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材料科学与工程学院研究生导师队伍
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唐明华教授主页

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| 基本信息 | 个人简介| 学习工作经历| 主讲课程| 研究方向| 获奖情况| 科研项目| 主要代表性论文
| 发明专利| 社会兼职

基本信息

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姓名:唐明华
职称:教授
电话:**(O)
电子信箱:tangminghua@xtu.edu.cn
办公室:物理楼A-508＃
个人主页:欢迎访问唐明华个人主页

个人简介

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唐明华，男，党员，博士/教授，博士生导师，湘潭大学韶峰学者，湖南省普通高校学科带头人(微电子学与固体电子学)。1988年7月毕业于湘潭大学物理系无线电物理专业。2003年9月至2004年9月在清华大学微电子研究所学习微电子专业课程，熟悉集成电路设计、制造和测试的基本原理及工艺方法。2007年获湘潭大学材料物理与化学专业微电子材料与器件方向博士学位。2008年8月至2009年8月日本东京工业大学(Research Lab. of Advanced Integrated Electronics of the Department of Electronics and Applied Physics, TIT)高级访问学者，参与由TIT、Fujitsu公司和Toshima公司联合资助的铁电存储器(65nm半导体技术工艺)的研发工作。2011年6月至2011年9月受国家留学基金资助到新加坡南洋理工大学(Nanyang Technology University & A*STAR)做高级访问学者。中国材料学会高级会员，Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、The IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems、RSC Advances、Materials Research Bulletin、Microelectronics Reliability等10余种国际期刊审稿人，IEEE会员，湖南省核学会副理事长。湘潭大学“材料与器件”首批国家级教学团队(教高函[2007]23号)、“低维材料与器件力学”湖南省首批自然科学创新研究群体(2009年)和“薄膜材料及其器件力学”教育部创新团队(2011年)核心成员，湘潭市专业技术骨干人才(第五批) (潭市发[2012] 24号)。

主持国家自然科学基金项目、湖南省自然科学基金重点项目、留学回国人员科研启动基金项目、高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)项目、湖南省教育厅重点项目等17项；作为主要成员或实际完成人，参与高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目、国家自然科学基金项目重点项目、国家自然科学基金项目、973预研项目、XXX项目、湖南省科技厅重点项目等15项。

近年来，在Advanced Materials、Applied Physics Letters、Nanotechnology、IEEE Journal of Solid-State Circuits、The IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems、IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Transactions on Nuclear Science、Journal of Applied Physics、Solid State Electronics、Microelectronics Reliability、Microelectronic Engineering、Journal of Semiconductors等国内外著名刊物上发表学术论文130余篇(其中SCI收录100余篇)，研究成果得到国内外同行的高度关注，分别被Science、Nature Materials等国际著名期刊引用[如：Science, 327 (2010), 1106-1110；Nature Materials, 7 (2008), 425-426；Nature Communictions, 5 (2014), 4693等]，论文被引用744次 (其中他引669次，单篇论文他引最高为78次)。多次参加在美国、英国、法国、澳大利亚、日本、韩国、香港、北京等地举行的国际学术交流活动，并做学术报告。
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学习工作经历

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1984.09~1988.07 湘潭大学物理系无线电物理专业 大学本科毕业

2003.09~2007.09 湘潭大学材料与光电物理学院 材料物理与化学专业博士研究生

2003.09~2004.09 清华大学微电子研究所 学习微电子及集成电路设计

2002.05~2007.10 湘潭大学材料与光电物理学院 副教授

2007.11~2014.08湘潭大学材料与光电物理学院 教授、博士生导师

2014.09~ 湘潭大学材料科学与工程学院 教授、博士生导师

2008.08~2009.08 日本东京工业大学 (Tokyo Institute of Technology, TIT) 高级访问学者 2011.06~2011.09 新加坡南洋理工大学(Nanyang Technology University) 高级访问学者
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主讲课程

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本科生课程

1.《超大规模集成电路与系统》(双语教学)

