J. Chen, K. M. Lau , “Correlation of In-situ reflectance spectra and resistivity of GaN/ Al2O3 interfacial layer in metalorganic chemical vapor deposition” IEEE/TMS J. Electronic Materials, vol. 34, pp.112-118（2005）
[3] Liang, H. ，Yu, L.S. ，Qi, Y.D. ，Wang, D. ; Lu, Z.D. ， Tang, W. ，Kei May Lau ,Yang, C.L.Wang, J.N. ; Ge, W.K., “Comparison of temperature dependent electroluminescence of InGaN/GaN and AlGaInP based LEDs ” Optoelectronics, Proceedings of the Sixth Chinese Symposium ,196 – 199（2003）
[4] Yang, C.L. ; Ding, L. ; Wang, J.N. ; Fung, K.K. ; Ge, W.K. ; Liang, H. ; Yu, L.S. ; Qi, Y.D. ; Wang, D.L. ; Lu, Z.D. ; Lau, K.M. ，Journal of Applied Physics , “Thermally activated carrier transfer processes in InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting devices”，Journal of Applied Physics，98，023703（2005）
[5] Y. D. Qi, H. Liang, D. Wang, Z. D. Lu, W. Tang, and K. M. Lau, “Comparison of Blue and Green InGaN/GaN MQW LEDs Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, Apply Physics Letter, 86, 101903 (2005)
[6] Yugang Zhou, Deliang Wang, Rongming Chu, Chak-Wah, Tang, Yundong Qi, Zhengdong Lu, Kevin, Chen, and Kei may Lau, “Correlation of In-Situ Reflectance Spectra and Resistivity of GaN/Al2O3 Interfacial Layer in Metalorganic Chemical Vapor Deposition”, Journal of Electronic Materials, 34, 112 (2005)
[7] Y. D. Qi, H. Liang, W. Tang, and K. M. Lau, “Dual Wavelength Emission InGaN/GaN Multi-Quantum Well LEDs Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, Journal of CrystalGrowth, 272, 333 (2004)
[8] Z. H. Feng, Y. D. Qi, Z. D. Lu, and K. M. Lau, “GaN-based blue light-emitting diodes grown and fabricated on patterned sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy ”, Journal of Crystal Growth, 272, 327 (2004)
[9] P. W. Wang, Y. Qi and J. H. Craig Jr., “XPS study of electron-induced surface processes in trimethylsilane-covered Ge(100) surfaces”, Surface and Interface Analysis, 33, 940 (2002)
[10] Y. Qi, C. Musante, K. M. Lau, R. Odedra, R. Kanjolia and L. Smith,“OMVPE Growthof p-type GaN using Solution Magnesocene”, presented at 2001 TMS Biennial Workshop on OMVPE, Journal of Electronic Material, 30, 1382 (2001)
[11] L. S. Yu, D. Qiao, L. Jia, S. S. Lau, Y. Qi, K. M. Lau, “A Study of Schotty Barrier of Ni on P-GaN”, Applied Physics Letter, Applied Physics Letter, 79, 4536 (2001)
[12]Y. Qi, J. L. Sulak, W. G. Durrer, J. H. Craig, Jr. and P. W. Wang, “Initial Adsorption of Trimethylsilane on Ge(100) Surfaces”, Surface and Interface Analysis, 26, 113 (1998)
[13] Paul W. Wang, Yundong Qi, D. O. Henderson, “Oxygen Bonding in GeO2 Glass”, Journal of Non-Crystalline Solids, 224, 31 (1998)

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发明专利

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[1] LED芯片及其制备方法，专利号：CN**1.5，罗正加，戚运东，许亚兵，姚禹
[2] LED封装基座，专利号：CN**7.5，孙春娟, 姚禹, 戚运东
[3] 一种LED芯片封装结构及其封装方法，专利号：CN**7.7，戚运东，孙春娟，曹先雄
[4] LED外延结构及其制备方法，专利号：CN**9.X，戚运东，牛凤娟，苗振林
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