姓名：
赵旭


性别：
女

学历：
博士

职称/职务：
副教授、硕士生导师
学院副院长

地址：
河南师范大学物理北楼A111、南楼325

电话：


E-mail：
zhaoxu@htu.cn

所在研究所：
凝聚态物理研究所

研究领域：

主要从事低维材料的理论研究，利用高性能并行计算机和vasp软件包模拟研究低维材料的物性，探讨材料的结构形貌、性质及其相互关系，为低维材料在实际应用中提供一定的指导。研究方向包括：
1. 二维半导体材料光电性质的研究；
2. 电场和掺杂对拓扑晶态绝缘体电子结构和磁性影响的理论研究；

教育经历：

2011年9月-2014年7月，河南师范大学物理与电子工程学院，博士
2003年9月-2006年7月，河南师范大学物理与信息工程学院，硕士
1999年9月-2003年7月，河南师范大学物理与信息工程学院，学士

学习进修及工作经历：

2019年5月-2019年12月，美国德克萨斯大学阿灵顿分校物理系，访问****
2016年1月-2018年12月，河南师范大学化学与化工学院，博士后
2006年7月至今，河南师范大学物理学院

教学工作：

主讲《固体物理》、《大学物理》、《大学物理实验》

科研活动：

1. 国家自然科学基金项目，电场和掺杂对拓扑晶态绝缘体SnTe薄膜电子结构和磁性的影响，20万，2016年1月-2018年12月，主持（结项）。
2. 国家留学基金委-地方合作项目，2，2019年5月-2019年12月，主持（结项）。
3. 河南省高等学校青年骨干教师培养计划，拓扑晶态绝缘体PbTe电子结构调控的理论研究，2万，2016年1月-2018年12月，主持（结项）。
4. 国家自然科学基金项目，二维过渡金属硫化物畴界缺陷研究， 65万，2017年1月-2020年12月，参与；
5. 国家自然科学基金项目，二维SnS₂材料电子结构和光电性质的研究， 58万，2017年1月-2020年12月，参与；