2.《集成电路课程设计》

3.《微电子学专业英语》

研究生课程

1.《集成电路分析与设计》

3.《微电子材料与器件》
4.《微纳电子学与器件》

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研究方向

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1. 铁电薄膜存储器(FeRAM/FeFET)、阻变存储器(RRAM)、多铁隧道结及器件

2. 磁电超晶格薄膜及相关器件

3. 集成电路设计
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获奖情况

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2005年，指导微电子学本科生郭宗亭，获全国大学生电子设计大赛湖南赛区一等奖。

2007年，指导硕士研究生叶志，获“第二届湖南省大学生品学奖”、“湘潭大学第十二届研究生校长奖特等奖”。

2007年，指导微电子学本科生尚岸奇，获湘潭大学电子设计竞赛决赛一等奖。

2007年，湘潭市自然科学优秀学术论文一等奖。

2008年，指导硕博连读研究生杨锋，获“湘潭大学第十三届研究生校长奖特等奖”、“湘潭大学第八届校友奖学金特等奖”、湖南省优秀研究生。

2008年，湖南省第十二届自然科学优秀学术论文二等奖(3项)。

2008年，指导硕博连读研究生杨锋，获第三届全国压电和声波理论及器件技术研讨会(SPAWDA08) 优秀学生论文优胜奖。

2009年，指导硕士研究生叶志，获湖南省优秀硕士学位论文奖。

2009年，指导硕博连读研究生杨锋，获宝钢教育基金奖优秀学生特等奖。

2010年，指导硕士研究生张军，获“湘潭大学第十五届研究生校长奖特等奖”。

2010年，湖南省第十三届自然科学优秀学术论文二等奖。

2010年，湘潭大学校级教学成果一等奖(排名第3)。

2010年，湖南省高等教育省级教学成果二等奖(排名第3)。

2011年，指导微电子学本科生燕少安等，获湖南省第九届“挑战杯”大学生课外学术科技作品竞赛三等奖。

2011年，湘潭大学优秀共产党员。

2011年，湘潭大学优秀研究生导师。

2011年，湖南省自然科学奖一等奖(排名第5)。

2012年，指导硕士研究生蒋波，获“湘潭大学第十七届研究生校长奖特等奖”。

2012年，指导硕士研究生张军，获湖南省优秀硕士学位论文奖。

2012年，湘潭市专业技术骨干人才。

2012年，指导博士研究生肖永光，获湘潭大学2012年首批博士研究生国家奖学金(3万元)。

2013年，指导博士研究生唐振华，获湘潭大学2013年博士研究生国家奖学金(3万元)。

2013年，指导硕士研究生许定林，获湘潭大学2013年硕士研究生国家奖学金(2万元)。

2013年，指导硕士研究生李惊奇，获湘潭大学2013年硕士研究生国家奖学金(2万元)。

2013年，指导硕士研究生许定林，获湖南省2013年“芙蓉学子?榜样力量”优秀大学生“学术创新奖”(1万元)。

2013年，湘潭市自然科学优秀学术论文一等奖(排名第2)。

2014年，指导博士研究生唐振华，获湘潭大学2013年度十佳大学生奖。

2014年，指导硕士研究生许定林，获“湘潭大学第十九届研究生校长奖优秀奖”。

2014年，指导硕士研究生许定林，获“湖南省普通高等学校二〇一四届优秀毕业生”。

2014年，全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会优秀论文奖。

2014年，指导硕士研究生蒋波，获湖南省优秀硕士学位论文奖。

2014年，湖南省第十五届自然科学优秀学术论文二等奖。

2014年，指导博士研究生唐振华，获湖南省2014年“芙蓉学子?榜样力量”优秀大学生“学术创新奖”(1万元)。

2014年，指导博士研究生燕少安，获第十三届全国物理力学会议优秀报告奖。

2014年，湘潭大学科研工作先进个人。

2015年，指导博士研究生唐振华，获“湖南省普通高等学校二〇一五届优秀毕业生”。

2015年，指导博士研究生唐振华，获中国电信奖学金?飞Young奖。

2015年，指导博士研究生唐振华，获“湘潭大学第二十届研究生校长奖特等奖”。

2015年，指导硕士研究生曾柏文，获“湘潭大学第二十届研究生校长奖优秀奖”。

2015年，湘潭大学教学成果奖三等奖(排名第1)。
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科研项目

