职称：教授 最终学历：博士
1.个人经历：
1987-1992-1995中国科大本科、研究生
1995-1996中国科学院固体物理所博士研究生
1997-2003德国柏林工业大学固体物理所博士、助研
2004-2005法国国家科研中心原子分子与激光物理实验室博士后
2006-郑州大学物理工程学院，校****
2.研究方向：凝聚态物理，纳米技术
3.主要业务成就及获奖情况：
在德国的科研工作中，主要研究半导体量子点激光器与放大器的器件物理与光电特性，共与合作者发表论文三十多篇，均为该领域的领先工作。曾获得柏林工业大学自然科学博士最高荣誉。除了合作的研究成果外，个人也有独立的科学发现，并具有开拓意义，比如量子点激光反射谱的横腔效应、动态特性，尤其是其中反相的非线性动力学特性，以及源于载流子层间分布的激光超长周期驰豫振荡等。
在郑州大学工作以来，致力于纳米技术的研究开发，建立相关技术平台，在氧化物纳米线阵列的调控生长、微条带的提拉制作、二氧化硅胶体晶体的逐层组装和石墨烯的电极应用等方面开展基础研究和技术研发工作。
4.代表性论文：
1. Schneider S.; Borri P.; Langbein W.; Woggon U.; F?rstner J.; Knorr A.; Sellin R. L.; Ouyang D.; Bimberg D.Self-induced transparency in InGaAs quantum-dot waveguidesAppl. Phys. Lett. 83, 3668 (2003)
2. Sellin R. L.; Kaiander I.; Ouyang D.; Kettler T.; Pohl U. W.; Bimberg D.; Zakharov N. D.; Werner P.Alternative-precursor metalorganic chemical vapor deposition of self-organized InGaAs/GaAs quantum dots and quantum-dot lasersAppl. Phys. Lett. 82, 841 (2003)
3. Borri P.; Langbein W.; Schneider S.; Woggon U.; Sellin R. L.; Ouyang D.; Bimberg D.Relaxation and Dephasing of Multiexcitons in Semiconductor Quantum Dots
Phys. Rev. Lett. 89, 187401 (2002)
4. Ouyang D.; Heitz R.; Ledentsov N. N.; Bognár S.; Sellin R. L.; Ribbat Ch.; Bimberg D.Lateral-cavity spectral hole burning in quantum-dot lasersAppl. Phys. Lett. 81, 1546 (2002)
5. Borri P.; Ouyang D.; Sellin R. L.; Woggon U.; Schneider S.; Langbein W.; Bimberg D.Rabi oscillations in the excitonic ground-state transition of InGaAs quantum dots
Phys. Rev. B 66, 081306 (2002)
6. Borri P.; Schneider S.; Langbein W.; Woggon U.; Zhukov A. E.; Ustinov V. M.; Ledentsov N. N.; Alferov Zh. I.; Ouyang D.; Bimberg D.Ultrafast carrier dynamics and dephasing in InAs quantum-dot amplifiers emitting near 1.3-μm-wavelength at room temperatureAppl. Phys. Lett. 79, 2633 (2001)
7. Borri P.; Ouyang D.; Sellin R. L.; Woggon U.; Schneider S.; Langbein W.; Bimberg D.Ultralong Dephasing Time in InGaAs Quantum DotsPhys. Rev. Lett. 87, 157401 (2001)