姓名：钟英辉 职称：副教授 最终学历：博士
电子邮箱：zhongyinghui@zzu.edu.cn
一、个人经历
钟英辉，2008年毕业于郑州大学物理工程学院，获工学学士学位。2013年毕业于西安电子科技大学微电子学院，获微电子学与固体电子学博士学位。2010年-2012年，中国科学院微电子研究所联合培养博士。2014年1月初聘郑州大学物理工程学院讲师。2014年8月，获得硕士研究生导师资格。2015年晋升郑州大学校聘副教授职称。2017年12月晋升郑州大学副教授职称。
二、研究方向
高频器件模拟仿真、器件工艺研发、等效模型建立、高频集成电路设计、毫米波器件空间辐照效应、毫米波器件抗辐照加固等。
三、主持科研项目
1.国家自然科学基金面上项目，**，太赫兹InP基HEMT抗质子辐照加固方法和机理研究，2018/01-2021/12，56万元，在研，主持。
2.国家自然科学基金青年基金项目，**，InP基HEMT辐照效应研究，2015/01-2017/12，23万元，结题，主持。
3.河南省高等学校青年骨干教师培训计划项目，2019GGJS017，辐照诱生缺陷对InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱影响机制研究，2019/10-2022/09，在研，主持。
4.河南省人社厅博士后科研资助二等资助，**，太赫兹HEMT辐照效应研究，2015/01-2017/12，6万元，结题，主持。
5.郑州大学青年骨干教师培养计划，2018ZDGGJS020，InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照退化机理研究，2018/10-2021/09，在研，主持。
6.郑州大学优秀青年教师发展基金项目，，太赫兹InP基HEMTs抗质子辐照加固技术和机理研究，2016/01-2018/12，30万元，结题，主持。
7.郑州大学物理学科推进计划，InP基HEMT器件质子辐照诱生缺陷研究，2018/07-2021/06，60万，在研，主持。
8.郑州大学青年教师启动项目，，超高频InP基HEMT及低噪声放大电路辐照效应研究，2014/09-2017/08，10万元，主持。
四、教学项目
1.《半导体集成电路》理论、虚拟仿真和在线实践一体化教学模式研究(2019ZZUJGLX310)，郑州大学教育教学改革研究与实践项目，2019年1月-2021年12月，主持。
2.半导体器件物理核心学位课程建设，郑州大学研究生教改与质量提升工程及优质课程建设项目，2019年1月-2021年12月，主持。
3. W波段低噪声放大集成电路，郑州大学大学生创新创业训练计划项目，2016年6月-2017年6月，国家级，指导教师。
4.微波分频集成电路设计，郑州大学大学生创新创业训练计划项目，2017年6月-2018年6月，指导教师。
5.多功能智能电源插座的研究与设计，郑州大学大学生创新创业训练计划项目，2014年6月-2015年6月，指导教师。
五、科研论文（第一/通讯作者）
[1] Sun Shuxiang, Yangbo, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao.Degradation mechanisms of InP-based high-electron-mobility transistors under 1 MeV electron irradiation. Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, Accepted.（通讯作者）
[2]Zhong Yinghui, YangBo, Chang Mingming, Ding Peng, Ma Liuhong, Li Mengke, Duan Zhiyong, Yang Jie*, Jin Zhi, Wei Zhichao.Enhancement of radiation hardness of InP-based HEMT with double Si-doped plane. Chinese Physics B, 2020,29(3): 038502.
[3]Zhong Yinghui, Wang Wenbin, Yang Jie, Sun Shuxiang, Chang Mingming, Duan Zhiyong, Jin Zhi*, Ding Peng. An improved empirical nonlinear model for InP-based HEMTs. Solid State Electronics, 2020,164:107613.
[4] Sun Shuxiang#, Ding Peng#, Jin Zhi, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Wei Zhichao. Effect of electron irradiationfluenceon InP-based high electron mobility transistors. Nanomaterials, 2019, 9(7): 967.（通讯作者）
[5] Sun Shuxiang#, Chang Mingming#, Li Mengke, Ma Liuhong, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao. Effect of defects properties on InP-based high electron mobility transistors. Chinese Physics B, 2019,28(7): 078501.（通讯作者）
[6]Sun Shuxiang#, Chang Mingming#, Zhang Chao, Cheng Chao, Li Yuxiao, Zhong Yinghui*, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao. Proton irradiation effect on InP-based high electron mobility transistor by numerical simulation with non-uniform induced acceptor-like defects. Physica Status Solidi- Rapid Research Letters, 2018,12(6):**.（通讯作者）
[7]Zhong Yinghui*, Li Kaikai, Li Mengke, Wang Wenbin, Sun Shuxiang, Li Huilong, Ding Peng, Jin Zhi. An improved 16-element small-signal model for InP-based HEMTs. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018,37(2):171-175.（通讯作者）
[8]Sun Shuxiang, Wei Zhichao, Xia Penghui, Wang Wenbin, Duan Zhiyong, Li Yuxiao, Zhong Yinghui*, Ding Peng, Jin Zhi.Effects of proton irradiation at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs. Chinese Physics B, 2018,27(2): 028502.（通讯作者）
[9] Sun Shuxiang, Ma Liuhong, Cheng Chao, Zhang Chao, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi. Numerical simulation of the impact of surface traps on the performance of InP-based high electron mobility transistors. Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2017, 214(10): **.（通讯作者）
[10]Zhong Yinghui, Wang Wenbin, Sun Shuxiang, Ding Peng, Jin Zhi*. Long-time thermal stability comparison of alloyed and non-alloyed Ohmic contacts for InP-based HEMTs. Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2017, 214(11): **.
