湖南大学2006年硕士研究生入学考试

《电子器件》考试大纲

　　要求熟悉双极型和场效应型电子器件的结构、原理和特性，掌握在外界条件作用下，电子器件内部载流子运动的规律；晶体管各特性参数的定义、物理实质及意义；晶体管各特性参数之间的关系；晶体管各特性参数与结构参数、材料参数、工艺参数之间的关系；晶体管特性分析的基本理论和方法及研究有关电子器件问题的思路和方法。主要掌握以下内容：

一、PN结二极管

　　掌握PN结的形成、杂志分布，空间电荷区的能带、电场、电位分布，直流特性的物理机理和数学表达式，电容和小信号交流特性，开关特性和击穿特性；理解泊松方程、连续性方程、电荷控制方程的物理意义和解法。

二、晶体管直流特性

　　掌握双极型晶体管的结构和杂质分布，放大机理和电流放大系数，直流电流——电压方程，反向电流和反向击穿特性，基区电阻和寄生参数，直流特性的影响因素及其关系。

三、晶体管频率特性与开关特性

　　掌握双极型晶体管频率参数的定义及其关系式；理解电流放大系数与频率的关系；了解高频等效电路和y参数、h参数等高频特性参数。掌握双极型晶体管分析大信号特性的Ebers-Moll模型和电荷控制模型，开关工作的过渡过程，开关时间参数的意义及解析表示。

四、晶体管功率特性

　　掌握双极型晶体管大注入效应、基区扩展效应和电流集边效应的本质和作用，最大耗散功率及其影响因素；理解二次击穿的机理和安全工作区。

五、MOS场效应晶体管

　　掌握金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构、类型、工作原理，阈值电压的意义、影响因数和计算关系，电流——电压特性及特性曲线；理解影响特性的各种二级效应、增量参数、频率特性及其关系。理解MOSFET功率特性的要求和从结构上改进功率特性，温度对MOSFET特性的影响。理解MOSFET的短沟道效应、窄沟道效应和小尺寸效应；了解由MOSFET尺寸缩小对特性产生的影响。

推荐参考书

　1、曾云著，微电子器件基础，湖南大学出版社，2005.10。

　2、曹培栋编著，微电子技术基础——双极、场效应晶体管原理，电子工业出版社，2001.4。

　3、刘永、张福海编著，晶体管原理，国防工业出版社，2002.1。

　4、刘刚等编著，半导体器件——电力、敏感、光子、微波器件，电子工业出版社，2000.9。

　5、Robert F. Pierret著，黄如等译，半导体器件基础，电子工业出版社，2004.11