主要论著：

近5年发表的SCI源期刊论文：
1.Xu Zhao*, Peng Chen, Xingqiang Liu, Guoli Li, Xuming Zou, Yuan Liu, Qilong Wu, Yufang Liu, Woo Jong Yu, Lei Liao, Ultra-high current gain tunneling hot-electron transfer amplifier based on vertical van der Waals heterojunctions. Nano Research, 2020, 51, 841.DOI: 10.1007/s12274-020-2875-9.
2.Xu Zhao*, Congxin Xia*, Tianxing Wang, Xianqi Dai, Electronic and magnetic properties of X-doped (X = Ti, Zr, Hf) tungsten disulphide monolayer.Journal of Alloys and Compounds, 2016, 654: 574-579. (ESI高被引论文)
3.Xu Zhao*, Wencheng Niu, Hui Zhang, Xianqi Dai, Shuyi Wei, Lin Yang*, Effects of interlayer coupling and electric field on the electronic properties of PtSe2/ZrSe2 van der Waals heterojunctions, Applied Surface Science, 2020, 510, 145316.
4.Xu Zhao*, Ranzhuo Huang, Tianxing Wang, Xianqi Dai, Shuyi Wei, Yaqiang Ma*, Steady semiconducting properties of monolayer PtSe2 with non-metal atom and transition metal atom doping, Physical Chemistry Chemical Physics, 2020, 22, 5765-5773.
5.Xu Zhao*, Xiaonan Zhang, Tianxing Wang, Congxin Xia and Shuyi Wei, Tailoring the electronic structure of Mn-doped SnTe via strain. Journal of Materials Science, 2018,53(23): 15995-16000.
6.Xu Zhao*, Tianxing Wang*, Guangtao Wang, Xianqi Dai, Congxin Xia, Lin Yang, Electronic and magnetic properties of 1T-HfS2 by doping transition-metal atoms.Applied Surface Science, 2016, 383: 151-158.
7.Xu Zhao*, Xiaonan Zhang, Tianxing Wang, Shuyi Wei and Lin Yang, Electronic structures and optical properties of ZrS2 monolayer by nand p-type doping. Journal of Alloys and Compounds, 2018, 748: 789-803.
8.Xu Zhao*, Peng Chen, Congxin Xia, Xiaonan Zhang and Shuyi Wei, Electronic and magnetic properties of the N monodoping and (Mn, N)-codoped ZrS2. Journal Of Materials Science, 2018, 53(10): 7466-7474.
9.Xu Zhao*, Xiaomeng Liu, Tianxing Wang and Shuyi Wei, Effect of structural defects on electronic and magnetic properties in pristine and Cr-doped HfS2 monolayer. Journal of Alloys and Compounds, 2018, 731: 303-309.
10.Xu Zhao*, Tianxing Wang, Shuyi Wei, Xianqi Dai and Lin Yang, Induced magnetism in transition metal-doped 1T-ZrS2. Journal of Alloys and Compounds, 2017, 659: 2048-2053.
11.Xu Zhao*, Tianxing Wang, Congxin Xia, Xianqi Dai, Shuyi Wei and Lin Yang, Magnetic doping in two-dimensional transition-metal dichalcogenide zirconium diselenide. Journal Of Alloys and Compounds, 2017, 698: 611-616.
12.Congxia Yang, Xu Zhao*, Tianxing Wang and Shuyi Wei, Characters of of group V and VII atoms doped WSe2 monolayer. Journal Of Alloys and Compounds, 2017, 699:291-296.
13.Xu Zhao*, Congxin Xia, Tianxing Wang, Xianqi Dai, Lin Yang, Characteristics of n- and p-type dopants in 1T-HfS2 monolayer. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 689：302-306.
14.Peng Chen, Xu Zhao*, Tianxing Wang, Xianqi Dai, Congxin Xia, Electronic and magnetic properties of Ag-doped monolayer WS2 by stain.Journal of Alloys and Compounds,2016, 680: 659-664.
15.Xu Zhao*, Congxin Xia, Xianqi Dai, Tianxing Wang, Peng Chen, Liang Tian, Electronic and magnetic properties of X-doped (X=Ni, Pd, Pt) WS2 monolayer. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2016, 414: 45-48.
16.Xu Zhao*, Yonghui Gao, Hui Zhang, Haiyang Wang, Tianxing Wang, Shuyi Wei*, E?ect of structural defects and S-doped on electronic structure and magnetic properties of HfSe2 monolayer, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2019, 479, 192–198.
17.Xu Zhao*, Peng Chen, Congxin Xia, Tianxing Wang, Xianqi Dai, Electronic and magnetic properties of n-type and p-doped MoS2 monolayers. RSC Advances, 2016, 6（20）: 16772-16778.
18.Xu Zhao*, Congxia Yang, Tianxing Wang, Xu Ma, Shuyi Wei and Congxin Xia, 3d transition metal doping-induced electronic structures and magnetism in 1T-HfSe2 monolayers. RSC Advances, 2017, 83: 52747-52754.
19.Xu Zhao*, Xiaonan Zhang, Tianxing Wang, Shuyi Wei and Lin Yang, Effective n-type F-doped MoSe2 monolayers. RSC Advances, 2017, 7(43): 26673-26679.
20.Xu Ma, Xu Zhao*, Tianxing Wang, Effect of strain on the electronic and magnetic properties of an Fe-doped WSe2 monolayer. RSC Advances 2016, 6（74）: 69758-69763.
21.Yonghui Gao, Xu Zhao*, Haiyang Wang, Tianxing Wang and Shuyi Wei, Electronic and magnetic properties of structural defects in pristine ZrSe2 monolayer. Computational Materials Science, 2018, 146: 36-41.
22.Xu Zhao*, Hui Zhang, Binru Zhao, Yonghui Gao, Haiyang Wang, Tianxing Wang, Shuyi Wei and Lin Yang, Engineering the band gap of armchair MoSe2 nanoribbon with edge passivation. Superlattices and Microstructures, 2018, 124: 62-71.
23.Xu Zhao*, Peng Chen, Tianxing Wang, Controlled electronic and magnetic properties of WSe2 monolayers by doping transition-metal atoms. Superlattices and Microstructures, 2016, 100: 252-257.
24.Qianqian Xin, Xu Zhao*, Tianxing Wang, Electronic and magnetic properties of Mn-doped WSe2 monolayer under strain. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2017, 88: 11-17.
25.Xiaomeng Liu, Xu Zhao*, Xu Ma, Ninghua Wu and Qianqian Xin, Effect of strain on electronic and magnetic properties of n-type Cr-doped WSe2 monolayer. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2017, 87: 6-9.


奖励和荣誉：