[11]Zhong Yinghui, Sun Shuxiang, Wang Wenbin, Wang Haili, Liu Xiaoming, Duan Zhiyong, Ding Peng, Jin Zhi*.Two-step gate-recess process combining selective wet-etching and digital wet-etching for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 2017, 18(8): 1180-1185.
[12]王海丽，吉慧芳，孙树祥，丁芃，金智，魏志超，钟英辉*，李玉晓.InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理.西安电子科技大学学报, 2017, 44(4): 151-155.（通讯作者）
[13]Sun Shuxiang, Ji Huifang, Yao Huijuan, Li Sheng, Jin Zhi, Ding Peng, Zhong Yinghui*. Physical modeling of direct current and radio frequency characteristics for InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs. Chinese Physics B, 2016, 25(10): 108501.（通讯作者）
[14]Zhong Yinghui, Zang Huaping, Sun Shuxiang, Wang Haili, Li Kaikai, Li Xinjian, Ding Peng, Jin Zhi*. Comparison of single-step and two-step EBL T-gates fabrication techniques for InP-Based HEMT. Chinese Journal of Electronics, 2016, 25(2): 199-202.
[15]Zhong Yinghui, Zang Huaping, Wang Haili, Sun Shuxiang, Li Kaikai, Ding Peng, Jin Zhi*. T-gate fabrication of InP-Based HEMTs using PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A stacked resist. Chinese Journal of Electronics, 2016, 25(3): 448-452.
[16]Zhong Yinghui, Yang Jie, Li Xinjian, Ding Peng, Jin Zhi*. Impact of the silicon-nitride passivation film thickness on the characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs. Journal of the Korean Physical Society, 2015,66(6):1020-1024.
[17]Zhong Yinghui, Li Kaikai, Li Xinjian, Jin Zhi*. A W-band high-gain and low-noise amplifier MMIC using InP-based HEMTs. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015,34(6): 668-672.
[18]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, et al. High performance InP-based In_0.52Al_0.48As /In_0.53Ga_0.47As HEMTs with extrinsic transconductance of 1052 mS/mm.Journal of Infrared and Millimeter Waves,32(3):193-197, 2013.
[19]Zhong Yinghui, Zhang Yuming, Zhang Yimen, et al.0.15 μm T-gateIn_0.52Al_0.48As /In_0.53Ga_0.47AsInP-based HEMT withf_maxof 390 GHz.Chinese Physics B, 22(12):128503-5, 2013.
[20]Zhong Yinghui, Su Yongbo, Jin Zhi, et al. An InGaAs/InP W-band dynamic frequency divider.Journal of Infrared and Millimeter Waves,31(5):393-398, 2012.
[21]Zhong Yinghui, Zhang Yuming, Zhang Yimen, et al. A W-band two-stage cascode amplifier with gain of 25.7 dB.Journal of Semiconductors, 34(12): 125003-5, 2013.
[22]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, et al. An 88 nm gate-length In_0.53Ga_0.47As/ In_0.52Al_0.48As InP-based HEMT withf_maxof 201 GHz.Journal of Semiconductors, 33(7): 39-42, 2012.
[23]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, et al. Impact of the lateral width of the gate recess on the DC and RF characteristics of InAlAs/InGaAs HEMTs.Journal of Semiconductors, 33(5): 61-65, 2012.
六、学术会议论文
[1]Liu Hehe, Sun Shuxiang, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao. Effects of different energy proton irradiation on DC characteristics of InP-based HEMTs. The 15th IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, Xian, China, 12-14 June 2019.（通讯作者）
[2]Sun Shuxiang, Chang Mingming, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi. Defects effect on InAlAs/InGaAs High Electron Mobility Transistors. Radecs Workshop 2018 and The 2nd International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices,Beijing, China, 17-18 May 2018.（通讯作者）
[3]Zhong Yinghui, Zhang Yuming, Zhang Yimen, et al. A W-band two-stage cascode amplifier with small-signal gain of 25.7 dB.2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, 3-5 June 2013, Hong Kong, China, 2013.
[4]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, Cao Yuxiong, et al.Sub 100 nm In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As InP-based HEMT withf_T=204 GHz,f_max=352 GHz, andg_m,max=918 mS/mm.2011 International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), Nov.30 2011-Dec. 2 2011, pp: 213-216, Beijing, China, 2011.
[5]钟英辉，张玉明，张义门等. W波段InP HEMT低噪声放大器，第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 2012.11.07-10, pp: 326-329，开封, 2012.
七、专利
[1]王显泰，钟英辉，金智，汪宁.一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法, 2014.1，中国, 6.5（授权）
[2]钟英辉，李凯凯，陆泽营，王海丽，孙树祥.修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法, 2018.2，中国, 0.1（授权）
[3]钟英辉，王文斌，孙树祥，王海丽，李凯凯，陆泽营，夏鹏辉.基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法，中国, 5.X（授权）
八、荣誉及获奖
1.2019年，河南省青年骨干教师；
2.2019年，“华为杯”第二届中国研究生创“芯”大赛三等奖，指导教师；
3.2018年，郑州大学青年骨干教师；
4.2019年，郑州大学创“芯”大赛一等奖、三等奖，指导教师；
5.2016-2017学年、2017-2018学年，物理工程学院教学优秀奖；
6.2015-2016学年，郑州大学“优秀班主任”称号；
7.郑州大学第九届“挑战杯”大学生课外学术科技竞赛三等奖，指导教师。