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主持的科研项目
1. 2015.01-2018.12，基于自旋极化多铁隧道结的多值存储研究，国家自然科学基金面上项目(**)。
2. 2013.01-2016.12，铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，国家自然科学基金面上项目(**)。
3. 2011.01-2013.12，LCMO/BNT磁电超晶格复合薄膜与磁电耦合效应调制，国家自然科学基金面上项目(**)。
4. 2009.01-2011.12，无铅铁电薄膜场效应晶体管的保持性能，国家自然科学基金面上项目(**)。
5. 2011.01-2011.12，2011年中日铁电材料及其应用会议，国家自然科学基金项目(**)。
6. 2013.01-2015.12，八逻辑态高密度铁电存储器的机理及实验研究，湖南省自然科学基金重点项目(13JJ2023)。
7. 2012.09-2015.12，铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，湖南省教育厅重点项目(12A129)。
8. 2011.01-2013.12，“湖南省普通高校学科带头人培养对象”专项，湖南省教育厅(湘教通[2011]388号)。
9. 2011.01-2013.12，铁电场效应晶体管的保持性能与界面调控的关联性研究，高等学校博士学科点专项科研基金(博导类) (**001)。
10. 2010.01-2012.12，大面积高品质磁电超晶格复合薄膜的PLD法制备及磁电效应研究，第38批“留学回国人员科研启动基金”项目(教外司留[2010]609号)。
11. 2011.01-2013.12，铁电薄膜场效应晶体管的保持性能与界面调控，湖南省科技厅科研项目(2010FJ3029)。
12. 2008.01-2010.12，非破坏性读出无铅铁电薄膜场效应晶体管的制备及电学性能，湖南省自然科学基金重点项目(08JJ3122)。
13. 2012.10-2014.10，基于铁电栅场效应晶体管的FeCMOS逻辑电路的SET效应研究，强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题。
14. 2013.09-2015.09，铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放课题(ZHD201304)。
作为主要成员或实际完成人参与的科研项目


1. 2014.10-2017.09，面向太赫兹XXX的新型硅基信号预处理器件，XXX探索研究项目，排名第2。
2. 2012.08-2014.08，FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究，科技部973计划前期研究专项(2012CB326404)，排名第2。
3. 2012.09-2015.06，XXX项目(XXXX-XXX)，排名第2。
4. 2009.01-2011.12，低维材料及其器件力学湖南省创新群体(09JJ7004)，核心成员。
5. 2011.01-2013.12，薄膜材料及其器件力学教育部创新团队(IRT1080)，核心成员。
6. 2005.01-2007.12，铋层状钙钛矿铁电薄膜的制备及其热冲击下断裂失效行为，国家自然科学基金项目(**)，排名第4。
7. 2005.01-2007.12，无铅铁电薄膜及其纳米薄膜微器件，湖南省科技厅重点项目(05FJ2005)，排名第3。
8. 2006.01-2008.12，基于晶体缺陷的铁电材料介观理论及实验表征：电畴结构和界面效应，国家自然科学基金项目(**)，排名第4。
9. 2007.01-2009.12，无铅铁电薄膜及存储器的制备和失效行为，高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(076044)，排名第7。
10. 2008.01-2011.12，微纳电子材料及器件的力、电、热耦合破坏理论和实验研究，国家自然科学基金重点项目(**)，排名第6。


