一、基本情况
曾荣周，男，博士，讲师，硕士生导师。1978年生于湖南新化。
联系电话：183****9559
联系邮箱：rongzhou_zeng@126.com

二、受教育经历
2013年9月-2018年12月，电子科技大学，微电子学与固体电子学，博士研究生
2004年9月-2007年3月，昆明理工大学，物理电子学，硕士研究生
1998年9月-2001年6月，湖南人文科技学院，物理学，大专
三、研究工作经历
2018/12-至今，湖南工业大学，轨道交通学院，讲师
四、主要研究方向与工作业绩
主要研究方向有纳米电子器件、新型材料功率器件。
五、主要论著及专利
（1）论文
[1] ZENG R, LI P, LI J, et al. A novel approach to fabricate self-aligned graphene transistor [J]. Electron Lett, 2017, 53(23): 1536-7. (SCI)
[2] ZENG R, LI P, LI J, et al.. Self-aligned graphene transistor [J]. Electron Lett, 2017, 53(24): 1592-4. (SCI)
[3] ZENG R, LI P, WANG Y, et al. An embedded gate graphene field effect transistor with natural Al oxidization dielectrics and its application to frequency doubler [J]. IEICE Electronics Express, 2017, 14(20): (SCI)
[4] LI P, ZENG R Z, LIAO Y B, et al. A Novel Graphene Metal Semi-Insulator Semiconductor Transistor and Its New Super-Low Power Mechanism [J]. Scientific Reports, 2019, 9(1): 3642. (SCI)
[5] ZHANG T, BAO J-F, ZENG R-Z, et al. Long lifecycle MEMS double-clamped beam based on low stress graphene compound film [J]. Sensors and Actuators A: Physical, 2019, 288(39-46. (SCI)
[6] Li, J., Xiao, K., Hu, B., Liu, K. and Zeng, R.. The Investigation of an IGBT With Hole-Carrier Movement Control [J]. IEEE Trans Electron Devices, 2018, 65(9): 3839-47. (SCI)
[7] ZENG R, LI P, WANG G, et al. An embedded gate graphene field-effect transistor with self-oxidized Al2O3 dielectrics; proceedings of the 2016 International Conference on Integrated Circuits and Microsystems (ICICM), F 23-25 Nov. 2016, 2016 [C]. （EI收录）
[8] 曾荣周, 李平, 廖永波, et al. 源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究 [J]. 微电子学与计算机, 2018, 35(02): 118-21.
六、讲授课程
本科生课程：《微电子器件基础》、《VLSI系统结构设计》等。