个人概况：
| 姓 名：邵立 | 性 别：男 |
| 出生年月：79 年 05 月 | 籍 贯：河南省开封市 |
| 最高学历：博士 | 从事专业：物理学 |
| 职 称：讲师 | |
| 联系方式：0371-** E-mail：shaoli094@zua.edu.cn | |
| 个人简历： | ||
| 2002.07-2006.9 | 郑州轻工业学院技术物理系 | 工作 |
| 2014.12-2018.12 | 郑州航空工业管理学院理学院 | 工作 |
| 2019.1 至今 | 郑州航空工业管理学院材料学院 | 工作 |
| 1998.9-2002.7 | 河南大学物理系 | 学习 |
| 2006.9-2009.7 | 郑州大学物理工程学院 | 学习 |
| 2011.9-2015.12 | 西安交通大学理学院 | 学习 |
| 教学情况： | ||
主讲理工类《大学物理（一）》、《大学物理（二）》和应用物理学专业《材料物理学》
研究领域：
二维材料的第一性原理计算
近年主持和参加的科研项目：
1.河南省自然科学基金：二维硼烯与金属和电介质衬底材料相互作用的机理研究 主持
2.河南省高等学校重点科研项目：应变和衬底调控二维硼烯电子性质的理论研究 支持
3. 国家自然科学基金：宽紧带半导体及其纳米材料的结构与性质 第四
主要荣誉：
2016-2017 郑州航空工业管理学院科研工作先进个人
主要成果：
1.Li Shao et al. A theoreticalstudy of several fully hydrogenated borophenes.
2 Li Shao et al.Rediscover δ5 boron sheet: Interaction with Ni substrate and MoS2monolayer. J. Appl. Phys. 125, 075304 (2019)
3.Shao L, Li Y, YuanQ, et al. Effects of strain on mechanical and electronic properties ofborophene[J]. Materials Research Express, 2017, 4(4): 045020.
4. Shao L，Chen GD，Ye HG，et al，Theoretical study onelectronicpropertiesof MoS2
antidot lattices，Journal of AppliedPhysics，2014，116（11）：113704
5.Shao L，Chen GD，Ye HG，et al，Electronic properties of MoS2sandwiched between graphememonolayers，Europhysics Letters，2014，106（4）：47003