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主要代表性论文

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Integrated Circuits Design
[1] Multimode all-frequency RF CMOS receiver for GPS/Glonass/Galileo/Compass with digitally-assisted calibration. Submitted to The IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 23 (9) (2015) 1814-1827.
[2] Effects of drain-wall in mitigating N-hit single event transient via 45-nm CMOS process, Semiconductor Science and Technology, 30 (1) (2015) 015023.
[3] A Si tunnel field-effect transistor model with high switching current ratio and steep sub-threshold swing, Semiconductor Science and Technology, 29 (2014) 095016.
[4] Investigation of unique total ionizing dose effects in 0.2 μm partially-depleted silicon-on-insulator technology, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 745 (2014) 128-132.
[5] Novel Si ion implantation technology for improving the irradiation responses of SOI pseudo-MOS transistor, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 319 (2014) 141-145.
[6] A continuously and widely tunable 5 dB-NF 89.5 dB-Gain 85.5 dB-DR CMOS TV receiver with digitally-assisted calibration for multi-standard DBS applications, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 48 (11) (2013) 2762-2774.
[7] Surface-potential-based drain current model for long-channel junctionless double-gate MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (12) (2012) 3292-3298.
[8] Design of a novel current mode sense amplifier in deep sub-micro technology, Modern Electronics Technique, 32 (24) (2009) 5-7.
[9] A method to design the 6-transistor SRAM storage cell in deep sub-micro technology, Electronics & Packaging, 9 (10) (2009) 22-25.
[10] A temperature-dependent model for threshold voltage and potential distribution of deep-submicron fully depleted SOI MOSFETs, Journal of Semiconductors, 29 (1) (2008) 45-49.
[11] Effects of asymmetry doping channel on partially depleted SOI MOSFETs, Journal of Semiconductors, 29 (6) (2008) 5-9.
Ferroelectric Thin Films and Memory
[1] Ultrasensitive and broadband MoS₂ photodetector driven by ferroelectrics, Advanced Materials, 27 (42) (2015) 6575-6581.

[2] Ionizing radiation effect on metal–ferroelectric–insulator–semiconductor memory capacitors, Semiconductor Science and Technology, 30 (8) (2015) 085020.

[3] Impact of total ionizing dose irradiation on Pt/SrBi2Ta2O9/HfTaO/Si memory capacitors, Applied Physics Letters, 106 (1) (2015) 012901. [4] Impact of total ionizing dose irradiation on electrical property of ferroelectric-gate field-effect transistor, Journal of Applied Physics, 115 (20) (2014) 204504.
[5] Single event effect in ferroelectric-gate FET under heavy-ion irradiation, Chinese Physics B, 23 (4) (2014) 046104.
[6] Effect of BiFeO3 doping on ferroelectric properties of Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3 based thin film derived by sol-gel method, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 72 (2) (2014) 394-397.
[7] Enhanced ferroelectric, dielectric and leakage properties in Ce and Ti co-doping BiFeO3 thin films, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 72 (2014) 587-592.
[8] Enhancement of ferroelectricity and large dielectric strength of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin films on SrTiO3 substrate with a SrRuO3 buffer layer, Functional Materials Letters, 7 (5) (2014) ** (1-4).
[9] Modeling of strain effects on the device behaviors of ferroelectric memory field-effect transistors, Semiconductor Science and Technology, 28 (8) (2013) 082001.
[10] Temperature effect on electrical characteristics of negative capacitance ferroelectric field-effect transistors, Applied Physics Letters, 100 (8) (2012) 083508.
[11] Effect of doping concentration of substrate silicon on retention characteristics in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors, Applied Physics Letters, 100 (17) (2012) 173504.
[12] Simulation of electrical characteristics in negative capacitance surrounding-gate ferroelectric field-effect transistors, Applied Physics Letters, 101 (25) (2012) 253511.
[13] Radiation damage effects by molecular dynamics simulation in BaTiO3 ferroelectric crystal, IEEE Transactions on Nuclear Science, 59 (4) (2012) 1731-1737.
[14] Large memory window and good retention characteristics of ferroelectric-gate field effect transistor with Pt/Bi3.4Ce0.6Ti3O12/CeO2/Si structure, Journal of Physics D: Applied Physics, 45 (2012) 025102.
[15] Factors for the polarization lifetime in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors, Solid State Electronics, 73 (2012) 84-88.
[16] The influence of ferroelectric-electrode interface layer on the electrical characteristics of negative-capacitance ferroelectric double-gate field-effect transistors, Microelectronics Reliability, 52 (4) (2012) 757-760.
[17] Microstructures, phase transition and piezoelectric properties of cerium-substituted bismuth titanate nanofibers, Journal of Electronic Materials, 41 (4) (2012) 651-655.
[18] Use of negative capacitance to simulate the electrical characteristics in double-gate ferroelectric field-effect transistors, Current Applied Physics, 12 (6) (2012) 1591-1595.
[19] Structural and electrical characterizations of Bi(Zn0.5Ti0.5)O3 doped lead zirconate titanate ferroelectric films with enhanced ferroelectric properties, Thin Solid Films, 520 (21) (2012) 6684-6689.
[20] Impact of HfTaO buffer layer on data retention characteristics of ferroelectric-gate FET for nonvolatile memory applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 58 (2) (2011) 370-375.
[21] Frequency-dependent electrical properties in Bi(Zn0.5Ti0.5)O3 doped Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin film, Semiconductor Science and Technology, 25 (2010) 035006.
[22] Doping concentration and thickness effects in ferroelectric thin films, Applied Physics Letters, 96 (2010), 122905.
[23] Electrical properties and X-ray photoelectron spectroscopy studies of Bi(Zn0.5Ti0.5)O3 doped Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin films, Journal of Applied Physics, 108 (8) (2010) 084101.
[24] Space-charge-limited leakage current in high dielectric constant and ferroelectric thin films considering the field-dependent permittivity, Applied Physics Letters, 97 (2010) 242905.
[25] Capacitance-voltage and retention characteristics of Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si structures with various buffer layer thickness, Applied Physics Letters, 94 (2009) 212907.
[26] Fabrication of La-substituted bismuth titanate nanofibers by electrospinning, Nanotechnology, 20 (38) (2009) 385602.
[27] Influence of the ferroelectric-electrode interface on the characteristics of MFIS-FETs, Solid State Electronics, 53 (2009) 563-566.
[28] Simulation of electric displacement hysteresis and strain butterfly loops in perovskite ferroelectric films, Journal of Applied Physics, 106 (2009) 014110.
[29] Effect of the abnormal electric field induced by the passive layer on imprint failures of ferroelectric capacitors, Phys. Status Solidi RRL, 3 (7-8) (2009) 251-253.
[30] Fatigue mechanism of the ferroelectric perovskite thin films, Applied Physics Letters, 92 (2008) 022908.
[31] Evaluation of capacitance-voltage characteristic and memory window of metal-ferroelectric-insulator-silicon capacitors, Applied Physics Letters, 93 (2008), 213501.
[32] Ferroelectric properties of Bi3.4Dy0.6Ti3O12 thin films crystallized in N2, Materials Letters, 62 (16) (2008) 2450-2453.
[33] V5+-doped Bi3.4Yb0.6Ti3O12 fatigue resistant, ferroelectric thin films, Materials Letters, 62 (17-18) (2008), 3189-3191.
[34] Enhancement of fatigue endurance and retention characteristic in Bi3.25Eu0.75Ti3O12 thin films, Materials Letters, 62 (17-18) (2008) 2876-2879.
[35] Structural and electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor transistors using a Pt/Bi3.25Nd0.75Ti3O12/Y2O3/Si structure, Solid State Electronics, 51 (2007) 371-375.
[36] Modeling of imprint in hysteresis loop of ferroelectric thin films with top and bottom interface layers, Applied Physics Letters, 90 (2007), 042902.
[37] Electrical properties of V-doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 thin films with different contents, Applied Physics Letters, 90 (2007), 082905.
[38] A model for the polarization hysteresis loops of the perovskite-type ferroelectric thin films, Applied Physics Letters, 91 (2007) 142902.
[39] Bilayer model of polarization offset of compositionally graded ferroelectric thin films, Applied Physics Letters, 91 (2007) 162908.
[40] Structure evolution and ferroelectric properties of Bi3.4Yb0.6Ti3O12 thin films crystallized under a moderate temperature, Materials Letters, 61 (2007) 3563-3566.
[41] Microstructure and ferroelectric properties of dyprosia-doped bismuth titanate thin films, Materials Letters, 61 (2007) 4117-4120.
[42] Effects of europium content on the microstructural and ferroelectric properties of Bi4-xEuxTi3O12 thin films, Applied Physics Letters, 89 (2006) 252908.
[43] Simulation of polarization and butterfly hysteresis loops in bismuth layer-structured ferroelectric thin films, Journal of Applied Physics, 100 (2006) 094101.
Spintronic Devices
[1] Magneto-mechanical coupling effect in amorphous Co40Fe40B20 films grown on flexible substrates, Applied Physics Letters, 105 (10) (2014) 103504.
[2] Temperature dependence of magnetoelectric effect in Bi3.15Nd0.85Ti3O12-La0.7Ca0.3MnO3 multiferroic composite films buffered by a LaNiO3 layer, Journal of Materials Chemistry C, 2 (8) (2014) 1427-1435.
[3] Simulation of multi-level polarization in ferroelectric tunnel junctions, Physica Status Solidi B, 251 (2) (2014) 469-473.
[4] Microstructure, magnetoelectric properties and leakage mechanisms of La0.7Ca0.3MnO3/Bi3.15Nd0.85Ti3O12 composite thin films, Solid State Sciences, 17 (2013) 35-39.
[5] Magnetoelectric Pb(Zr0.52Ti0.48)O3-La0.65Sr0.35MnO3 composite thin films derived by pulse laser deposition method, Materials Letters, 100 (2013) 7-10.
[6] Enhanced magnetoelectric effect in La0.67Sr0.33MnO3/PbZr0.52Ti0.48O3 multiferroic nanocomposite films with a SrRuO3 buffer layer, Journal of Applied Physics, 113 (16) (2013) 164106.
[7] Magnetoelectric Bi3.25Nd0.75Ti3O12-La0.6Ca0.4MnO3 composite thin films derived by sol-gel method, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 68 (1) (2013) 136-140.
[8] Electrical properties of La0.6Ca0.4MnO3-Bi3.4Nd0.6Ti3O12 thin films derived by a sol-gel process, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 68 (2) (2013) 346-350.
[9] Magnetoelectric coupling in La0.6Ca0.4MnO3-Bi0.6Nd0.4TiO3 composite thin films derived by a chemical solution deposition method, Applied Physics Letters, 101 (21) (2012) 212902.
[10] Effects of applied bias voltage in tunnel junctions with ferroelectric barrier, Solid State Electronics, 68 (2012) 8-12.
[11] Magnetoelectric effect in ferromagnetic-ferroelectric tunneling junctions, The European Physical Journal - Applied Physics, 55 (2011) 30601.
[12] Sixteen resistive states of a tunnel junction with a composite barrier, The European Physical Journal - Applied Physics, 51 (2010) 10604.
[13] Eight-logic memory cell based on multiferroic junctions, Journal of Physics D: Applied Physics, 42 (2009) 072004.
[14] Eight logic states of tunneling magneto-electroresistance in multiferroic tunnel junctions, Journal of Applied Physics, 102 (2007) 044504.
RRAM
[1] Bipolar and unipolar resistive switching mode in Pt/Zn0.99Zr0.01O/Pt structure for multi-bit resistance random access memory, Applied Physics Letters, 104 (18) (2014) 183501.
[2] Improvement of resistive switching performances via an amorphous ZrO2 layer formation in TiO2-based forming-free RRAM, Journal of Applied Physics, 116 (12) (2014) 124514.
[3] Improvement of resistive switching characteristics in solution- synthesized Al, Cr, and Cu-doped TiO2 films, ECS Solid State Letters, 3 (10) (2014) Q59-Q62.
[4] Bipolar resistive switching behaviors in Cr-doped ZnO films, Microelectronic Engineering, 116 (2014) 22-25.
[5] Coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching behaviors in vanadium doped ZnO films, Journal of Alloys and Compounds, 584 (2014) 269-272.
[6] Top electrode-dependent resistance switching behaviors of Lanthanum-doped ZnO film memory devices, Applied Physics A, 114 (4) (2014) 1377-1381.
[7] The influence of substrates on resistive switching behaviors of V-doped SrTiO3 thin films, Japanese Journal of Applied Physics, 53 (3) (2014) 035503.
[8] Resistive switching properties of Ce and Mn co-doped BiFeO3 thin films for nonvolatile memory application, AIP Advances, 3 (2013) 122117.
[9] Resistive switching properties of sol-gel derived V-doped SrTiO3 thin films, Journal of Electronic Materials, 42 (8) (2013) 2510-2515.
[10] Reversible alternation between bipolar and unipolar resistive switching in La-SrTiO3 thin films, Chinese Physics B, 22 (11) (2013) 117314.
[11] Improvement of resistive switching performances in ZnLaO film by embedding a thin ZnO buffer layer, ECS Solid State Letters, 2 (9) (2013) Q69-Q71.
[12] Top electrode-dependent resistance switching behavior of ZnO thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrate, Microelectronic Engineering, 93 (2012) 35-38.
[13] Bipolar and unipolar resistive switching behaviors of sol-gel derived SrTiO3 thin films with different compliance currents, Semiconductor Science and Technology, 26 (2011) 075019.
[14] Resistive switching behavior of La-doped ZnO films for nonvolatile memory applications, Solid-State Electronics, 63 (2011) 100-104.
Others
[1] Size and boundary scattering controlled contribution of spectral phonons to the thermal conductivity in graphene ribbons, Journal of Applied Physics, 115 (6) (2014) 063507.
[2] Effect of LaNiO3 buffer layer on dielectric and tunable properties of Pb0.82La0.08Sr0.1Ti0.98O3 thin films on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, Journal of Crystal Growth, 404 (2014) 136-139.
[3] Ultralow thermal conductivity in Si/GexSi1-x core-shell nanowires, Journal of Applied Physics, 113 (8) (2013) 083501.
[4] Scaling-induced enhancement of X-rays luminescence in CsI(Na) crystals, Applied Physics Letters, 102 (18) (2013) 181107.
[5] Proton radiation damage in SrTiO3 thin film by computer simulation, Radiation Effects and Defects in Solids: Incorporating Plasma Science and Plasma Technology, 168 (11-12) (2013) 959-966.
[6] Phonon surface scattering controlled length dependence of thermal conductivity of silicon nanowires, Physical Chemistry Chemical Physics, 15 (2013) 14647-14652.
[7] The giant dielectric tunability effect in bulk Y2NiMnO6 around room temperature, Applied Physics A, 105 (3) (2011) 679-683.
[8] The giant dielectric tunability effect in bulk La2NiMnO6 around room temperature, Solid State Communications, 150 (2010) 1453-1456.
[9] The electronic conduction mechanism in magnesium-doped Ba0.4Sr0.6TiO3 thin films for varactor application, Solid State Communications, 149 (2009) 806-809.
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发明专利

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[1] 唐明华, 徐新宇, 燕少安, 张万里. 一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法, 国家发明专利, 专利申请号: **6.2, 中国, 2014.

[2] 唐明华, 李凯, 秦亚, 燕少安. 一种基于铁电场效应晶体管的差分放大电路, 国家发明专利, 专利申请号: **6.7, 中国, 2015.

[3] 唐明华, 彭龙. 一种具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管及其制作方法, 国家发明专利, 专利申请号: **6.7, 中国, 2015.

[4] 唐明华, 秦亚. 一种基于铁电场效应晶体管的电流灵敏放大器, 国家发明专利, 专利申请号: **2.1, 中国, 2015.

[5] 唐明华, 陈毅华，燕少安，张万里. 一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路, 国家发明专利, 专利申请号: **0.2, 中国, 2015.

[6] 唐明华, 钟兴宏. 一种低关态电流隧穿场效应晶体管, 国家发明专利, 专利申请号: **8.4, 中国, 2015.
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社会兼职

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[1] IEEE会员

[2] 中国材料学会高级会员

[3] 湖南省核学会副理事长

[4] 中国真空学会薄膜专业委员会委员

[5] 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室客座研究员

[6] Applied Physics Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、The IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems、RSC Advances、Materials Research Bulletin、Microelectronics Reliability等国际期刊审稿人
每年招收博士研究生1-2名、硕士研究生3-4名，欢迎微电子、材料、物理、电子信息、化学等相关学科的有志学子报考！免试推荐和第一志愿报考的学生优先录取并享受特等奖学金(10000元/年)和一等奖学金(8000元/年)。
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